新聞中心

EEPW首頁(yè) > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 市場(chǎng)分析 > 臺(tái)系DRAM廠3Q虧損175億元 4Q可望飛越損平點(diǎn)

臺(tái)系DRAM廠3Q虧損175億元 4Q可望飛越損平點(diǎn)

作者: 時(shí)間:2009-11-03 來(lái)源:DigiTimes 收藏

  受惠價(jià)格谷底翻身,臺(tái)系廠第3季虧損金額大幅縮小,合計(jì)、茂德、南亞科和華亞科4家廠共虧新臺(tái)幣175億元,累計(jì)前3季虧損731億元,其中茂德虧損最多,華亞科虧損金額最小,展望第4季,DRAM價(jià)格持續(xù)走強(qiáng)越過(guò)2.5美元后,頗有朝3美元的實(shí)力,各廠全產(chǎn)能投片后,可望力拼單月?lián)p益兩平,其中旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈,董事長(zhǎng)黃崇仁也表示,若報(bào)價(jià)維持在2.5美元水平,第4季也有機(jī)會(huì)擠身獲利之林。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/99487.htm

  DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時(shí)受到供過(guò)于求嚴(yán)重失衡的影響,虧損嚴(yán)重到一度將存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈連根拔起,經(jīng)濟(jì)部更成立臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)解決臺(tái)灣DRAM 產(chǎn)業(yè)沒(méi)有技術(shù)的窘境,然1年過(guò)去,在奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)退出市場(chǎng),各廠大幅減少、半導(dǎo)體景氣復(fù)蘇的帶動(dòng)下,三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)等大廠財(cái)報(bào)都轉(zhuǎn)虧為盈,臺(tái)系DRAM廠第3季虧損也大幅減少,有走出陰霾的跡象,可望跟隨國(guó)際大廠腳步,第4季朝損益平衡邁進(jìn)。

  臺(tái)系DRAM廠包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家,第3季合計(jì)虧損175億元,累計(jì)前3季共虧損731億元,以第3季來(lái)看,茂德虧損金額最高,達(dá) 68.23億元,也是唯一虧損大于營(yíng)收的DRAM廠,主因?yàn)槊禄貜?fù)產(chǎn)能的速度緩慢所致,合計(jì)前3季財(cái)報(bào)虧損179.58億元,每股稅后虧損3.06元。

  力晶第3季則是大幅縮小虧損至42.99億元,主要是受惠力晶第2季末已開始增產(chǎn),趕上DRAM價(jià)格回升的腳步,目前力晶采用65奈米制程技術(shù),總成本約 1.6~1.7美元,黃崇仁表示,若DRAM現(xiàn)貨價(jià)可維持在2.5美元以上,力晶全產(chǎn)能開出后,第4季可望能見到轉(zhuǎn)虧為盈。

  力晶目前12寸廠已全產(chǎn)能投片中,標(biāo)準(zhǔn)型DRAM全產(chǎn)能的數(shù)量約8萬(wàn)片水平,未來(lái)將進(jìn)一步導(dǎo)入終極微縮版65奈米制程,計(jì)劃將成本進(jìn)一步下降至1.3~1.4美元。此外,力晶旗下的瑞晶已開始獲利,第3季成功轉(zhuǎn)虧為盈,目前12寸廠的滿載產(chǎn)能約8萬(wàn)片,也計(jì)劃進(jìn)一步導(dǎo)入終極微縮版65奈米制程。

  以第3季財(cái)報(bào)來(lái)看,虧損最少的DRAM廠是華亞科,第3季僅小虧25.24億元,累計(jì)前3季虧損119.52億元。其實(shí)以目前DRAM價(jià)格來(lái)看,南亞科和華亞科都具備賺錢的條件,惟目前必須將大部分的產(chǎn)能準(zhǔn)備轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程,因此無(wú)法大量投片。

  整體來(lái)看,DRAM廠財(cái)報(bào)已證實(shí)產(chǎn)業(yè)走出谷底,目前DRAM現(xiàn)貨價(jià)已站上2.5美元,合約價(jià)格也是續(xù)漲,整體價(jià)格趨勢(shì)有往3美元邁進(jìn)的實(shí)力,隨著國(guó)際大廠開始賺錢,臺(tái)廠也具備轉(zhuǎn)虧為盈的實(shí)力,產(chǎn)業(yè)觸底翻彈趨勢(shì)確立。



關(guān)鍵詞: 力晶 DRAM 晶圓

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉