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IR推出150V和200V MOSFET

作者: 時間:2009-08-17 來源:電子產品世界 收藏

  國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱) 推出一系列150V和200V HEXFET功率,為開關模式電源 () 、不斷電系統 ()、等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 (Qg)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/97228.htm

  與其它競爭器件相比, 150V 提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V 的閘電荷,則比競爭器件的降低了多達33%。

  亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“隨著DC-DC功率轉換應用技術的日益進步,開關頻率也有所提高,輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔當起重要的角色。開關損耗的多少對快速開關電路來說是關鍵的問題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對這個挑戰(zhàn)做出了優(yōu)化,所以非常適合作為通信應用中隔離式DC-DC轉換器的主要開關,或者在任何先進的DC-DC應用中推動輕負載效率。”

  這些新款MOSFET達到工業(yè)級別及第一級濕度感應度 (MSL1) 。它們采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝,皆為無鉛設計,并符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) 指令。



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