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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 三菱電機(jī)

第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層

  • 柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過(guò)與Si類似的熱氧化過(guò)程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過(guò)程需要很長(zhǎng)時(shí)間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入

  • 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過(guò)離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文?jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小，因此無(wú)法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在SiC中進(jìn)行離子注入時(shí)，對(duì)于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對(duì)于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進(jìn)行高濃度的Al離子注入，需
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更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊

  • 摘要本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過(guò)可以控制載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開(kāi)通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%，通過(guò)大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過(guò)采用這些技術(shù)并擴(kuò)大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機(jī)LV100封裝中實(shí)現(xiàn)了1800
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第4講：SiC的物理特性

  • 與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯，比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見(jiàn)表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢(shì)。此外，由
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第5講：SiC的晶體缺陷

  • SiC晶體中存在各種缺陷，對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會(huì)影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(cuò)（SF）、以及刃位錯(cuò)（TED）、螺旋位錯(cuò)（TSD）、基面位錯(cuò)（BPD）和這些復(fù)合體的混合位錯(cuò)。就密度而言，最近質(zhì)量相對(duì)較好的SiC晶體中，微管是1?10個(gè)/cm2，位錯(cuò)的密度約為103～10?長(zhǎng)達(dá)個(gè)/cm2。至今，與Si相
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第2講：三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史

  • 三菱電機(jī)從事SiC器件開(kāi)發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史，從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化，從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓，三菱電機(jī)一直致力于開(kāi)發(fā)和應(yīng)用高性能、高可靠性且高性價(jià)比的SiC器件，本篇章帶你了解三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史。三菱電機(jī)從上世紀(jì)90年代已經(jīng)開(kāi)始啟動(dòng)SiC相關(guān)的研發(fā)工作。最初階段，SiC晶體的品質(zhì)并不理想，適合SiC的器件結(jié)構(gòu)和制造工藝仍處于探索階段，但研發(fā)人員堅(jiān)信SiC MOSFET是能夠最大限度發(fā)揮SiC材料優(yōu)異物理性能的器件，因此一直致力于相關(guān)研發(fā)。三菱電機(jī)于2003年開(kāi)發(fā)出耐壓2
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三菱電機(jī)將與安世攜手開(kāi)發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

  • 11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn)，預(yù)計(jì)最早將于2023年內(nèi)開(kāi)始供應(yīng)。公開(kāi)消息顯示，安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭，目前是中國(guó)聞泰科技的子公司。11月初，安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購(gòu)的英國(guó)NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司，三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點(diǎn)不同，前者以“多個(gè)離散元件組合
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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

  • Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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三菱電機(jī)和Nexperia合作開(kāi)發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

  • 三菱電機(jī)將與Nexperia（安世）合力開(kāi)發(fā)SiC芯片，通過(guò)SiC功率模塊來(lái)積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。東京--(美國(guó)商業(yè)資訊)--三菱電機(jī)株式會(huì)社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開(kāi)發(fā)SiC分離器件。電動(dòng)汽車市場(chǎng)正在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大，并有助于推動(dòng)Si
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Denso和三菱電機(jī)10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務(wù)

  • Denso和三菱電機(jī)宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司。據(jù)外媒，日本電裝株式會(huì)社(Denso)和三菱電機(jī)宣布，將分別投資5億美元，入股美國(guó)半導(dǎo)體材料、網(wǎng)絡(luò)及激光供應(yīng)商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權(quán)（兩家日企合計(jì)取得25%股權(quán)）。據(jù)悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來(lái)設(shè)立的SiC業(yè)務(wù)子公司。Denso與三菱電機(jī)將向該公司采購(gòu)
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三菱電機(jī)和Coherent宣布合作，瞄準(zhǔn)8英寸SiC襯底

  • 近日，美國(guó)激光技術(shù)與加工系統(tǒng)供應(yīng)商Coherent和三菱電機(jī)宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄 （MOU）并達(dá)成項(xiàng)目合作，將在200毫米技術(shù)平臺(tái)上擴(kuò)大SiC電力電子產(chǎn)品的規(guī)模化生產(chǎn)。三菱電機(jī)宣布在截至2026年3月的五年內(nèi)投資約2600億日元。其中，大約1000億日元將用于建設(shè)基于200mm技術(shù)平臺(tái)的SiC功率器件新工廠，并加強(qiáng)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備。根據(jù)諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機(jī)未來(lái)在新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件開(kāi)發(fā)200毫米n型4H SiC襯底。資料顯示，Coherent于1966年成立于美國(guó)加利福尼亞
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1800億只 三菱電機(jī)成就半導(dǎo)體行業(yè)“專精特新”

  • 1800億只，是寧波康強(qiáng)電子股份有限公司沖壓引線框架的年產(chǎn)能。從1992年開(kāi)始，康強(qiáng)電子深耕半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域，以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)，穿越行業(yè)周期，不斷發(fā)展壯大。其三大業(yè)務(wù)領(lǐng)域引線框架、鍵合絲與電極絲均為國(guó)內(nèi)翹楚，其中引線框架產(chǎn)銷量在國(guó)內(nèi)同行中連續(xù)數(shù)年排名第一，全球市場(chǎng)占有率位居前七，榮獲“中國(guó)半導(dǎo)體材料十強(qiáng)企業(yè)”“中國(guó)電子材料50強(qiáng)企業(yè)”等榮譽(yù)稱號(hào)。2022年10月，國(guó)家級(jí)第四批專精特新“小巨人”企業(yè)的認(rèn)定，不僅堅(jiān)定了康強(qiáng)電子在這一細(xì)分領(lǐng)域的發(fā)展信心，更為三菱電機(jī)謀劃未來(lái)打開(kāi)了新的機(jī)遇之窗?？蛻敉袋c(diǎn)：精益求
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三菱電機(jī)推出“SLIMDIP-Z”功率半導(dǎo)體模塊

  • 三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半導(dǎo)體模塊將于2023年2月發(fā)布，該模塊具有30A的高額定電流，主要應(yīng)用于家用電器逆變器系統(tǒng)。該緊湊型模塊將使SLIMDIP?系列能夠滿足逆變器單元更廣泛的功率和尺寸需求，有助于簡(jiǎn)化和縮小空調(diào)、洗衣機(jī)和冰箱等多功能和復(fù)雜產(chǎn)品的體積。30A的高額定電流將助力簡(jiǎn)化和縮小家電應(yīng)用中的逆變器系統(tǒng)三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半導(dǎo)體模塊將于2023年2月發(fā)布，該模塊具有30A的高額定電流，主要應(yīng)用于家用電器逆變器系統(tǒng)。該緊湊型模塊將使SLIMDI
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三菱電機(jī)宣布退出液晶面板生產(chǎn)業(yè)務(wù)

  • 　　據(jù)三菱電機(jī)官網(wǎng)消息，該公司決定退出液晶面板生產(chǎn)，其全資子公司Melco Display Technology Inc。（MDTI） 將于2022年6月結(jié)束TFT-LCD模組生產(chǎn)。圖源：鉅亨網(wǎng)　　官網(wǎng)顯示，MDTI于2002年4月成立，公司預(yù)定以法人身份進(jìn)行清算，在該公司工作的約 430 名員工，也將異動(dòng)至動(dòng)力半導(dǎo)體等部門(mén)。不過(guò)該公司位于日本熊本縣菊池市的工廠，目前還尚未決定如何處置?！　?jù)悉，三菱電機(jī)的LCD業(yè)務(wù)目前主要集中于工業(yè)和汽車用中小
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三菱電機(jī)研發(fā)激光雷達(dá)解決方案 助力自動(dòng)駕駛安全可靠

  • 近日，據(jù)外媒報(bào)道，日本三菱電機(jī)公司宣布已開(kāi)發(fā)出一種緊湊的LiDAR（激光雷達(dá)）解決方案，據(jù)稱，該解決方案集成了微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS），實(shí)現(xiàn)了超寬的水平掃描角度，可以準(zhǔn)確探測(cè)自動(dòng)駕駛系統(tǒng)前方物體的形狀和距離。
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三菱電機(jī)介紹

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