為了提供更多功能,高密度嵌入式DC-DC電源的功率要求增加,使得電源工程師面臨巨大挑戰(zhàn),要以更少的電路板空間提供更高功率密度和效率。飛兆半導(dǎo)體公司推出一款25V、3.3x3.3mm、薄型Power Clip非對稱雙N溝道模塊FDPC8012S,幫助工程師應(yīng)對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
FDPC8012S設(shè)計為在較高的開關(guān)頻率下運行,由一個5.4m?低品質(zhì)因數(shù)N溝道控制MOSFET和一個集成在全芯片封裝內(nèi)的同步SyncFETTM MOSFET組成,有助于減少同步降壓應(yīng)用中的電容數(shù)量和電感尺寸。該器件的低側(cè)源極向下,可輕松擺放,使電路板布局更緊湊,可獲得最佳的熱性能。FDPC8012S解決方案可提供超過25A的輸出電流,相比兩個其他傳統(tǒng)3x3mm的雙通道MOSFET,可提供兩倍的輸出電流能力。
特點與優(yōu)勢>
- 品質(zhì)因數(shù)較低的MOSFET可提供較高的輕載效率,并運行在較高的頻率下,減少所需的總電路板空間。
- 控制N溝道MOSFET,RDS(ON) = 5.4m?典型值(7.3m?最大值),VGS = 4.5V
- 同步N溝道MOSFET,RDS(ON) = 1.4m?典型值(2.1m?最大值),VGS = 4.5V
- 低電感封裝縮短了上升/下降時間,從而減少了開關(guān)損耗
- MOSFET集成可實現(xiàn)降低電路電感以及開關(guān)節(jié)點振鈴噪聲的優(yōu)化布局
- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
這款3.3x3.3mm電源夾異步雙通道MOSFET是飛兆半導(dǎo)體豐富的先進MOSFET技術(shù)產(chǎn)品組合的一部分,針對關(guān)鍵業(yè)務(wù)高效率信息處理設(shè)計,為電源設(shè)計人員提供廣泛的解決方案。
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