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NAND Flash 大降價,固態(tài)硬盤取代機械硬盤指日可待
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- 相信有很多小伙伴已經注意到了,目前市場上很多固態(tài)硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價導致的。根據集邦咨詢的數(shù)據顯示,NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風,供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企業(yè)級固態(tài)硬盤)是下跌最劇烈的產品,跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息,但對于普通消費者來說,我們確實能買到更便宜的固態(tài)
- 關鍵字: NAND Flash
(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康
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- 半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因為有了國產的零部件供應。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進的道路上并沒有停步。
- 關鍵字: 莫大康 半導體 華為 光刻機 NAND
存儲器廠商Q1虧損恐難逃
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- 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌,加上庫存水位過高,終端消費支出持續(xù)放緩,據外電消息,韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導,三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出,截至去年第四季,整體庫存資產達到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營收比重最高的半導
- 關鍵字: 存儲器 DRAM NAND Flash
存儲大廠展示300層NAND Flash,預計最快2024年問世
- 近日,在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市,有望打破紀錄。外媒報導,SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
- 關鍵字: 300層 NAND Flash SK海力士
(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康
- 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因為有了國產的零部件供應。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進的道路上并沒有停步
- 關鍵字: 半導體 莫大康 華為 NAND 光刻機
均價跌幅擴大,2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%
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- TrendForce集邦咨詢最新調查顯示,NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風,供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產品,跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時,客戶為避免零部件庫存再攀高,備貨態(tài)度消極,使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%,平均銷售單價環(huán)比減少22.8%,2022年第四季NAND Flash產業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%,達
- 關鍵字: 集邦 NAND Flash
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態(tài)硬盤(Client SSD)受惠于疫情紅利,在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角,市調機構集邦預估,2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92%,2023年約96%。但隨疫情紅利退場,加上總經不佳導致消費性電子需求急凍,未來消費性SSD需求放緩最明顯,連帶使整體NAND Flash需求位成長受限,估2022~2025年的年增率均低于30%。容量方面,2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB,512GB消費性SSD在近期迅速跌價后,已與半年前256GB報價相近,甚至
- 關鍵字: NAND Flash
基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實現(xiàn)
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- 在現(xiàn)代電子設備中,越來越多的產品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數(shù)據存儲,而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據NAND FLASH的特點,需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法,利用FPGA中RAM模塊,設計了狀態(tài)機電路,靈活地實現(xiàn)壞塊表的建立、儲存和管理,并且對該設計進行測試驗證。
- 關鍵字: NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
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