- 逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管（RC-LIGBT）由于高電流密度、小封裝成本等優(yōu)點，成為了功率器件領域內主流器件之一，然而其會受到電壓折回現象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術的RCLIGBT器件，將續(xù)流二極管集成在位于埋氧層下的襯底，利用埋氧層的隔離特性實現了IGBT與續(xù)流二極管之間的電學隔離，進而實現了完全消除電壓折回現象。
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逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管 電壓折回現象 絕緣體上硅 導通壓降 關斷損耗 202009
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