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耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲器

作者: 時間:2009-08-14 來源:semi 收藏

  耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作來代替非常合適。目前技術(shù)必須每幾個毫秒就刷新一下,而鐵電可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/97163.htm

  耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于Fe的鐵電晶體管實驗樣品,該保存信息的時間比DRAM長1000倍,而功耗僅為DRAM的1/20,而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節(jié)點。

  “我們的的速度至少和DRAM一樣快,但尺寸和一樣小,且更易微縮。”耶魯大學(xué)教授Tso-Ping Ma說道,“在25nm節(jié)點會遇到障礙,但可隨CMOS工藝一同微縮至10nm以下。”



關(guān)鍵詞: 存儲器 DRAM 閃存 FeDRAM

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