首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 關(guān)斷損耗

550V無電壓折回逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設(shè)計

  • 逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管(RC-LIGBT)由于高電流密度、小封裝成本等優(yōu)點(diǎn),成為了功率器件領(lǐng)域內(nèi)主流器件之一,然而其會受到電壓折回現(xiàn)象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術(shù)的RCLIGBT器件,將續(xù)流二極管集成在位于埋氧層下的襯底,利用埋氧層的隔離特性實(shí)現(xiàn)了IGBT與續(xù)流二極管之間的電學(xué)隔離,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了完全消除電壓折回現(xiàn)象。
  • 關(guān)鍵字: 逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管  電壓折回現(xiàn)象  絕緣體上硅  導(dǎo)通壓降  關(guān)斷損耗  202009  

功率MOSFET關(guān)斷損耗計算攻略

  • 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計算方式,供大家參考。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  關(guān)斷損耗  
共2條 1/1 1

關(guān)斷損耗介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條關(guān)斷損耗!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對關(guān)斷損耗的理解,并與今后在此搜索關(guān)斷損耗的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473