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欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定(UVLO)如何保護半導體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時,我們經常使用簡化,如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作,而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時,接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
- 關鍵字: 欠電壓閉鎖,UVLO MOSFET,IC
談談幾種常用的MOSFET驅動電路
- 一、MOS管驅動簡述MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設計開關電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設計方案。更細致的,MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET,其驅動電路,驅動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的開關性能。當電源IC與MOS管選定之
- 關鍵字: MOSFET
Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機驅動器將控制器、柵極驅動器和通信整合到單個器件
- 為了在空間受限的應用中實現(xiàn)高效、實時的嵌入式電機控制系統(tǒng),Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)推出基于dsPIC?數(shù)字信號控制器(DSC)的新型集成電機驅動器系列。該系列器件在一個封裝中集成了dsPIC33 數(shù)字信號控制器 (DSC)、一個三相MOSFET柵極驅動器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個顯著優(yōu)勢是減少電機控制系統(tǒng)設計的元件數(shù)量,縮小印刷電路板(PCB)尺寸,并降低復雜性。該系列器件的支持資源包括開發(fā)板、參考設計、應用筆記和 Micr
- 關鍵字: dsPIC 數(shù)字信號控制器 MOSFET 電機控制
Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術優(yōu)勢,因此我們不難理解為何它已成為電動汽車(EV)、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣
- 關鍵字: Qorvo SiC MOSFET
P溝道功率MOSFETs及其應用領域
- Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應用需求的增加,P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側(HS)應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器(<120 V)和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源,高端側(HS)P溝道MOSFET易于驅動,具有設計簡單、節(jié)省空間,零件數(shù)量少等特點,提升了成本效率。本文通過對N 溝道和P溝道MOSFETs進行比較,介紹Littelfuse P溝道功率
- 關鍵字: 202404 P溝道功率MOSFET MOSFET
高壓功率器件設計挑戰(zhàn)如何破?
- 不斷提升能效的需求影響著汽車和可再生能源等多個領域的電子應用設計。對于電動汽車 (EV) 而言,更高效率意味著更遠的續(xù)航里程;而在可再生能源領域,發(fā)電效率更高代表著能夠更充分地將太陽能或風能轉換為電能。圖1.在電動汽車和可再生能源領域,對更高效率的不懈追求正推動著設計向前發(fā)展這兩大領域都廣泛采用開關電子器件,因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關系遵循歐姆定律,也就是說電路中產生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理,當電壓加倍時,電路中的電流會減半,因而損耗會降到四分之一。根據(jù)這個原理,為了減
- 關鍵字: 高電壓 高電壓 轉換器 逆變器 MOSFET 電力電子 EliteSiC
一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案
- 熱泵是一種經過驗證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術,其滿足低排放電力要求,是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求,但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實用的水平,因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標熱泵的原理與制冷類似,其大部分技術基于冰箱的設計。2021年,全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成,且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關注以及應對氣候變化的承諾,熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產生的碳排放的主要途徑。此
- 關鍵字: 熱泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
意法半導體隔離柵極驅動器:碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶
- 意法半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器,非常適合各種應用。在確保安全控制方面,STGAP系列隔離柵極驅動器作為優(yōu)選解決方案,在輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離,確保無縫集成和優(yōu)質性能。選擇正確的柵極驅動器對于實現(xiàn)最佳功率轉換效率非常重要。隨著SiC技術得到廣泛采用,對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高,而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
- 關鍵字: STGAP MOSFET IGBT 驅動器 電氣隔離
全面升級!安森美第二代1200V SiC MOSFET關鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化,如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關頻率和系統(tǒng)效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性,與第一代相比的顯著性能提升,以及一些實用設計技巧。本文為第一部分,將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
- 關鍵字: 碳化硅 SiC MOSFET
英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET,以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標準
- 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列,使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善,降低了電磁干擾(EMI)和開關損耗,有益于用于服務器、電信、儲能系統(tǒng)(ESS)、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外,憑借寬安全工作區(qū)(SOA)和業(yè)界領先的RDS(on),該產品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
- 關鍵字: 英飛凌 OptiMOS MOSFET
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