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Nexperia公布2021年營收數(shù)據(jù)

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日公布2021年財務(wù)業(yè)績，數(shù)據(jù)顯示公司在所有領(lǐng)域均實現(xiàn)強勁增長。這家半導(dǎo)體制造公司專門供應(yīng)分立器件、功率器件和邏輯IC，2021年總營收同比增長49%，達到21.4億美元。這意味著Nexperia的業(yè)績表現(xiàn)優(yōu)于整個半導(dǎo)體市場，公司市場份額得以提高1%，達到9.4%。 過去五年，Nexperia的制造能力不斷提升，目前已經(jīng)處于行業(yè)前沿，完全符合汽車行業(yè)的最高標(biāo)準(zhǔn)，且能提供全面的產(chǎn)品組合。Nexperia首席財務(wù)官Stefan Tilger表示：“我們公司自
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Nexperia繼續(xù)擴充采用小型DFN封裝、配有側(cè)邊可濕焊盤的分立器件產(chǎn)品

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無引腳DFN封裝，配有側(cè)邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅固耐用，節(jié)省空間，有助于滿足下一代智能電動汽車的應(yīng)用需求。Nexperia的所有產(chǎn)品系列都符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，包括： ·       采用DFN1110D-3封裝的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列45V 500mA NPN/NPN通用三極管。· &nbs
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Nexperia正式啟動全新達拉斯設(shè)計中心

  • Nexperia近日宣布，其位于德州達拉斯的全新設(shè)計中心正式啟動。值此成為獨立實體五周年之際，這一舉措標(biāo)志Nexperia朝著2030年成為全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)的既定目標(biāo)又邁出了重要的一步。達拉斯設(shè)計中心是Nexperia在北美地區(qū)設(shè)立的第一家研發(fā)機構(gòu)，專注于開發(fā)模擬信號轉(zhuǎn)換和電源管理IC。新研發(fā)中心由Nexperia電源和信號轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Irene Deng領(lǐng)導(dǎo)，她表示：“達拉斯設(shè)計中心代表了公司的一個關(guān)鍵里程碑，一方面是因為它體現(xiàn)了Nexperia在北美推進研究工作的決心，另一方面它還將助力N
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Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進模型中加入了反向二極管恢復(fù)時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真，并在原型設(shè)計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源，工程師此
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Nexperia迎來獨立公司成立五周年慶典，未來將繼續(xù)大展宏圖

  • Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨立實體進入半導(dǎo)體行業(yè)五周年。Nexperia仍是一個較為年輕的品牌，但憑借過去幾十年在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域樹立的良好口碑和強勁表現(xiàn)，經(jīng)過五個春秋的不懈努力，已經(jīng)在市場站穩(wěn)腳跟。 回望2017年成立之初，Nexperia秉持滿懷激情和專業(yè)精深的精神積極打造創(chuàng)新產(chǎn)品，既滿足了客戶需求，也實現(xiàn)了與客戶的共同成長。  五年來，Nexperia展現(xiàn)了種種前瞻性理念和業(yè)績增長，推出引領(lǐng)市場的產(chǎn)品，實現(xiàn)業(yè)界先進水平的產(chǎn)能開發(fā)，可在持續(xù)滿足嚴苛的車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)
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Nexperia50μA齊納二極管可延長電池續(xù)航時間，節(jié)省PCB空間

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩(wěn)壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼(SMD)封裝選項，采用超小型分立式扁平無引腳(DFN)封裝以及符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件，為客戶提供了更多選擇和靈活性。這些高效率二極管采用在低測試電流(50μA)下的性能工作，非常適合移動、可穿戴、汽車和工業(yè)應(yīng)用中的低偏置電流和便攜式電池供電設(shè)備。 Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Paula Stümer表示：“DFN1006BD-2封裝器件配有可濕錫焊接側(cè)側(cè)邊可濕錫
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Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管，可提供高精度基準(zhǔn)電壓

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天宣布推出業(yè)內(nèi)首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準(zhǔn)電壓。這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應(yīng)用、汽車和工業(yè)應(yīng)用的需求及監(jiān)管要求，也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。 “Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應(yīng)用，提供高精度、低容差基準(zhǔn)電壓
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia表面貼裝器件通過汽車應(yīng)用的板級可靠性要求

  •  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布，公司研發(fā)的表面貼裝器件-銅夾片F(xiàn)latPower封裝CFP15B首次通過領(lǐng)先的一級供應(yīng)商針對汽車應(yīng)用的板級可靠性 (BLR)測試。該封裝將首先應(yīng)用于發(fā)動機控制單元。 BLR是一種評估半導(dǎo)體封裝堅固性和可靠性的方法。測試遵循極為嚴格的程序，在十分注重安全性和可靠性的汽車應(yīng)用中具有重要的指導(dǎo)意義。隨著汽車行業(yè)向電動和車聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)型，車載電子系統(tǒng)越來越復(fù)雜，因此該認證至關(guān)重要。 Nexperia雙極性功率分立器件產(chǎn)品經(jīng)理Guido S?h
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Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’，這是其第二次舉辦此年度虛擬會議。鑒于去年首屆活動取得圓滿成功，本屆為期三天的活動將擴大規(guī)模，涵蓋與功率電子元件相關(guān)的眾多主題，包括面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。 會議重點將包括：l MOSFET全電熱模型Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預(yù)覽，該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動態(tài)特性，并降低在設(shè)計過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風(fēng)險。 l
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Nexperia再度蟬聯(lián)博世全球供應(yīng)商大獎

  •  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia非常榮幸地宣布，公司榮獲博世全球供應(yīng)商榮譽大獎“采購直接材料 - 移動解決方案”。連續(xù)兩次獲得這一殊榮足以證明Nexperia與全球領(lǐng)先的技術(shù)和服務(wù)供應(yīng)商博世已建立長期協(xié)作關(guān)系，包括合作進行早期階段的產(chǎn)品開發(fā)，以應(yīng)對汽車行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。 博世供應(yīng)鏈管理主管Arne Flemming博士表示：“博世全球供應(yīng)商大獎旨在表彰全球各地的最佳供應(yīng)商。作為開發(fā)和創(chuàng)新領(lǐng)域的合作伙伴，他們在幫助博世保持競爭力方面發(fā)揮了重要作用?！?每隔兩年，博世會從全球各地的供應(yīng)商中挑
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適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET

  • 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本。基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設(shè)備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場景。通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時需要犧牲相同設(shè)計中其他較不重要的參數(shù)，以實現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
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Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝，為汽車和工業(yè)應(yīng)用提供高可靠性

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴大了具有散熱和電氣優(yōu)勢的DPAK封裝的產(chǎn)品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應(yīng)用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著顯著優(yōu)勢。新的MJD系列雙極性晶體管滿足AEC-Q101汽車級器件和工業(yè)級器件標(biāo)準(zhǔn)，額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD4
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獨立半導(dǎo)體設(shè)備制造商ITEC借助高生產(chǎn)率的芯片組裝系統(tǒng)緩解半導(dǎo)體短缺問題

  • 由飛利浦（現(xiàn)為Nexperia）于1991年創(chuàng)立的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ITEC，今日宣布成為獨立實體。ITEC仍然是Nexperia集團的一部分。通過此舉，ITEC能夠及時解決第三方市場的問題，滿足對半導(dǎo)體的噴井式需求。ITEC致力為全球半導(dǎo)體制造商提供經(jīng)久耐用的創(chuàng)新性制造解決方案。 ITEC一直處于半導(dǎo)體生產(chǎn)的前沿。總經(jīng)理Marcel Vugts表示：“ITEC扎根于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，作為飛利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴，我們將30多年來的自動化專業(yè)知識與最先進的設(shè)備結(jié)合起來。ITEC致力于將最新的
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Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán)，正式更名為Nexperia Newport

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現(xiàn)宏偉的增長目標(biāo)和投資，進一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導(dǎo)體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權(quán)。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位，引領(lǐng)新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
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