首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 低漏電

中芯國際和Virage Logic拓展伙伴關(guān)系至40納米低漏電工藝

  •   備受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信賴的IP供應(yīng)商Virage Logic公司 和中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際,紐約證券交易所交易代碼:SMI,香港聯(lián)交所交易代碼:0981.HK)日前宣布其長期合作伙伴關(guān)系擴展到40納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術(shù)。Virage Logic 公司和中芯國際從最初的130納米工藝合作起便為雙方共同的客戶提供具高度差異的 IP,涵蓋的工藝廣泛還包含90納米以及65納米。根據(jù)協(xié)議條款,系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計人員將能夠使用 Vi
  • 關(guān)鍵字: 中芯國際  40納米  低漏電  

中芯國際攜手Synopsys拓展65納米低漏電工藝技術(shù)

  •   Synopsys 5月19日宣布開始提供用于中芯國際65納米低漏電工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗證的和獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權(quán)(IP)。在65nm技術(shù)日漸成為先進(jìn)IC產(chǎn)品市場主導(dǎo)的今天,中芯的這一舉措有助于其進(jìn)一步拓展65nm產(chǎn)品線,快速量產(chǎn)65納米低漏電工藝,加快客戶的產(chǎn)品上市時間。   DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專為各種高市場容量移動和消費電子應(yīng)用而設(shè)計的,這些應(yīng)用的關(guān)鍵要求包括要實現(xiàn)面積最小、低動態(tài)和泄
  • 關(guān)鍵字: 中芯國際  65納米  低漏電  
共2條 1/1 1

低漏電介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條低漏電!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對低漏電的理解,并與今后在此搜索低漏電的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473