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NXP發(fā)布最新一代低VCEsat晶體

  • 恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號(hào)擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時(shí)低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品（如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)）的發(fā)熱量。先進(jìn)的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導(dǎo)通電阻的工業(yè)及汽車領(lǐng)域。 華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示：“卓越的節(jié)能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關(guān)注的一項(xiàng)重要性能，也是我們獲得世界首個(gè)筆記本電腦TCO’99認(rèn)證的關(guān)鍵因素。通過與恩智浦
  • 關(guān)鍵字： 低VCEsat晶體管  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  
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低vcesat晶體管介紹

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