英飛凌最新的TRENCHSTOP?5系列IGBT再一次定義了同級(jí)產(chǎn)品的最佳性能!
與市場(chǎng)上現(xiàn)有的產(chǎn)品相比,TRENCHSTOP?5 IGBT有著極低的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。另外,全新開(kāi)發(fā)的反并聯(lián)Rapid快恢復(fù)二極管進(jìn)一步改善了開(kāi)通損耗和開(kāi)通特性,因此在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲杏兄鵁o(wú)與倫比的效率以及極佳的溫升特性,同時(shí)提供了650V的擊穿耐壓來(lái)滿足更高的設(shè)計(jì)裕量要求,如太陽(yáng)能電池板最大功率點(diǎn)跟蹤。該系列產(chǎn)品可以應(yīng)用在諸如不間斷電源(UPS),逆變焊機(jī),太陽(yáng)能逆變器等等。
TRENCHSTOP?5系列目前提供兩類產(chǎn)品: H5 和F5。其中,H5致力于客戶端的易用性,與上一代產(chǎn)品H3相比,在設(shè)計(jì)中無(wú)需大的更改即可實(shí)現(xiàn)更高的效率以及極佳的性價(jià)比。而F5致力于實(shí)現(xiàn)致力于實(shí)現(xiàn)IGBT最佳的性能,因此需要進(jìn)一步改善線路布局以及調(diào)整驅(qū)動(dòng)參數(shù)來(lái)發(fā)揮器件的特點(diǎn)。比如,在太陽(yáng)能設(shè)計(jì)當(dāng)中,通過(guò)使用F5,在傳統(tǒng)的H4拓?fù)渖峡梢暂p松實(shí)現(xiàn)98%的效率。而在傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)當(dāng)中,與典型的MOSFET方案相比,F(xiàn)5也提供了另外一種可能性。
TRENCHSTOP?5是IGBT技術(shù)的一個(gè)質(zhì)的飛躍,因?yàn)樗瑫r(shí)提供了效率的大幅改善以及可靠性的提升,因此可以進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本,或者是功率密度的提升。 而這兩點(diǎn)對(duì)于功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)來(lái)講都是極具吸引力的,因而也必將對(duì)當(dāng)今甚至是未來(lái)的設(shè)計(jì)產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。 |