電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn),而在筆記本電腦、負(fù)載點、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中,上述兩點尤為重要。飛兆半導(dǎo)體 FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊則能夠幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
FDMS36xxS系列器件在PQFN封裝中結(jié)合了控制和同步MOSFET,以及一個肖特基體二極管。這些器件的開關(guān)節(jié)點已獲內(nèi)部連接,能夠輕易進(jìn)行同步降壓轉(zhuǎn)換器的布局和走線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET?)(Q2)經(jīng)專門設(shè)計,為高達(dá)30A的輸出電流實現(xiàn)最佳功效。FDMS36xxS系列將上述器件集成在一個模塊中,可替代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝,有效減少線路板空間。
FDMS36XXS系列產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的電荷平衡架構(gòu)(屏蔽柵極技術(shù))和先進(jìn)封裝技術(shù),可在高性能計算的額定擊穿電壓下,獲得低于2mΩ的業(yè)界領(lǐng)先低端RDS(ON) 。該系列產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,以便最大限度地減小300kHz至600KHz范圍的綜合傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,為負(fù)載點和多相同步降壓DC-DC應(yīng)用帶來可靠的最高功效。
FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的屏蔽電壓調(diào)制架構(gòu)和超低源極電感封裝設(shè)計,具有低開關(guān)噪聲、低設(shè)計變化敏感度和較高的設(shè)計可靠性。低開關(guān)噪聲可以省去需要外部緩沖器或柵極電阻的緩減設(shè)計,從而降低設(shè)計BOM成本并且節(jié)省額外的線路板空間。
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