如圖A所示是由CMOS與非門(mén)組成的多諧振蕩器電路。它由兩個(gè)反相器，一個(gè)電阻和一個(gè)電容器構(gòu)成。圖B是它的波形。圖中當(dāng)波形（1）在反相器F2輸出正跳變時(shí)，電容器C立即使F1輸入為“1”，而輸出為“0”。電阻R為電容器C對(duì)...
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與非門(mén)組成自激多諧振蕩器電路圖（一）

用奇數(shù)個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的自激多諧振蕩器的頻率是很高的，如用TTL與非門(mén)構(gòu)成的振蕩器頻率可達(dá)8MHZ左右。因此，直接用它來(lái)實(shí)現(xiàn)較低頻率的振蕩是不現(xiàn)實(shí)的，但增加RC電路，組成帶RC的環(huán)形振蕩器，則是可以的。RC用來(lái)定時(shí)，三個(gè)與非門(mén)組...
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與非門(mén)組成自激多諧振蕩器電路圖（二）

圖中所示是用TTL與非門(mén)組成的又一種自激多諧振蕩器。其振蕩過(guò)程與上例基本一致，但圖中沒(méi)有加接整形的與非門(mén)。圖中所示線路的振蕩頻率調(diào)節(jié)范圍較寬，R1可以從零到1.5千歐，R2約200歐到400歐。表中所列為R2=330歐，改變R1和C...
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與非門(mén)組成壓控振蕩器電路圖

圖是用CMOS與非門(mén)組成的壓控振蕩器電路。圖示線路類似圖C的電路，C由可調(diào)的CX代替，R由用VA調(diào)節(jié)的NMOS管代替。R變化范圍為1~10千歐，其最小值由被并聯(lián)的R1（10千歐）和NMOS管所決定。NMOS管一般從...
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與非門(mén)組成可控振蕩器電路圖

在圖1的基礎(chǔ)上，在與非門(mén)F1的一個(gè)輸入端接一個(gè)控制電平，即可組成可控振蕩器，如圖2所示。圖中可控制電平為“1”時(shí)，振蕩器工作，輸出矩形波；當(dāng)控制電平為“0”時(shí)，振蕩器停振，輸出停留在低電平，即沒(méi)有振蕩信號(hào)輸出。圖1...
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與非門(mén)組成倍頻電路圖

如圖所示是由與非門(mén)組成的倍頻電路，實(shí)際上是一個(gè)微分型的單穩(wěn)態(tài)電路。穩(wěn)態(tài)時(shí)，適當(dāng)選擇R、R1，使F2和F3均輸出高電平，當(dāng)輸入一個(gè)負(fù)脈沖時(shí)F4便輸出一個(gè)相同寬度的正脈沖，與此同時(shí)，單穩(wěn)態(tài)電路輸出一個(gè)較寬的負(fù)脈沖，這樣，在輸入端...
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與非門(mén)介紹

DTL與非門(mén)電路: 常將二極管與門(mén)和或門(mén)與三極管非門(mén)組合起來(lái)組成與非門(mén)和或非門(mén)電路，以消除在串接時(shí)產(chǎn)生的電平偏離，并提高帶負(fù)載能力。圖2.1.5所示就是由三輸入端的二極管與門(mén)和三極管非門(mén)組合而成的與非門(mén)電路。其中，作了兩處必要的修正：（1）一將電阻Rb換成兩個(gè)二極管D4、D5，作用是提高輸入低電平的抗干擾能力，即當(dāng)輸入低電平有波動(dòng)時(shí)，保證三極管可靠截止，以輸出高電平。（ [ 查看詳細(xì) ]