低噪聲放大器(lna) 文章 進(jìn)入低噪聲放大器(lna)技術(shù)社區(qū)
瑞薩電子擴(kuò)展射頻產(chǎn)品組合,覆蓋宏基站完整信號鏈
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)近日宣布,推出四款全新高可靠性、高性能產(chǎn)品,以加強(qiáng)其傳統(tǒng)宏基站(BTS)射頻產(chǎn)品組合,為客戶帶來完整射頻信號鏈解決方案。此次擴(kuò)展包括業(yè)界首款四通道F4482/1 TX可變增益放大器(VGA)和F011x系列雙通道一級低噪聲放大器(LNA)。新系列產(chǎn)品還包括F1471 RF驅(qū)動放大器——首款P1dB超過1/2W的大功率前置驅(qū)動器,以及采用更小的封裝、具有更高隔離度、適用于DPD反饋路徑的F2934 RF開關(guān)。擴(kuò)展后的產(chǎn)品組合可提供5G宏基站系統(tǒng)所需的高性能、高可靠性、靈活
Teledyne e2v的四通道ADC為5G NR ATE和現(xiàn)場測試系統(tǒng)的自動校準(zhǔn)測試測量帶來重大變革
- 無線技術(shù)在過去的20年里快速從3G發(fā)展到4G,現(xiàn)在已到了5G的時代。有一個技術(shù)問題一直貫穿這一發(fā)展的過程,即高頻器件的自動校準(zhǔn)測試。 RF ATE和現(xiàn)場測試系統(tǒng)面臨的最困難的挑戰(zhàn)是校準(zhǔn)、可重復(fù)性和測試結(jié)果的關(guān)聯(lián)度。未來的無線技術(shù)的發(fā)展需要5G NR器件。Teledyne e2v的四通道多輸入端口ADC利用非并行片上高頻交叉點開關(guān)輸入電路技術(shù),使用戶可在RF ATE和/或現(xiàn)場測試環(huán)境中使用自動校準(zhǔn)和測量技術(shù)。
- 關(guān)鍵字: RF 5G LNA CPS ADC CPS
無線設(shè)計中LNA和PA的基本原理
- 對性能、小型化和更高頻率的需求,正挑戰(zhàn)無線系統(tǒng)中兩個關(guān)鍵天線連接元器件的限制:功率放大器(PA) 和低噪聲放大器(LNA)。5G的發(fā)展以及PA 和LNA 在微波無線電鏈路、VSAT(衛(wèi)星通信系統(tǒng))和相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中的使用正促成這種轉(zhuǎn)變。這些應(yīng)用的要求包括較低噪聲(對于LNA)和較高能效(對于PA)以及在高達(dá)或高于10 GHz 的較高頻率下的運(yùn)行。為了滿足這些日益增長的需求,LNA 和PA 制造商正在從傳統(tǒng)的全硅工藝轉(zhuǎn)向用于LNA 的砷化鎵(GaAs) 和用于PA 的氮化鎵(GaN)。本文將介紹LNA 和P
- 關(guān)鍵字: LNA PA
加速LTE-A/5G設(shè)計 射頻LNA/PA需求爆發(fā)
- 射頻(RF)元件需求急速增長。先進(jìn)長程演進(jìn)計劃(LTE-Advanced, LTE-A)商轉(zhuǎn)啟動,下一代5G標(biāo)準(zhǔn)亦蓄勢待發(fā),驅(qū)動行動裝置射頻系統(tǒng)規(guī)格升級。系統(tǒng)廠為支援100MHz超大頻寬、四十個以上頻段并降低雜訊干擾,除計劃增加低雜訊放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射頻元件用量外,亦將要求射頻前端模組(FAM)提高功能整合度,吸引晶片商加緊展開卡位。?英飛凌(Infineon)電源管理及多元電子事業(yè)處射頻暨保護(hù)元件協(xié)理麥正奇表示,隨著多頻多模LTE及LTE-A設(shè)計加溫,手機(jī)廠對FAM各類元
- 關(guān)鍵字: LNA/PA
基于ADS的C波段的低噪聲放大器仿真設(shè)計研究
- 低噪聲放大器是接收機(jī)中最重要的模塊之一,文中采用了低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、PHEMT技術(shù)設(shè)計的ATF35176晶體管,設(shè)計了一種應(yīng)用于5.5~6.5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益,該電路采用三級級聯(lián)放大結(jié)構(gòu)形式,并通過ADS軟件對電路的增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進(jìn)行了研究設(shè)計,最終得到LNA在該頻段內(nèi)增益大于32.8 dB,噪聲小于1.5 dB,輸入輸出駐波比小于2,達(dá)到設(shè)計指標(biāo)。
- 關(guān)鍵字: 低噪聲放大器 ADS PHEMT 負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò) 匹配電路
RF放大器輸出限制介紹
- 對于任何應(yīng)用中的放大器,輸出電壓的擺動范圍以及可供給負(fù)載的電流量都有一個限制。這些限制基本上由裝置電源電壓、輸出級架構(gòu)和工藝技術(shù)限制設(shè)置。大多數(shù)線性放大器包括一個闡述支持的最大和最小輸出電壓和最大電流的規(guī)范。 對于諸如低噪聲放大器(LNA)、射頻功率放大器(PA)和射頻增益模塊等射頻導(dǎo)向型放大器而言,輸出擺幅限制通常以1dB增益壓縮點表示。隨著線性和射頻放大器的速度在諸如LMH6401增益放大器的現(xiàn)代高速放大器中彼此接近,了解這兩種規(guī)范之間的關(guān)聯(lián),以及他們反映裝置性能的方式很重要。 我們首
- 關(guān)鍵字: RF放大器 LNA
三星Galaxy S7和Galaxy A智能手機(jī)選用英飛凌安全與射頻元件
- 智能手機(jī)制造商要使其產(chǎn)品在競爭激烈的市場上脫穎而出,就必須在安全性或性能上做足文章,而三星同時選擇了二者。全球市場領(lǐng)袖三星利用來自英飛凌科技股份公司的安全與RF(射頻)元件打造全新三星Galaxy S7和Galaxy A手機(jī)?! 〉驮敕糯笃?LNA)、天線調(diào)諧器,以及可提高數(shù)據(jù)速率和降低功耗的射頻開關(guān),能為智能手機(jī)用戶帶來切實的利益。與此同時,嵌入式安全模塊(eSE)可以保護(hù)移動設(shè)備中受到安全威脅的那些功能。它們支持安全地傳輸用于非接觸支付的敏感付款憑證,實現(xiàn)方便的用戶生物識別和移
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 LNA
低噪聲放大器(lna)介紹
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