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消息稱三星電子手機(jī)存儲(chǔ)芯片漲價(jià) 10~20％，客戶包括小米、OPPO等

  • 9 月 13 日消息，芯片行業(yè)分析師表示，盡管 PC 芯片的需求仍然疲軟，但內(nèi)存芯片市場(chǎng)現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)了復(fù)蘇的跡象，特別是在移動(dòng) DRAM 芯片領(lǐng)域。據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》，三星電子公司最近與其客戶（包括小米、OPPO 和谷歌）簽署了DRAM 和 NAND 芯片供應(yīng)協(xié)議，價(jià)格比其現(xiàn)有合同高出 10-20%。三星一位高管表示，該公司預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的供需平衡最早將在今年第四季度向供應(yīng)短缺傾斜。也就是說，三星認(rèn)為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng) Q4 可能就會(huì)出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。消息人士稱，這家芯片制造商還計(jì)劃以更高的價(jià)格向生產(chǎn) Ga
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存儲(chǔ)市場(chǎng)何時(shí)否極泰來？

因業(yè)務(wù)低迷，消息稱三星計(jì)劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)

  • IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國電子時(shí)報(bào)報(bào)道，為了克服低迷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)狀況，三星電子計(jì)劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個(gè)月。外媒表示，鑒于市場(chǎng)持續(xù)低迷，業(yè)界猜測(cè)三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會(huì)減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財(cái)報(bào)中也正式
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晶圓代工價(jià)格還有多大下降空間？

  • 2023 開年到現(xiàn)在，全球晶圓代工業(yè)不見了過去 3 年的光輝，走入了低谷，整體表現(xiàn)萎靡不振，特別是上半年，霸主臺(tái)積電的營收同樣下滑明顯，三星電子則更加慘淡。不過，進(jìn)入 6 月以來，持續(xù)的低迷狀態(tài)出現(xiàn)了一些變化，似乎有觸底反彈的跡象。那么，今年下半年，全球晶圓代工業(yè)是否會(huì)重回往日輝煌呢上半年表現(xiàn)根據(jù)市場(chǎng)研調(diào)機(jī)構(gòu) Susquehanna Financial Group 研究，芯片交期（從訂購到交付）在 2022 年 12 月縮短了 8 天，創(chuàng)下 2017 年以來最大月降幅，2022 年 12 月芯片交期平均約
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2nm制程之爭(zhēng)將全面打響，三家公司進(jìn)展如何？

  • 消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)疲軟、人工智能火熱的大環(huán)境下，晶圓制造廠商積極瞄準(zhǔn)高性能芯片，2nm先進(jìn)制程之爭(zhēng)愈演愈烈。2nm芯片能帶來什么？對(duì)傳統(tǒng)晶圓代工龍頭而言，2nm能帶來更高性能，滿足AI時(shí)代下業(yè)界對(duì)高性能半導(dǎo)體的需求。而對(duì)新興企業(yè)而言，2nm則可以提升半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)值，并助力其積極追趕龍頭企業(yè)。目前傳統(tǒng)龍頭企業(yè)臺(tái)積電、三星電子以及新興企業(yè)Rapidus正積極布局2nm芯片，2nm制程之爭(zhēng)將全面打響，這三家企業(yè)進(jìn)展如何？臺(tái)積電：3nm、2nm路線規(guī)劃曝光臺(tái)積電認(rèn)為，在相同功率下，2nm（N2）速度相比N3E提高1
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三星電子 4nm 工藝良率已提高至 75% 以上

  • IT之家 7 月 12 日消息，三星電子 4 納米工藝的良率目前已經(jīng)超過 75%，這引發(fā)了人們對(duì)于三星擴(kuò)大半導(dǎo)體代工客戶的猜測(cè)。7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報(bào)告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”，并提高了“高通和英偉達(dá)再次合作的可能性”。此前，三星電子代工廠曾經(jīng)歷過產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況，導(dǎo)致主要客戶紛紛轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。結(jié)果，去年臺(tái)積電的資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的
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芯片供過于求 三星電子上季獲利恐創(chuàng)14年新低

  • 路透社報(bào)導(dǎo)，金融研究機(jī)構(gòu)Refinitiv SmartEstimate匯整27名分析師預(yù)測(cè)，三星上季（4至6月）營業(yè)利潤恐從去年同期14.1兆韓元（新臺(tái)幣約3316億元）縮減至5550億韓元（新臺(tái)幣約131億元）。此次預(yù)測(cè)中，準(zhǔn)確率較高分析師所獲權(quán)重也較大。若分析師預(yù)測(cè)屬實(shí)，三星上季營利將創(chuàng)下2008年第4季以來新低，當(dāng)時(shí)三星合并營業(yè)虧損為7400億韓元。三星上季財(cái)報(bào)預(yù)期慘淡，原因在于內(nèi)存芯片價(jià)格出現(xiàn)進(jìn)一步下跌，庫存價(jià)值大幅銳減，導(dǎo)致以往扮演三星搖錢樹的芯片部門虧損恐高達(dá)3兆至4兆韓元。今年4至6月，廣泛
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三星電子在2023晶圓代工論壇上公布AI時(shí)代晶圓代工發(fā)展愿景

  • 今日，三星電子在2023年第7屆三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum, SFF）上宣布其最新的代工技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。本次論壇將以"突破界限的創(chuàng)新（Innovation Beyond Boundaries）"為主題，自今日起至第四季度分別在美國、韓國等地舉辦，并在中國舉行線上會(huì)議，旨在深入討論在人工智能時(shí)代，三星晶圓代工如何通過半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新滿足客戶需求這一使命。 三星電子總裁兼晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi博士"三星晶圓代工一直致力于推動(dòng)
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三星電子宣布12納米級(jí) DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

  • 今日，三星電子宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級(jí)DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場(chǎng)對(duì)大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

  • 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時(shí)，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強(qiáng)?平臺(tái)上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內(nèi)存擴(kuò)展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預(yù)計(jì)將加速下一代存儲(chǔ)解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達(dá)每秒35GB的帶寬。可擴(kuò)展內(nèi)存（Memory Expander）“作
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三星電子5納米工藝由安霸應(yīng)用于全新汽車AI域控制器芯片

  • 近日，三星電子與美國邊緣AI半導(dǎo)體公司安霸（Ambarella）聯(lián)合宣布，三星將為安霸提供5納米工藝，用于其新推出的CV3-AD685汽車AI域控制器系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）。此次合作有望令人工智能處理性能、功能和可靠性達(dá)到新的高度，從而為下一代自動(dòng)駕駛汽車安全系統(tǒng)帶來新的變革?；谌?納米工藝的安霸CV3-AD685汽車AI域控制器SoCCV3-AD685是安霸CV3-AD汽車AI域控制器系列的首個(gè)量產(chǎn)型號(hào)，同時(shí)，多家一級(jí)（Tier-1）汽車供應(yīng)商宣布他們將提供使用CV3-AD系列SoC的解決方案。三星第
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兩家存儲(chǔ)大廠最新財(cái)報(bào)示警，市場(chǎng)需求何時(shí)復(fù)蘇？

  • 進(jìn)入2023年，此前供過于求的存儲(chǔ)器現(xiàn)狀如何？未來市況是否將有好轉(zhuǎn)？近期，三星電子、美光科技兩家存儲(chǔ)大廠對(duì)外透露了答案。三星：存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)收益下降，看好下半年需求復(fù)蘇1月31日，三星電子公布第四季度和2022財(cái)年的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。截至2022年12月31日，三星第四季度合并收入為70.46萬億韓元，營業(yè)利潤為4.31萬億韓元。2022全年報(bào)告的年收入為302.23萬億韓元，營業(yè)利潤為43.38萬億韓元。三星表示，全球經(jīng)濟(jì)放緩導(dǎo)致需求疲軟，第四季度的商業(yè)環(huán)境顯著惡化。由于價(jià)格下跌和客戶不斷調(diào)整庫存，存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的收益
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三星電子獲得半導(dǎo)體產(chǎn)品碳足跡生命周期評(píng)估驗(yàn)證

  • 星電子今天宣布，關(guān)于其半導(dǎo)體產(chǎn)品碳足跡的生命周期評(píng)估（Life Cycle Assessment，簡(jiǎn)稱LCA）已被認(rèn)可，并獲得了全球獨(dú)立認(rèn)證機(jī)構(gòu)之一的DNV（DET NORSKE VERITAS）的驗(yàn)證。三星半導(dǎo)體生產(chǎn)線生命周期評(píng)估（LCA）是一種通過量化能源、材料和廢物排放量，用于綜合評(píng)估產(chǎn)品、工藝或服務(wù)的整個(gè)生命周期對(duì)環(huán)境影響的方法。具體來講，在半導(dǎo)體產(chǎn)品的碳足跡方面，三星的生命周期評(píng)估涵蓋了從原材料提取到芯片制造、組裝和測(cè)試的全過程，并且通過了ISO 14040, ISO 14044和ISO 1
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三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

  • 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級(jí)DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營的基礎(chǔ)。"AMD高級(jí)副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計(jì)算
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