爾必達宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片開發(fā)完成

　　爾必達公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片的研發(fā)工作，今年11月份這種芯片將進入送樣階段，年底前則可實現(xiàn)正式批量供貨。據(jù)爾必達公司表示，這種新芯片的面積更小，總體良品率 方面也比過去的50nm制程DDR3產(chǎn)品提升44%，而1.6Gbps數(shù)據(jù)傳輸率的產(chǎn)品良率更可達100%。

　　比較舊有的50nm制程產(chǎn)品，新40nm 2Gb DDR3內(nèi)存驅(qū)動電流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的較低工作電壓，同時也可以在DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的耗電量便可比過去下降45%左右。

　　爾必達同時表示，從50nm制程轉(zhuǎn)換到40nm制程的成本很低，幾乎相當(dāng)于零，而從65nm制程技術(shù)轉(zhuǎn)換至40nm所需的成本也可以控制在比較理想的范圍之內(nèi)。

　　除了積極開發(fā)更小尺寸的制程工藝技術(shù)之外，爾必達同時也在積極完善現(xiàn)有的舊制程技術(shù)，他們正在開發(fā)65nm XS制程技術(shù)，這種技術(shù)據(jù)稱可與其它公司的50nm制程級別產(chǎn)品一爭高下。此外爾必達公司也在開發(fā)一種可以利用65nm制程技術(shù)造出更小芯片尺寸產(chǎn)品的技術(shù)。

　　爾必達還表示，其在下屬臺灣合資企業(yè)中推進40nm制程的政策將采取靈活應(yīng)變的思路，會根據(jù)市場需求的實際變化來做出決定。

　　另外，爾必達還宣稱采用了新制造系統(tǒng)(即按產(chǎn)品類別區(qū)分產(chǎn)線，將移動產(chǎn)品用內(nèi)存和PC內(nèi)存等不同用途的產(chǎn)品安排在不同的產(chǎn)線上生產(chǎn))的廣島分廠的產(chǎn)品良率取得了不錯的提升。

　　爾必達表示如果未來的DRAM內(nèi)存市場狀況允許，他們有可能會將40nm制程產(chǎn)品的產(chǎn)出量提升到總產(chǎn)量的50%。

　　相比之下,韓國廠商三星則早在今年七月份即宣稱完成了40nm制程2Gb DDR3 1600內(nèi)存芯片的研發(fā)工作，這種內(nèi)存芯片工作電壓可低至1.35v。