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內(nèi)存接口芯片組 文章 進入內(nèi)存接口芯片組技術社區(qū)

瑞薩率先推出第二代面向服務器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應用對內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應商在內(nèi)的行業(yè)領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關鍵作用。瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG
  • 關鍵字： 瑞薩  DDR5 MRDIMM  內(nèi)存接口芯片組  
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內(nèi)存接口芯片組介紹

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