國際整流器公司(簡稱IR，紐約證交所代號IRF)是先進功率管理技術(shù)包括數(shù)字、模擬及混合信號集成電路、先進電路器件以及功率系統(tǒng)的先驅(qū)及全球領(lǐng)導者。世界頂級的計算機、電器、汽車、消費類電子產(chǎn)品以及防御系統(tǒng)的制造商均憑借IR先進技術(shù)而實現(xiàn)其產(chǎn)品的卓越性能。今天，功率管理技術(shù)在拯救全球日益委縮的能源資源方面，扮演著前所未有的重要角色，但同時也要跨越艱巨的技術(shù)障礙。

iP2010采用了IR公司創(chuàng)新的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延功率器件技術(shù)平臺GaNpowIR^TM。GaN的電場性能遠強于硅，而且具有傳導率極佳的器件結(jié)構(gòu)，因此基于GaN的器件可以在工作電壓和導通電阻之間取得極佳的折衷。與基于硅的類似器件相比，GaN器件能夠高效地工作在非常高的頻率，因為它們的柵極電荷（Qg）有顯著減少，而且器件開關(guān)RDS(on)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FOM）也遠低于硅。

iP2010目前主要用于服務器、路由器、交換機和通用轉(zhuǎn)換器中的負載點（POL）和多相穩(wěn)壓器。iP2010集成了一個與多開關(guān)單片硅基氮化鎵功率器件匹配的專用PowIRtune^TM驅(qū)動芯片。這種專有的PowIRtune^TM驅(qū)動芯片采用了一種超快的檢測機制，能夠通過調(diào)整死區(qū)時間來獲得最優(yōu)性能，并能在各種負載電流、輸入電壓和溫度條件下保持最佳的死區(qū)時間。由于在單片功率開關(guān)中同時整合了高邊和低邊GaN功率開關(guān)，從而消除了寄生開關(guān)損耗，而在使用分立型高邊和低邊開關(guān)的傳統(tǒng)功率級解決方案中，由于使用了銅互連這種損耗無可避免。

iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍為0.6V至5.5V，在此電壓范圍內(nèi)的輸出電流最高可達30A，工作頻率最高可達3MHz。為了實現(xiàn)比基于硅的先進功率MOSFET更高的效率和兩倍以上的開關(guān)頻率，iP2010器件安裝在倒裝芯片封裝平臺內(nèi)，因而無需使用邦定線?；贕aN的先進技術(shù)加上創(chuàng)新的封裝，使得這款集成式器件可針對600kHz至1.2MHz的工作頻率范圍進行優(yōu)化。

因為iP2010能夠工作在比傳統(tǒng)硅解決方案更高的頻率范圍內(nèi)，因而在空間非常寶貴的場合它能提供最大的功率密度。通過將功率級電路工作在這些更高的開關(guān)頻率，還能減小輸出電容和電感的值和體積，進而減小整個電路板面積。