飛兆半導體公司專為功率及移動設計提供高能效、易于使用及高增值的半導體解決方案。飛兆半導體擁有業(yè)界最廣泛而全面的產品種類，功耗范圍從1W到1200W以上，能夠最大限度地提高電子設備如PDA、智能手機、筆記本電腦、智能筆記本、上網本、高分辨率平板顯示器和監(jiān)視器、DVD、機頂盒、電源、電池組、電源適配器、馬達控制和工廠自動化、點火和引擎管理、照明系統(tǒng)等的能效。

飛兆半導體與領先的電子產品制造商客戶密切合作，了解未來產品的功率設計挑戰(zhàn)，再綜合不同的解決方案，從而最大限度地減少電力需求，為客戶帶來能滿足功效、噪聲或其他政府法規(guī)要求的優(yōu)點。

飛兆半導體一直堅守以客為尊的信念，幫助客戶開發(fā)與眾不同的產品，并以飛兆半導體在功率和信號路徑產品上的專業(yè)知識解決客戶遇到的技術困難。

高效率、大電流處理能力和小外形尺寸是電源設計人員選擇用于電壓調節(jié)器解決方案的元件的至關重要的因素。飛兆半導體公司Generation II XS DrMOS (集成式驅動器 + MOSFET) 器件系列能夠提供高效率和高功率密度，可讓設計人員滿足刀片服務器、高性能游戲主板、高性能筆記本電腦、顯卡，以及大電流DC-DC負載點(point-of-load)轉換器等不同應用的特定設計需求。

Generation II XS DrMOS器件采用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封裝，具有較高的系統(tǒng)效率，在12Vin、1Vout和25A條件下重負載效率高于91.5%，峰值效率則超過94%。Generation II XS DrMOS器件可在2MHz開關頻率下運作，并具有最高50A的電流處理能力。

Generation II XS DrMOS系列器件提供5V和3.3V三態(tài)電平以匹配Intel®4.0 DrMOS規(guī)范，并可兼容市場上的多種PWM控制器。這些器件能夠顯著減少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench? MOSFET屏蔽柵極技術而產生的振鈴噪聲。同步FET還集成了一個肖特基二極管，免除外部緩沖器電路，提高總體性能和功率密度，同時減少占用空間和成本。Generation II XS DrMOS器件還可以為客戶加入一項過熱報警功能，可在故障期間防止出現(xiàn)過熱狀況。