意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應(yīng)商，為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù)，到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全，從醫(yī)療健身設(shè)備，到智能消費電子，從家電、汽車，到辦公設(shè)備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子器件無所不在，在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導體代表著科技引領(lǐng)智能生活（life.augmented）的理念。

意法半導體2012年凈收入84.9 億美元。詳情請訪問公司網(wǎng)站www.st.com。

意法半導體’的600~650V IGBT為工作頻率高達100 kHz的應(yīng)用提供的最大集電極電流范圍為3~150A。 提供了多種版本，并且?guī)в袑Ｓ脙?nèi)置式反向并聯(lián)二極管以實現(xiàn)設(shè)計優(yōu)化。 利用意法半導體’獲得專利的標準沖壓穿透PowerMESH技術(shù)和新引進的溝槽柵場終止技術(shù)來實現(xiàn)該電壓范圍。

這些600~650V IGBT的目標應(yīng)用包括家用電器、感應(yīng)加熱、光伏、UPS、焊接和照明。 提供的封裝選項包括D2PAK、DPAK、ISOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247長引線和TO-3PF。

650 V溝槽柵場終止IGBT

場終止技術(shù)基于回注式集電極和緩沖器層，能夠在關(guān)斷時作出快速而緊密的反應(yīng)。TGFS IGBT還采用了溝槽柵技術(shù)，提高了溝道密度，降低了傳導損耗，大幅提高了效率。此外，TGFS允許降低晶片厚度，提升了晶體管的熱性能，提高了可靠性，簡化了熱管理設(shè)計。

主要受益:

最低總功率損耗實現(xiàn)更高的節(jié)能

最低的關(guān)斷損耗(Eoff)同時實現(xiàn)更高的開關(guān)速度

簡單并聯(lián)使用以實現(xiàn)功率擴展

175oC的結(jié)溫,具有更高的耐用性和可靠性