電磁干擾 （EMI） 是我們生活的一部分。隨著時間的推移，有意和無意的 EMI 輻射源的大量產(chǎn)生會對電路造成嚴重的破 ...
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TI EMI 介質(zhì) 干擾電路
隨著社會對安全防范要求的日益增高，監(jiān)控光端機已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用在了智能小區(qū)、廠礦監(jiān)控、城市安防、銀行聯(lián)網(wǎng)、道路交通卡口、電子警察和高速公路收費等各行業(yè)的監(jiān)控系統(tǒng)中。它保證了傳輸?shù)膶崟r性、安全性，并且傳輸
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特性 簡介 及其 介質(zhì) 光端機 傳輸 監(jiān)控
在眾多的封裝技術(shù)中,低溫共燒陶瓷LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)技術(shù)成為了國際研究的焦點,因為利用LTCC技術(shù)制備的產(chǎn)品不僅能具備高電流密度、小體積,而且還具備高可靠性和優(yōu)良的電性能、傳輸特性及密封性。
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低溫共燒陶瓷 材料簡介 介質(zhì)
摘要 逆變電路在等離子(水介質(zhì))切焊機中具有重要作用。通過逆變電路的整流和穩(wěn)流，實現(xiàn)可調(diào)整的、穩(wěn)定的功率輸出是研制的重點。實際測試表明，本電路能使等離子水介質(zhì)切焊機穩(wěn)定持續(xù)地工作。
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電路 研制 逆變 焊機 介質(zhì) 等離子
電磁干擾 (EMI) 是我們生活的一部分。隨著時間的推移，有意和無意的 EMI 輻射源的大量產(chǎn)生會對電路造成嚴重的破壞。這些輻射源的信號并非一定會污染電路，但我們的目的就是要讓低噪聲系統(tǒng)遠離這些危害。我們可以設(shè)想
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干擾 電路 介質(zhì) 通過 如何 EMI
1 引 言介質(zhì)阻擋放電電路是一種非線性容性負載 ，在設(shè)計其供電電源時，考慮到容性負載的特殊性，為提高電源的效率，在負載回路中串接了串聯(lián)補償電感，使其與負載構(gòu)成串聯(lián)諧振回路。隨著電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展以及介
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電路 分析 放電 阻擋 供電 介質(zhì) 電流
電解質(zhì)溫度是電解過程中的重要參數(shù)，目前仍主要采用熱電偶測量。由于電解質(zhì)是強腐蝕介質(zhì)，為避免與介質(zhì)接觸的腐蝕，雖然研制過一些帶特殊保護套的熱電偶，但由于測量誤差太大而未能在實踐中得到推廣應(yīng)用；基于最小二
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測量 應(yīng)用 動態(tài) 溫度 介質(zhì) 腐蝕性
摘要：利用負阻原理設(shè)計了5．9 GHz介質(zhì)振蕩器(DRO)，采用HFSS軟件對介質(zhì)諧振塊(DR)進行三維仿真，應(yīng)用Agilent公司的ADS軟件對DRO進行了優(yōu)化設(shè)計和非線性分析，用該方法制作的并聯(lián)反饋式DRO性能良好，輸出功率為10 dB
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設(shè)計 研究 振蕩器 介質(zhì) 波段
自從第一臺PLC在GM公司汽車生產(chǎn)線上首次應(yīng)用成功以來，PLC憑借其方便性、可靠性以及低廉的價格得到了廣泛的應(yīng)用。但PLC畢竟是一個黑盒子，不能實時直觀地觀察控制過程，與DCS相比存在比較大的差距。計算機技術(shù)的發(fā)展
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協(xié)議 介紹 介質(zhì) 通訊 PLC 各種
引言 介質(zhì)阻擋放電(DBD)最早起源于對臭氧發(fā)生及其應(yīng)用技術(shù)的研究。近二十多年來，由于工業(yè)等離子體化學(xué)合成與分解、環(huán)境污染治理等方面的需求，同時又由于材料科學(xué)和電力電子技術(shù)等相關(guān)學(xué)科也取得了較大的發(fā)展
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諧振 電源 串聯(lián) 等離子體 阻擋 介質(zhì)
磁卡的磁記錄介質(zhì)卡片, 磁卡是一種磁記錄介質(zhì)卡片。它由高強度、耐高溫的塑料或紙質(zhì)涂覆塑料制成能防潮、耐磨且有一定的柔韌性，攜帶方便、使用較為穩(wěn)定可靠。通常，磁卡的一面印刷有說明提示性信息，如插卡方向；另一面則有磁層或磁條，
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卡片 介質(zhì) 磁記錄 磁卡
1 工作原理
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影音 系統(tǒng) 車載 新型 介質(zhì) 移動
0 引言
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金屬 介質(zhì) 方法
用左手材料設(shè)計一種寬頻帶并且電尺寸小的微帶天線，先用開口諧振環(huán)和金屬桿設(shè)計出左手材料，并把它放在微帶天線的基板中，利用左手材料的相位補償特性實現(xiàn)了寬帶微帶天線的小型化設(shè)計。數(shù)值仿真結(jié)果表明，工作于10．5GHz時，加載了左手材料的微帶天線的物理尺寸被大大減小了，天線尺寸從下降到0．21λ，突破了傳統(tǒng)微帶天線的半波長限制，并且相對帶寬增加了5．31％，實現(xiàn)了微帶天線的小型化設(shè)計。
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介質(zhì) 微帶天線
C-V測量是測定MOS器件特性的主要方法，它廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的研究中。C-V測量時常常在SiO2中觀察到有害的頻率離散。用于校正測量誤差數(shù)據(jù)的一些分析公式和模型已得到充分研究。著重于消除串聯(lián)電阻、氧化物漏電、
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介質(zhì) 頻率 離散
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