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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 關(guān)斷損耗

550V無電壓折回逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設(shè)計

  • 逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管（RC-LIGBT）由于高電流密度、小封裝成本等優(yōu)點，成為了功率器件領(lǐng)域內(nèi)主流器件之一，然而其會受到電壓折回現(xiàn)象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術(shù)的RCLIGBT器件，將續(xù)流二極管集成在位于埋氧層下的襯底，利用埋氧層的隔離特性實現(xiàn)了IGBT與續(xù)流二極管之間的電學(xué)隔離，進而實現(xiàn)了完全消除電壓折回現(xiàn)象。
  • 關(guān)鍵字： 逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管  電壓折回現(xiàn)象  絕緣體上硅  導(dǎo)通壓降  關(guān)斷損耗  202009  

功率MOSFET關(guān)斷損耗計算攻略

  • 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計算方式，供大家參考。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  關(guān)斷損耗  
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關(guān)斷損耗介紹

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