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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 擊穿

高壓電解電容波峰焊放電擊穿板上芯片的機(jī)理研究及對(duì)策

  • 王大波，施清清，李會(huì)超，宗? 巖 （珠海格力電器股份有限公司，廣東?珠海?519000）摘? 要：芯片失效作為困擾電子行業(yè)的難題，失效機(jī)理復(fù)雜，對(duì)于因生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境造成的過電、靜電失效，環(huán) 節(jié)無法鎖定。通過對(duì)高壓電解電容帶電插裝對(duì)印制電路板上芯片損傷分析，確定主板過波峰焊時(shí)錫面連錫短路 導(dǎo)致高壓電解電容放電擊穿芯片的失效機(jī)理，并制定管控對(duì)策，有效降低芯片失效不良。?關(guān)鍵詞：芯片失效；高壓電解電容；擊穿；波峰焊；PCBA0? 引言?隨著電子技術(shù)的發(fā)展，小型化、集成化的芯片被應(yīng) 用
  • 關(guān)鍵字： 202003  芯片失效  高壓電解電容  擊穿  波峰焊  PCBA  

LED電源設(shè)計(jì)實(shí)用經(jīng)驗(yàn)問答分享

  • 在LED電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過程中，工程師們需要處理的絕不僅僅是電路設(shè)計(jì)問題，更多的是LED電源的驅(qū)動(dòng)方案選擇、LED的壽命維系以及后期的維護(hù)和檢修工作等。
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電子器件在工廠車間生產(chǎn)過程中的防靜電問題分析與研究　

【E問E答】MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？

  • 　　MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！　§o電放電形成
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教你如何測(cè)量判斷電容之擊穿、漏電和失去容量

  • 用萬用表判斷電容器質(zhì)量視電解電容器容量大小，通常選用萬用表的R×10、R×100、R×1K擋進(jìn)行測(cè)試判斷。...
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分析LED被靜電擊穿的現(xiàn)象及原理

  • LED內(nèi)部的PN結(jié)在應(yīng)用到電子產(chǎn)品的制造、組裝篩選、測(cè)試、包裝、儲(chǔ)運(yùn)及安裝使用等環(huán)節(jié)，難免不受靜電感應(yīng)影響而產(chǎn)生感應(yīng)電荷。若電荷得不到及時(shí)釋放，將在兩個(gè)電極上形成的較高電位差，當(dāng)電荷能量達(dá)到LED的承受極限值
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MOS管擊穿的原因及解決方案

  • MOS管被擊穿的原因及解決方案如下：第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外...
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開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)

  • 中心議題： 功率晶體管二次擊穿的原因 避免功率晶體管二次擊穿的措施 開關(guān)電源中可選用的緩沖電路解決方案： 耗能式關(guān)斷緩沖電路 耗能式開通緩沖電路 無源回饋關(guān)斷緩沖電路 無源回饋開通緩沖電
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功率MOSFET雪崩擊穿問題分析

  • 摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時(shí)MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點(diǎn)”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在
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為功率MOSFET增加自動(dòng)防故障擊穿保護(hù)

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擊穿介紹

擊穿---絕緣物質(zhì)在電場(chǎng)的作用下發(fā)生劇烈放電或?qū)щ姷默F(xiàn)象叫擊穿。 例如，平常我們使用的驗(yàn)電筆中的氖管發(fā)光，就是氖管兩端的電壓超過70V而被擊穿。 電容器的結(jié)構(gòu)特性與作用 　　1．電容器的結(jié)構(gòu)特性 電容器是由兩個(gè)相互靠近的金屬電極板，中間夾一層絕緣介質(zhì)構(gòu)成的。在電容器的兩個(gè)電極加上電壓時(shí)，電容器就能儲(chǔ)存電能。 　　1．電容器 　　(1)電容器：兩塊相互靠近又彼此絕緣的導(dǎo)體組成電容器．電容 [ 查看詳細(xì) ]

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