ARM最新45nm 測試芯片實現(xiàn)40%的功耗降低

　　ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體硅工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應工藝的可行技術。

　　ARM®和Soitec聯(lián)合制造了這款測試芯片，在采用了一個著名的、行業(yè)標準的內(nèi)核的實際芯片實施中顯示出功耗節(jié)省的可能性。其目的是對用于同一產(chǎn)品的45納米SOI高性能技術和體效應CMOS 45納米低功耗技術作出比較。

　　ARM公司物理IP部門副總裁Tom Lantzsch表示：“作為物理IP和處理器技術領域的領導者，ARM一直以來都積極倡導SOI可能會給我們客戶的產(chǎn)品帶來的益處。通過對體效應和SOI的比較投入資源，我們得以提供有用的數(shù)據(jù)來驗證之前的推測論斷，證明SOI的確能夠在提供性能的同時實現(xiàn)功耗節(jié)省。”

　　這一芯片測試結果顯示，與以同樣速度運行的體效應CMOS低功耗技術相比，45納米高性能SOI技術能夠提供高達40%的功耗節(jié)省以及7%的電路面積減小。在某些特定的測試應用中，該芯片測試結果還顯示，當以比體效應技術高出20%的運行頻率工作時，該芯片能夠?qū)崿F(xiàn)30%的整體功耗節(jié)省。

　　IBM公司半導體產(chǎn)品和服務部門副總裁Mark Ireland表示：“這一由ARM和Soitec共同完成的評測標尺清楚地顯示了我們的第六代45納米SOI技術能夠帶來的性能功耗比方面的益處。該技術目前已可向ASIC和代工廠客戶提供。采用一個行業(yè)標準的ARM處理器來驗證SOI的功耗優(yōu)勢，表明了數(shù)字消費電子產(chǎn)品領域采用SOI的可能性。”

　　SOI Industry Consortium執(zhí)行董事Horacio Mendez表示：“作為SOI Consortium的成員，這兩家公司共同為SOI技術可能為采用電池供電的應用所帶來的功耗效率提升提供了一個實證，這對于整個行業(yè)而言是一項重要的成就。許多公司在針對其技術做制造決定時，都能夠從這一數(shù)據(jù)獲益。”

　　該實施采用了ARM和IBM的標準SOI庫和領先的EDA工具。對于采用基于IBM 45納米SOI技術的ARM和IBM庫的設計，也可獲得IP生態(tài)系統(tǒng)和制造解決方案的支持。