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存儲大廠看好Q4需求回升

  • 近期，三星電子公布第三季財報，該季三星營收為67.40萬億韓元，盡管營收同比下降，但該公司凈利潤達5.5萬億韓元，超過此前預(yù)期的2.52萬億韓元。三星在10月31日舉行的財報電話會議上表示，受國際形勢變化、需求回升緩慢以及客戶庫存持續(xù)調(diào)整等因素影響，存儲芯片市場復(fù)蘇前景依然不確定，但公司正關(guān)注需求逐漸穩(wěn)定改善的初步跡象，其支撐因素包括消費者樂觀情緒復(fù)蘇、通貨膨脹緩解和大客戶發(fā)布新產(chǎn)品。同時，三星還指出，隨著年底促銷活動頻繁展開、大客戶發(fā)布更多新產(chǎn)品以及生成式人工智能需求強勁，公司看好第四季度存儲芯片需求回
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三星西安工廠工藝升級獲批，將引進236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

  • 據(jù)悉，三星電子經(jīng)營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導(dǎo)體設(shè)備，或?qū)⒂诮衲昴甑组_始引進新設(shè)備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設(shè)備，并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
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由于芯片虧損擴大，三星電子預(yù)計第三季度利潤將下降78%

  • 10 月 11 日消息，三星電子周三報告稱，第三季度營業(yè)利潤可能下降 78%，原因是全球芯片供應(yīng)過剩的持續(xù)影響導(dǎo)致這家韓國科技巨頭的搖錢樹業(yè)務(wù)出現(xiàn)虧損。這家全球最大的存儲芯片和智能手機制造商在一份簡短的初步收益聲明中預(yù)計，7 月至 9 月的營業(yè)利潤將從一年前的 10.85 萬億韓元降至 2.4 萬億韓元（IT之家備注：當前約 129.6 億元人民幣）。這跟此前一些分析師的預(yù)測基本相符，出于對經(jīng)濟衰退的擔憂，智能手機和個人電腦制造商一直在避免購買新的存儲芯片，而是選擇在幾個月內(nèi)耗盡現(xiàn)有庫存。分析師表示，他們
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消息稱三星電子手機存儲芯片漲價 10~20％，客戶包括小米、OPPO等

  • 9 月 13 日消息，芯片行業(yè)分析師表示，盡管 PC 芯片的需求仍然疲軟，但內(nèi)存芯片市場現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)了復(fù)蘇的跡象，特別是在移動 DRAM 芯片領(lǐng)域。據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》，三星電子公司最近與其客戶（包括小米、OPPO 和谷歌）簽署了DRAM 和 NAND 芯片供應(yīng)協(xié)議，價格比其現(xiàn)有合同高出 10-20%。三星一位高管表示，該公司預(yù)計存儲芯片市場的供需平衡最早將在今年第四季度向供應(yīng)短缺傾斜。也就是說，三星認為存儲芯片市場 Q4 可能就會出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。消息人士稱，這家芯片制造商還計劃以更高的價格向生產(chǎn) Ga
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存儲市場何時否極泰來？

因業(yè)務(wù)低迷，消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)

  • IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國電子時報報道，為了克服低迷的存儲器市場狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區(qū)主要負責生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個月。外媒表示，鑒于市場持續(xù)低迷，業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財報中也正式
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晶圓代工價格還有多大下降空間？

  • 2023 開年到現(xiàn)在，全球晶圓代工業(yè)不見了過去 3 年的光輝，走入了低谷，整體表現(xiàn)萎靡不振，特別是上半年，霸主臺積電的營收同樣下滑明顯，三星電子則更加慘淡。不過，進入 6 月以來，持續(xù)的低迷狀態(tài)出現(xiàn)了一些變化，似乎有觸底反彈的跡象。那么，今年下半年，全球晶圓代工業(yè)是否會重回往日輝煌呢上半年表現(xiàn)根據(jù)市場研調(diào)機構(gòu) Susquehanna Financial Group 研究，芯片交期（從訂購到交付）在 2022 年 12 月縮短了 8 天，創(chuàng)下 2017 年以來最大月降幅，2022 年 12 月芯片交期平均約
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2nm制程之爭將全面打響，三家公司進展如何？

  • 消費電子市場持續(xù)疲軟、人工智能火熱的大環(huán)境下，晶圓制造廠商積極瞄準高性能芯片，2nm先進制程之爭愈演愈烈。2nm芯片能帶來什么？對傳統(tǒng)晶圓代工龍頭而言，2nm能帶來更高性能，滿足AI時代下業(yè)界對高性能半導(dǎo)體的需求。而對新興企業(yè)而言，2nm則可以提升半導(dǎo)體產(chǎn)品價值，并助力其積極追趕龍頭企業(yè)。目前傳統(tǒng)龍頭企業(yè)臺積電、三星電子以及新興企業(yè)Rapidus正積極布局2nm芯片，2nm制程之爭將全面打響，這三家企業(yè)進展如何？臺積電：3nm、2nm路線規(guī)劃曝光臺積電認為，在相同功率下，2nm（N2）速度相比N3E提高1
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三星電子 4nm 工藝良率已提高至 75% 以上

  • IT之家 7 月 12 日消息，三星電子 4 納米工藝的良率目前已經(jīng)超過 75%，這引發(fā)了人們對于三星擴大半導(dǎo)體代工客戶的猜測。7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”，并提高了“高通和英偉達再次合作的可能性”。此前，三星電子代工廠曾經(jīng)歷過產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況，導(dǎo)致主要客戶紛紛轉(zhuǎn)向臺積電。結(jié)果，去年臺積電的資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的
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芯片供過于求 三星電子上季獲利恐創(chuàng)14年新低

  • 路透社報導(dǎo)，金融研究機構(gòu)Refinitiv SmartEstimate匯整27名分析師預(yù)測，三星上季（4至6月）營業(yè)利潤恐從去年同期14.1兆韓元（新臺幣約3316億元）縮減至5550億韓元（新臺幣約131億元）。此次預(yù)測中，準確率較高分析師所獲權(quán)重也較大。若分析師預(yù)測屬實，三星上季營利將創(chuàng)下2008年第4季以來新低，當時三星合并營業(yè)虧損為7400億韓元。三星上季財報預(yù)期慘淡，原因在于內(nèi)存芯片價格出現(xiàn)進一步下跌，庫存價值大幅銳減，導(dǎo)致以往扮演三星搖錢樹的芯片部門虧損恐高達3兆至4兆韓元。今年4至6月，廣泛
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三星電子在2023晶圓代工論壇上公布AI時代晶圓代工發(fā)展愿景

  • 今日，三星電子在2023年第7屆三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum, SFF）上宣布其最新的代工技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。本次論壇將以"突破界限的創(chuàng)新（Innovation Beyond Boundaries）"為主題，自今日起至第四季度分別在美國、韓國等地舉辦，并在中國舉行線上會議，旨在深入討論在人工智能時代，三星晶圓代工如何通過半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新滿足客戶需求這一使命。 三星電子總裁兼晶圓代工業(yè)務(wù)負責人Siyoung Choi博士"三星晶圓代工一直致力于推動
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三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

  • 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

  • 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強?平臺上取得了具有里程碑意義的進展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內(nèi)存擴展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預(yù)計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬?？蓴U展內(nèi)存（Memory Expander）“作
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三星電子5納米工藝由安霸應(yīng)用于全新汽車AI域控制器芯片

  • 近日，三星電子與美國邊緣AI半導(dǎo)體公司安霸（Ambarella）聯(lián)合宣布，三星將為安霸提供5納米工藝，用于其新推出的CV3-AD685汽車AI域控制器系統(tǒng)級芯片（SoC）。此次合作有望令人工智能處理性能、功能和可靠性達到新的高度，從而為下一代自動駕駛汽車安全系統(tǒng)帶來新的變革?；谌?納米工藝的安霸CV3-AD685汽車AI域控制器SoCCV3-AD685是安霸CV3-AD汽車AI域控制器系列的首個量產(chǎn)型號，同時，多家一級（Tier-1）汽車供應(yīng)商宣布他們將提供使用CV3-AD系列SoC的解決方案。三星第
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