恩智浦半導(dǎo)體最新超耐用系列XR LDMOS射頻功率晶體管，專用于最惡劣的工程環(huán)境。XR系列像釘子一樣堅(jiān)固，可承受工業(yè)激光、金屬蝕刻和混凝土鉆孔等惡劣應(yīng)用環(huán)境。憑借恩智浦業(yè)界領(lǐng)先的LDMOS技術(shù)，XR系列將LDMOS擴(kuò)展到了目前為數(shù)不多的、仍在使用VDMOS和雙極晶體管的某些領(lǐng)域。
突發(fā)和嚴(yán)重的負(fù)載擾動(dòng)在某些射頻應(yīng)用場(chǎng)合極其普遍。射頻功率晶體管應(yīng)能處理這些擾動(dòng)，并在多年的使用中不失效或老化。恩智浦在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下通過引入負(fù)載端失配，將失配程度用電壓駐波比（VSWR）表示，重現(xiàn)了這些負(fù)載擾動(dòng)。多數(shù)基站和廣播應(yīng)用需要堅(jiān)固耐用的射頻功率晶體管，要求能在所有相位承受10：1的駐波比。超耐用的BLF578XR可輕易承受125：1的駐波比重復(fù)測(cè)試--這是測(cè)試單元目前測(cè)得的最高值。這對(duì)于某些ISM應(yīng)用非常關(guān)鍵--通常這些場(chǎng)合要求射頻功率晶體管能承受超過100：1的駐波比測(cè)試。
新款BLF578XR是恩智浦普及型BLF578的超耐用版本，而BLF578則是廣播和ISM等眾多應(yīng)用中射頻功率晶體管的主力軍。在多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合，BLF578XR可以通過簡(jiǎn)易插裝來替代BLF578。
技術(shù)特點(diǎn)
BLF578XR采用恩智浦最先進(jìn)的LDMOS技術(shù)制造，專為需要極堅(jiān)固耐用性的應(yīng)用場(chǎng)合而設(shè)計(jì)。
頻率范圍： 0-500MHz
增益： 24dB（225MHz）
效率： 70%（225MHz）
VSWR： 1251（1200W所有相位）
峰值輸出功率： 1400W （脈沖）
熱增強(qiáng)： 0.14KW
|
