該模塊內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC-MOSFET構(gòu)成,尚屬業(yè)界首次※。額定電流提高到180A,應(yīng)用范圍更廣,非常有助于各種設(shè)備的低功耗化、小型化。
※根據(jù)羅姆調(diào)查(截至2012年12月12日)
1) MOS單體即可保持開關(guān)特性不變。無尾電流,開關(guān)損耗更低;
即使去掉SBD亦可實(shí)現(xiàn)與以往產(chǎn)品同等的開關(guān)特性。由于不會產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流,損耗可降低50%以上,有助于設(shè)備更加節(jié)能。另外,達(dá)到了Si-IGBT無法達(dá)到的50kHz以上的開關(guān)頻率,因此,還可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。
2) 可逆向?qū)?,?shí)現(xiàn)高效同步整流電路;
一般Si-IGBT元件無法逆向?qū)?,而SiC-MOSFET可通過體二極管實(shí)現(xiàn)常時(shí)逆向?qū)?。另外,通過輸入柵極信號,還可實(shí)現(xiàn)MOSFET的逆向?qū)?,與二極管相比,可實(shí)現(xiàn)更低電阻。通過這些逆向?qū)ㄌ匦?,與二極管整流方式相比,可在1000V以上的范圍采用高效同步整流方式的技術(shù)。
3) 成功解決體二極管的通電劣化,通電時(shí)間達(dá)1000小時(shí)以上且無特性劣化;
羅姆究明了體二極管通電的缺陷擴(kuò)大機(jī)理,通過工藝、元件結(jié)構(gòu)成功控制了產(chǎn)生劣化的因素。一般產(chǎn)品通電時(shí)間超過20小時(shí)導(dǎo)通電阻就會大幅增加,但本產(chǎn)品通電時(shí)間達(dá)1000小時(shí)以上導(dǎo)通電阻也不會增大。
應(yīng)用領(lǐng)域
工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器。
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