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Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器

作者: 時間:2009-09-01 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 () 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 International Corporation推出并口存儲器,適合(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/97675.htm

  與nvSRAM相比,的讀寫速度更快, 工作電壓更低。 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳SOIC封裝,具有高速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗等特點(diǎn),是取代BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存儲器的理想方案。

  市場拓展經(jīng)理李鴻鈞稱:“FM14C88的引腳和功能與CY14B256L和 STK14C88-3 等nvSRAM兼容,具有實(shí)時非易失性寫入和快速上電運(yùn)作等優(yōu)勢,不像nvSRAM需要大電容或BBSRAM需要電池來支持?jǐn)嚯姇r的數(shù)據(jù)存儲。對比BBSRAM和nvSRAM等方案, FM14C88更能節(jié)省成本和基板空間,簡化生產(chǎn),提高產(chǎn)品的可靠性。”

  關(guān)于FM14C88

  FM14C88 是配置為 32K x 8 的標(biāo)準(zhǔn)并口非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (),讀寫操作與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相似,能夠在斷電后保存數(shù)據(jù),并提供超過635年(55℃) 的數(shù)據(jù)保存能力,消除BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中電池,電容的不可靠性、高成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問題。F-RAM具有寫入速度快,幾乎無限的讀寫次數(shù) (寫入次數(shù)大約為1014次) 等特點(diǎn),使其成為存儲服務(wù)器及工業(yè)自動化等應(yīng)用的理想選擇。

  FM14C88 在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它 SRAM 器件類似,可以用作標(biāo)準(zhǔn) SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址,就可進(jìn)行讀寫操作。由于F-RAM存儲器采用獨(dú)特的鐵電存儲器工藝,具有非易失性的特點(diǎn),所以非常適合需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)的非易失性存儲應(yīng)用。FM14C88可在整個工業(yè)環(huán)境溫度范圍(-40°C至 +85°C)工作。

  FM14C88 F-RAM器件的特性包括:

  • 無延遲 (NoDelay™) 寫入
  • 頁面模式工作頻率高達(dá)33MHz
  • 無需大型存儲電容器,不存在與電容相關(guān)的品質(zhì)和成本問題
  • 即時進(jìn)行非易失性寫入操作
  • 上電恢復(fù)時間為250 ms,比nvSRAM快100倍
  • 引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3兼容
  • 60 ns存取時間,90 ns讀寫周期時間
  • 電源電壓2.0V – 3.6V
  • 90 mA待機(jī)電流 (典型值)
  • 7 mA工作電流 (典型值)
  • 32腳“綠色”/RoHS SOIC封裝

  FM14C88 并口存儲器已獲得全球著名供應(yīng)商選用,其高性能、高可靠性和低成本的優(yōu)勢已獲得業(yè)界公認(rèn)。



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