首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand

一文看懂TSV技術

  • 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術，是實現3D先進封裝的關鍵技術之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個月，Santa Clara Universi
  • 關鍵字： 芯片  TSV  HBM  NAND  先進封裝  

市況好轉 內存廠Q3獲利嗨

  • NAND Flash現貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內存市況確立好轉，帶動內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀察第三季內存族群財報，內存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務數
  • 關鍵字： 內存  ?NAND Flash  DRAM  

2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司

  • 在本次展會上，東芯半導體也來到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷售，是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導體副總經理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會上帶來了全線的產品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
  • 關鍵字： 東芯半導體  NAND  NOR  DRAM  存儲  

SK 海力士

  • 韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經歷了又一個利潤率和收入下降的季度后，表現得很勇敢，強調了需求的逐步恢復，以及在今年早些時候削減資本支出后，計劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財報電話會議上，首席財務官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長，降低了銷售額的下降率。然而旗艦智能手機的發(fā)布和人工智能服務器部署的激增推動了芯片需求。"我們相信，內存行業(yè)終于度過了嚴重的低迷期，正在進入全面復蘇階段"。Kim指出，該公司的目標是通過考慮投資效率和
  • 關鍵字： SK海力士  韓國  NAND  

預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲

  • 據TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現均較其他DRAM產品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
  • 關鍵字： Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  

NAND閃存市場，開始洗牌

  • 最近，鎧俠和西部數據的合并已經傳來消息，或將于本月達成合并協(xié)議。當初，業(yè)內聽到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領域世界排名第二、西部數據排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動存儲市場。具體來看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數據這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數量的股份后，西部數據將保留 50.1% 的資產，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
  • 關鍵字： NAND  

傳三星計劃2024年將量產第九代V-NAND閃存

  • 近日，據媒體報道，三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱，三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的產品，希望明年初可以實現量產。三星正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發(fā)。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
  • 關鍵字： 三星  第九代  V-NAND  閃存  

三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠

  • 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。據外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。報道中稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產236層NAND的設備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其他許可。據了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產量的40%。
  • 關鍵字： 三星  NAND  西安  

三星西安工廠工藝升級獲批，將引進236層NAND芯片生產設備

  • 據悉，三星電子經營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導體設備，或將于今年年底開始引進新設備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內存芯片生產基地，2014 年開始投產，經 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產基地，占三星電子 NAND 芯片總產量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內部署生產 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉換。2022 年 1
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  

第四季NAND Flash合約價季漲幅預估8~13%

  • 據TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應商嚴格控制產出，NAND Flash第四季合約價全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產策略，且服務器領域對Enterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價，促使PC OEM欲在價格相對低點預備庫存，采購量會較實際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價格沒有
  • 關鍵字： NAND Flash  TrendForce  

三星、SK海力士拿到無限期豁免權

  • 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備，該決定一經通報即生效。據悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  NAND  DRAM  半導體設備  

存儲芯片，果真回暖了

  • 受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
  • 關鍵字： NAND  SSD  DRAM  

1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進技術競賽仍在繼續(xù)

  • 盡管由于經濟逆風、高通貨膨脹影響，存儲產業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進技術的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產1β DRAM之后，計劃于2025年量產1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產，未來日本廠也有望導入EUV
  • 關鍵字： DRAM  NAND  存儲  

消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格

  •  10 月 6 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產戰(zhàn)略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產量大幅下降了 40%，最初的減產舉措主要集中在 DRAM 領域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務產量，眼下正試圖推動
  • 關鍵字： 三星  NAND  flash  漲價  

面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

  • 面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務，并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內需求的產品。關于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來10年內避免在中國進行實質性產能擴張。商務部的新聞稿顯示，補貼接受者在
  • 關鍵字： CHIPS法案  韓國半導體  DRAM  NAND  
共1110條 4/74 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 » ›|
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473