偏置電路 文章 進(jìn)入偏置電路技術(shù)社區(qū)
如何對耗盡型pHEMT射頻放大器進(jìn)行有效偏置?
- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件,其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而,如果柵極和漏極偏置時序不正確,漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓,并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡化框
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運(yùn)算放大器電子電路設(shè)計攻略TOP6
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分壓式偏置電路經(jīng)典設(shè)計
- 分壓式偏置電路經(jīng)典設(shè)計-分壓式偏置電路是三極管另一種常見的偏置電路。這種偏置電路的形式固定,所以識別方法相當(dāng)簡單。
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0.6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算放大器的設(shè)計
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