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2023年內存芯片趨勢

  • 2023 年,存儲芯片的跌勢仍在延續(xù),何時止跌還是未知數(shù)。
  • 關鍵字: 存儲芯片  DRAM  NAND  

NAND Flash 大降價,固態(tài)硬盤取代機械硬盤指日可待

  • 相信有很多小伙伴已經注意到了,目前市場上很多固態(tài)硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價導致的。根據集邦咨詢的數(shù)據顯示,NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風,供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企業(yè)級固態(tài)硬盤)是下跌最劇烈的產品,跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息,但對于普通消費者來說,我們確實能買到更便宜的固態(tài)
  • 關鍵字: NAND Flash  

內存雙雄:市況否極泰來

  • 華邦消費性電子應用需求回溫本季是谷底;南亞科上半年跌幅收斂。
  • 關鍵字: DRAM  NAND  

(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康

  • 半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因為有了國產的零部件供應。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進的道路上并沒有停步。
  • 關鍵字: 莫大康  半導體  華為  光刻機  NAND  

存儲器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌,加上庫存水位過高,終端消費支出持續(xù)放緩,據外電消息,韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導,三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出,截至去年第四季,整體庫存資產達到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營收比重最高的半導
  • 關鍵字: 存儲器  DRAM  NAND Flash  

存儲大廠展示300層NAND Flash,預計最快2024年問世

  • 近日,在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市,有望打破紀錄。外媒報導,SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
  • 關鍵字: 300層  NAND Flash  SK海力士  

(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康

  • 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因為有了國產的零部件供應。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進的道路上并沒有停步
  • 關鍵字: 半導體  莫大康  華為  NAND  光刻機  

均價跌幅擴大,2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%

  • TrendForce集邦咨詢最新調查顯示,NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風,供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產品,跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時,客戶為避免零部件庫存再攀高,備貨態(tài)度消極,使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%,平均銷售單價環(huán)比減少22.8%,2022年第四季NAND Flash產業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%,達
  • 關鍵字: 集邦  NAND Flash  

支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應用程序、數(shù)據中心和人工智能)的性能,就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
  • 關鍵字: 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

西部數(shù)據宣布進一步削減生產和投資,NAND 晶圓產量將減少至 30%

  • IT之家 2 月 7 日消息,據韓媒 Business Korea 報道,在內存半導體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下,全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數(shù)據宣布將進一步縮減設備投資和生產。西部數(shù)據 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績電話會議上表示,2023 財年設備投資總額將達到 23 億美元(當前約 156.17 億元人民幣)。據IT之家了解,這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元(當前約 183.33 億元人民幣)下降了 14.8%,與 2022 年 8 月公布
  • 關鍵字: NAND  內存  西部數(shù)據  

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

  • 消費性固態(tài)硬盤(Client SSD)受惠于疫情紅利,在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角,市調機構集邦預估,2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92%,2023年約96%。但隨疫情紅利退場,加上總經不佳導致消費性電子需求急凍,未來消費性SSD需求放緩最明顯,連帶使整體NAND Flash需求位成長受限,估2022~2025年的年增率均低于30%。容量方面,2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB,512GB消費性SSD在近期迅速跌價后,已與半年前256GB報價相近,甚至
  • 關鍵字: NAND Flash  

基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實現(xiàn)

  • 在現(xiàn)代電子設備中,越來越多的產品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數(shù)據存儲,而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據NAND FLASH的特點,需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法,利用FPGA中RAM模塊,設計了狀態(tài)機電路,靈活地實現(xiàn)壞塊表的建立、儲存和管理,并且對該設計進行測試驗證。
  • 關鍵字: NAND FLASH  FPGA  壞塊  壞塊檢測  202212  

全球首款!美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

  • 12月15日,美光宣布,已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤(SSD)。據官方介紹,美光2550是全球首款采用200+層NAND技術的客戶端SSD,該產品基于PCIe 4.0架構,采用美光232層NAND技術,加強了散熱架構和低功耗設計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶端等主流PC平臺上提升應用程序的運行速度和響應靈敏度。與競品相比,2550 SSD文件傳輸速度快112%,辦公應用運行速度快67%,主流游戲加載速度快57%,內容創(chuàng)
  • 關鍵字: 美光  232層  NAND  SSD  

韓國芯片出口暴降30%!SSD腰斬白菜價甩賣:SK海力士、三星虧到家

  • 作為韓國的重要支柱,芯片出口的多少,直接關系著幾大財團的營收,比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道,消費電子產品需求下滑,導致對芯片的需求下滑,尤其是存儲芯片,需求與價格雙雙下滑。韓國關稅廳最新公布的數(shù)據顯示,在11月份的前20天,韓國芯片出口52.8億美元,同比下滑 29.4%。除了芯片,韓國重要的出口產品還有智能手機等移動設備,但這一類產品的出口額在前 20 天的出口額,也同比下滑20.6%,降至13.6億美元。比較有標志性的一個現(xiàn)象是,全球智能手機老大已經在不停的砍單了,至少在3000萬部,這也
  • 關鍵字: 三星  SK海力士  DRAM  NAND  

三星開始量產第8代V-NAND,存儲密度高達1Tb

  • 作為全球化的半導體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內存技術日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND,1Tb三星閃存產品與技術執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示:"市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3
  • 關鍵字: 三星  V-NAND  存儲密度  
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