中低端突破 文章 進(jìn)入中低端突破技術(shù)社區(qū)

國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)中低端突破

• 　近年來，我國半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)不斷開拓創(chuàng)新，為國內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展添磚加瓦，尤其是北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司和北京中科信電子裝備有限公司成功研制出100納米半導(dǎo)體設(shè)備，并順利進(jìn)入中芯國際生產(chǎn)線，再次印證了唯有創(chuàng)新才是半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)發(fā)展的根本。 　　半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)需要?jiǎng)?chuàng)新 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遵循“摩爾定律”，其顯著的特點(diǎn)就是更新?lián)Q代快，因此對其進(jìn)行支撐的設(shè)備制造業(yè)更需要加快研究進(jìn)程來滿足它。 　　北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司微電子設(shè)備分公司總經(jīng)理盛金龍?jiān)诮邮堋吨袊娮訄?bào)》記者采訪時(shí)表示，半導(dǎo)體
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