英特爾2010年發(fā)布下一代手持平臺Moorestown
2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(IDF)于9月22-24日在美國舊金山的馬士孔尼會展中心(Moscone Center West)舉行。 峰會期間消息顯示,代號為“Moorestown”的英特爾下一代手持設(shè)備平臺計劃于2010年發(fā)布,以移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)和智能手機(jī)為目標(biāo)市場。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/98475.htmMoorestown 包括一個代號為“Lincroft”,集成45納米英特爾凌動處理器核心、圖形與視頻引擎以及內(nèi)存和顯示控制器的片上系統(tǒng)(SoC)。該平臺還包括代號為 “Langwell”的輸入/輸出平臺控制器樞紐(I/O-PCH),除了數(shù)項板卡級功能外,它還支持用于和無線、攝像頭傳感器和閃存連接的多個I/O模 塊。Moorestown平臺附帶一個代號為“Briertown”的專用混合信號集成電路(MSIC),并且采用了下一代操作系統(tǒng)電源管理 (OSPM)。此外,與Moorestown配套的還有最新版本的Moblin軟件——Moblin v2.1。
相 比英特爾第一代“Menlow ”平臺,在SoC、I/O-PCH、MSIC和OSPM的共同作用下,新平臺的閑置功耗顯著降低了50倍之多,板卡尺寸也縮小了2倍。英特爾目前正與包括 Aava Mobile、華寶通訊、仁寶電子、EB、英業(yè)達(dá)、LG 電子和廣達(dá)在內(nèi)的領(lǐng)先系統(tǒng)制造商合作,進(jìn)行下一代Moorestown設(shè)計。
構(gòu)建高性能
Moorestown平臺旨在為手持設(shè)備提供高性能,從而實(shí)現(xiàn)全面而豐富、媲美PC的互聯(lián)網(wǎng)體驗。高性能主要源于Lincroft 片上系統(tǒng)上的45納米高K、超低漏電的晶體管和高度集成的Langwell I/O-PCH樞紐。主要創(chuàng)新包括:
• Lincroft 片上系統(tǒng)架構(gòu)旨在為多媒體模塊(圖形、視頻編碼、視頻解碼)提供廣泛的可擴(kuò)展頻率,使其能夠在需要的時候用適當(dāng)?shù)墓臑橄鄳?yīng)的用途提供所需的性能。
• 總線睿頻模式。當(dāng)CPU以較高頻率運(yùn)行時,該模式可提高總線帶寬并縮短CPU到內(nèi)存的總線延遲, 從而提升整體系統(tǒng)性能。
• 英特爾 Burst Performance技術(shù)(英特爾 BPT)使處理器能夠按需突破到更高的性能,在不影響散熱設(shè)計的情況下,就有可能在更小的設(shè)備中提供更高的性能。
• 該平臺支持英特爾超線程3技術(shù),可實(shí)現(xiàn)卓越的性能/能效并支持多任務(wù)為導(dǎo)向的使用模式。
• Langwell樞紐將PC與手持設(shè)備I/O(如:MIPI-CSI、SDIO端口、USB控制器、NAND控制器和音頻引擎)相結(jié)合,有助于實(shí)現(xiàn)整個平臺的高性能。
專為低功耗而設(shè)計
Moorestown平臺采用了跨Lincroft、Langwell和Briertown技術(shù)的一系列創(chuàng)新。此外,英特爾還利用高-K晶體管和行業(yè)領(lǐng)先的45納米制程來解決漏電問題。實(shí)現(xiàn)低功耗的主要特性包括:
• 除了LVDS之外,Lincroft還支持MIPI顯示器接口。采用MIPI可滿足手持設(shè)備顯示屏分辨率的獨(dú)特需求,同時功耗更低。Lincroft還支持低功耗 DDR1以及DDR2內(nèi)存技術(shù),以滿足智能手機(jī)和移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的各種不同需求。
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