內(nèi)存文章進(jìn)入內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩，AI SSD 推動(dòng)營收環(huán)比增長 14%

IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報(bào)告指出，由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價(jià)上漲了 15%，總營收達(dá) 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶對
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND Flash

消息稱三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開發(fā)

IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達(dá)了對面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級(jí)） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存 DDR5

TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
關(guān)鍵字： TrendForce 內(nèi)存 DRAM

SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報(bào)道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
關(guān)鍵字：海力士 HBM 內(nèi)存

HBM 帶動(dòng)，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營收前四

IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日報(bào)告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報(bào)告表示，數(shù)據(jù)中心對 AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價(jià)和對通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動(dòng) DRAM 平均價(jià)格上升，使總體內(nèi)存市場營收大幅成長。此外終端設(shè)備市場回穩(wěn)，AI PC、智能手機(jī)逐步發(fā)售，同樣提升
關(guān)鍵字：內(nèi)存存儲(chǔ) HBM

小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車下線全系標(biāo)配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存

8 月 9 日消息，小鵬汽車今日官宣，小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車下線，全系標(biāo)配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存。博主@孫少軍09 稱，小鵬 MONA M03的門店展車已經(jīng)提前到店，開票價(jià) 15 萬多，所以起步價(jià)只會(huì)在 14 萬以下。博主還提到，對于小鵬自己，最麻煩的永遠(yuǎn)不是產(chǎn)品本身，而是前幾次上市交不出來（車）的“無語”。所以小鵬這次一定要強(qiáng)調(diào)量產(chǎn)下線，這個(gè)比其他的都重要。據(jù)此前報(bào)道，小鵬 MONA M03 已出現(xiàn)在工信部的新車申報(bào)名單中，車身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm，
關(guān)鍵字：小鵬 MONA M03 高通 8155 芯片內(nèi)存

M31Ｘ高塔半導(dǎo)體 65納米內(nèi)存方案問世

全球領(lǐng)先的硅智財(cái)供貨商M31宣布與高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）達(dá)成重要合作里程碑。雙方連手成功開發(fā)出65納米制程的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）和ROM（只讀存儲(chǔ)器）IP產(chǎn)品，并已將設(shè)計(jì)模塊交付客戶端完成驗(yàn)證，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來全新的先進(jìn)內(nèi)存解決方案。M31與高塔半導(dǎo)體共同優(yōu)化的設(shè)計(jì)架構(gòu)，巧妙結(jié)合低功耗組件Analog FET（模擬場效晶體管），不僅能夠完美滿足當(dāng)前SoC芯片對低功耗的嚴(yán)格要求，更為未來物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能型穿戴裝置、車聯(lián)網(wǎng)（V2X）以及人工智能（AI）等新興應(yīng)用領(lǐng)域
關(guān)鍵字： M31 高塔半導(dǎo)體 65納米內(nèi)存

消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
關(guān)鍵字： SK海力士內(nèi)存 NAND

消息稱 SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨(dú)立美國子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
關(guān)鍵字： SK海力士內(nèi)存 NAND

HBM4持續(xù)加速：AI時(shí)代競爭新焦點(diǎn)

HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版，旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時(shí)保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個(gè)芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計(jì)算的應(yīng)用至關(guān)重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計(jì)算、高端顯卡和服務(wù)器。
關(guān)鍵字： HBM AI 內(nèi)存

DigiKey宣布與內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一的Kingston Technology建立全球合作伙伴關(guān)系

全面現(xiàn)貨供應(yīng)、提供快速交付的全球電子元器件和自動(dòng)化產(chǎn)品分銷商DigiKey今天宣布與Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案。作為全球最大的獨(dú)立存儲(chǔ)器產(chǎn)品制造商之一，Kingston面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式OEM客戶，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內(nèi)的各種存儲(chǔ)產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和制造者打造的工業(yè)級(jí) SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作，提供
關(guān)鍵字： DigiKey 內(nèi)存存儲(chǔ) Kingston Technology

長江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專利

IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專利使用費(fèi)。長江存儲(chǔ)指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
關(guān)鍵字：長江存儲(chǔ) NAND 美光內(nèi)存

存儲(chǔ)大廠：CXL內(nèi)存將于下半年爆發(fā)？

據(jù)《ZDNet Korea》報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)部門新業(yè)務(wù)規(guī)劃團(tuán)隊(duì)董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開發(fā)一系列CXL存儲(chǔ)產(chǎn)品。其中包括集成多個(gè)CMM-D模塊的CMM-B內(nèi)存盒模塊，以及將DRAM內(nèi)存與NAND閃存顆粒相結(jié)合的CMM-H混合存儲(chǔ)模塊。Choi Jang-seok強(qiáng)調(diào)，隨著CXL3.1技術(shù)的采用，CXL內(nèi)存資源可以在多
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) CXL 內(nèi)存

英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報(bào)道，英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時(shí)代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計(jì)劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(dòng)（其影響力可以認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的 CES 大展），包括臺(tái)積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)，促進(jìn)了合作與創(chuàng)新。預(yù)計(jì)這次會(huì)議的主要焦點(diǎn)是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存，它將開啟市場的新紀(jì)元。IT之家援引該媒體報(bào)道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
關(guān)鍵字：英偉達(dá) 臺(tái)積電 SK 海力士深 HBM4 內(nèi)存

高速運(yùn)算平臺(tái)內(nèi)存爭霸 AI應(yīng)用推升內(nèi)存需求

在不同AI運(yùn)算領(lǐng)域中，依照市場等級(jí)的需要，大致上可以分成三種，一種是作為高性能運(yùn)算中心的人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)與圖形處理的超高速運(yùn)算與傳輸需求；一種是一般企業(yè)的AI服務(wù)器、一般計(jì)算機(jī)與筆電的演算應(yīng)用；另一種是一般消費(fèi)電子如手機(jī)、特殊應(yīng)用裝置或其它邊緣運(yùn)算的應(yīng)用?，F(xiàn)階段三種等級(jí)的應(yīng)用，所搭配的內(nèi)存也會(huì)有所不同，等級(jí)越高內(nèi)存的性能要求越高，業(yè)者要進(jìn)入的門坎也越高。不過因?yàn)楦黝怉I應(yīng)用的市場需求龐大，各種內(nèi)存的競爭也異常的激烈，不斷地開發(fā)更新產(chǎn)品，降低成本，企圖向上向下擴(kuò)大應(yīng)用，所以只有隨時(shí)保持容量、速度與可靠度的
關(guān)鍵字：高速運(yùn)算平臺(tái) 內(nèi)存 AI 內(nèi)存需求

共573條 1/39 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡稱內(nèi)存，港臺(tái)稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]