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三星電子與IBM達(dá)成專利交叉授權(quán)協(xié)議

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)與藍(lán)色巨人IBM于美國時(shí)間8日聯(lián)合宣布，雙方已達(dá)成一項(xiàng)專利交叉授權(quán)協(xié)議，惟協(xié)議具體條款并未披露。 　　在過去數(shù)十年來，IBM與三星在包括半導(dǎo)體、通訊、移動(dòng)通信、軟件和技術(shù)服務(wù)等多項(xiàng)領(lǐng)域，建立專利合作關(guān)系。新簽署的專利交叉授權(quán)協(xié)議將允許雙方自由使用合作伙伴的專利發(fā)明，借此使2公司與先進(jìn)科技以及市場需求同步化?！　?/li>
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三星電子與IBM宣布交叉授權(quán)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)與藍(lán)色巨人IBM于美國時(shí)間8日聯(lián)合宣布，雙方已達(dá)成一項(xiàng)專利交叉授權(quán)協(xié)議，惟協(xié)議具體條款并未披露。 　　在過去數(shù)十年來，IBM與三星在包括半導(dǎo)體、通訊、移動(dòng)通信、軟件和技術(shù)服務(wù)等多項(xiàng)領(lǐng)域，建立專利合作關(guān)系。新簽署的專利交叉授權(quán)協(xié)議將允許雙方自由使用合作伙伴的專利發(fā)明，藉此使2公司與先進(jìn)科技以及市場需求同步化。 　　在聲明中，三星電子與IBM表示雙方在專利方面的合作，將進(jìn)一步強(qiáng)化旗下產(chǎn)品及服務(wù)提供，同時(shí)也能繼續(xù)維持2家公司在市場上的競爭力。 　　三星
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三星2010年NAND Flash市占直逼40%　產(chǎn)業(yè)成長率達(dá)58%

  • 　　2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及智能型手機(jī)(Smartphone)稱霸應(yīng)用端，傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺，整體2010年NAND Flash市場營收成長達(dá)58.7%，為191.7億美元，其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王，美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix)，但差距相當(dāng)少，雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。 　　2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應(yīng)用風(fēng)光不再，取而代之的
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預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體記憶芯片出口下跌10％

  • 　　1月31日消息，據(jù)韓國媒體報(bào)道，2011年韓國的半導(dǎo)體儲存器(memory semiconductors，以下簡稱“記憶芯片”)出口有可能下跌約10%。 　　韓國知識經(jīng)濟(jì)部長官崔重卿、三星電子社長權(quán)五賢、海力士半導(dǎo)體社長權(quán)五哲等半導(dǎo)體業(yè)界巨頭31日在首爾舉行有關(guān)發(fā)展系統(tǒng)半導(dǎo)體方案的說明會。在該會上，知識經(jīng)濟(jì)部預(yù)測稱，韓國今年的半導(dǎo)體出口在整體上會同比增加3.5%，達(dá)到525億美元。其中，記憶芯片出口受價(jià)格下跌的影響將會縮減9.3%，止步于258億美元。
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三星電子2010年凈利潤954億元

  • 　　韓國三星電子前幾天公布了2010年的銷售業(yè)績：三星在2010年度的總營業(yè)額為 154.63兆韓元(約合9131億人民幣)，毛利潤為17.30兆韓元(約合1022億人民幣)，凈利潤為16.15兆韓元(約合954億人民幣)。營 業(yè)額比2009年增長13.4%，經(jīng)營利潤比上年增長58.3%，打破了三星電子的歷史記錄。 　
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3G智能手機(jī)占據(jù)“半壁江山”

  • 　　近日，美國運(yùn)營商T-Mobile與三星電子發(fā)布了4G智能手機(jī)，型號為Galaxy S 4G。2010年，三星憑借著Galaxy系列產(chǎn)品成功躍身為Android系統(tǒng)一線廠商，不僅帶動(dòng)了整個(gè)銷量的前進(jìn)也讓Galaxy成為眾多消費(fèi)者購機(jī)的選擇。 　　
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2011年高端芯片代工將僅剩3家

  • 　　1月26日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，根據(jù)研究公司iSuppli的最新報(bào)告顯示，到2011年年底有能力生產(chǎn)高端設(shè)備20-22納米半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體工廠將會減少到三家。 　　該研究機(jī)構(gòu)稱，2011年僅有三家實(shí)力雄厚的工廠能夠在該市場生存下來，這包括中國臺灣的臺積電、環(huán)球代工和最近宣布與IBM聯(lián)盟的三星電子。而其他的這些廠商將會服務(wù)剩下的這些市場，例如臺灣聯(lián)華電子和中芯國際，這些工廠將會轉(zhuǎn)向生產(chǎn)28-32納米節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。 　
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平板電腦熱導(dǎo)致顯示器供應(yīng)吃緊

  • 　　據(jù)iSuppli公司，科技產(chǎn)業(yè)紛紛推出平板電腦與蘋果的iPad競爭，今年將擾亂全球顯示器產(chǎn)業(yè)。顯示器廠商疲于應(yīng)對平板電腦客戶的旺盛需求，既會造成供應(yīng)短缺，也會形成過多庫存。 　　2011年全球平板電腦出貨量預(yù)計(jì)是2010年的三倍多，從1710萬臺增長到5760萬臺。盡管蘋果未來一年仍將占據(jù)統(tǒng)治地位，平板電腦出貨量份額高達(dá)70.4%，但該公司將面臨來自新對手日益強(qiáng)烈的競爭。這些新來者生產(chǎn)消費(fèi)平板電腦，包括三星電子、惠普、Research in Motion Ltd.、戴爾和眾多其它公司。但在目前，預(yù)計(jì)
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2011年NAND閃存銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長

  • 　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。 　　2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄，增長38%。預(yù)計(jì)今年銷售額將達(dá)到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預(yù)計(jì)2011年增長72%，達(dá)到193億GB。 　
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三星2011獲利將先疲軟后反彈

  • 　　全球最大的記憶體晶片(存儲器芯片)和平面屏幕制造商--韓國三星電子(005930.KS:行情),將公布10-12月錄得六個(gè)季度以來最低利潤,因受主打芯片價(jià)格暴跌沖擊,但預(yù)計(jì)利潤將在2011年稍晚開始反彈. 　　
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半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測

  • 　　2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢，然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價(jià)格2010年上半至年中為止維持上升走勢，并于5月達(dá)到頂點(diǎn)2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想，使DRAM價(jià)格走向跌勢，并于2010年12月下半跌破1美元，僅達(dá)0.97美元。 　　
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OLED科技明年將實(shí)現(xiàn)大爆炸

  • 　　明(2011)年度OLED科技在顯示器與照明這兩個(gè)市場將大爆發(fā)，預(yù)估明年中全球的OLED產(chǎn)量將擴(kuò)增10倍。Strasser表示，未來將有許多新鮮且令人振奮的產(chǎn)品問世;今后數(shù)年間采用透明OLED的窗戶將司空見慣：白天時(shí)OLED能讓光線照射進(jìn)來，晚上則變成一種光源。汽車擋風(fēng)玻璃上亦可同樣運(yùn)用透明OLED,導(dǎo)航資訊便能藉此播放。 　　
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國內(nèi)瘋蓋面板廠

  • 　　全球面板廠下一個(gè)主戰(zhàn)場將發(fā)生在大陸，在三星電子(Samsung Electronics)、LG Display以及友達(dá)將在大陸興建次世代面板廠后，零組件廠的動(dòng)向也備受矚目，零組件業(yè)者表示，除了這3家面板廠旗下零組件廠供應(yīng)鏈可望跟隨面板廠前往大陸設(shè)廠外，由于大陸還有華星光電以及京東方(北京)的8.5代廠正在籌建，加上未來還可能會有其他面板廠在大陸設(shè)廠，因此大陸已經(jīng)成為面板零組件廠搶奪市場商機(jī)、改寫營運(yùn)版圖的重要所在地。 　
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2011年DRAM位元成長率上看50%

  • 　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(BitGrowth)將增加50%。 　　
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2011年DRAM位元成長率上看50%

  • 　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。 　　三星電子201
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