內(nèi)存密度 文章 進(jìn)入內(nèi)存密度技術(shù)社區(qū)

轉(zhuǎn)向納米晶體管是SRAM的福音

• 上周在 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 （ISSCC） 上，先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域最大的兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 Intel 和 TSMC 詳細(xì)介紹了使用其最新技術(shù) Intel 18a 和 TSMC N2 構(gòu)建的關(guān)鍵內(nèi)存電路 SRAM 的功能.多年來(lái)，芯片制造商不斷縮小電路規(guī)模的能力有所放緩，但縮小 SRAM 尤其困難，因?yàn)?nbsp;SRAM 由大型存儲(chǔ)單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
• 關(guān)鍵字： 納米晶體管  SRAM  英特爾  Synopsys  TSMC  內(nèi)存密度