內(nèi)存時(shí)序 文章 進(jìn)入內(nèi)存時(shí)序技術(shù)社區(qū)
不看這4個(gè)數(shù)你買內(nèi)存就虧了：內(nèi)存時(shí)序了解下
- 本期筆者為大家?guī)淼氖顷P(guān)于內(nèi)存時(shí)序那些事，平常我們?cè)谫徺I內(nèi)存時(shí)，每一款內(nèi)存的外包裝盒上都會(huì)標(biāo)明，那么這四組數(shù)字到底是什么意思呢？
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存顆粒 內(nèi)存時(shí)序 存儲(chǔ)器
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內(nèi)存時(shí)序介紹
一種參數(shù)，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD上。2-2-2-8 4個(gè)數(shù)字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內(nèi)存CAS延遲時(shí)間，他是內(nèi)存的重要參數(shù)之一，某些牌子的內(nèi)存會(huì)把CL值印在內(nèi)存條的標(biāo)簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間。Row－precharge Delay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間。Row－active Delay（tRA [ 查看詳細(xì) ]
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