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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 制造工藝

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

  • 摘    要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
  • 關(guān)鍵字： LDMOSFET  MOSFET  RF  RF專題  電源技術(shù)  功率  模擬技術(shù)  器件結(jié)構(gòu)  制造工藝  

淺論臺灣放寬半導(dǎo)體投資限制

  •      提起半導(dǎo)體制造，臺灣是全球工藝的領(lǐng)先者，而半導(dǎo)體制程則是臺灣少數(shù)幾個沒有對大陸開放投資的項目。這一次，臺灣經(jīng)濟主管機構(gòu)召開“大陸投資政策審查會議”，會后宣布，茂德、力晶8英寸半導(dǎo)體廠項目(0.25)通過了政策審查，后續(xù)的0.18其實也已經(jīng)通過了審查，這對整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不得不說是個震撼。     初看起來，0.18都已經(jīng)接近淘汰，0.25更是該走進歷史的垃圾堆，但仔細(xì)研究卻并非這么簡單。  &
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ST的TCG 1.2可信平臺模塊進軍0.15微米制造工藝

  •  極具成本效益的TPM解決方案，專門為PC制造商和OEM廠商設(shè)計， 達到可信計算組最新標(biāo)準(zhǔn) 全球第一個推出完全符合TCG(可信計算組)TPM1.2規(guī)范的可信平臺模塊(TPM)的芯片制造商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)，又推出了一個采用該公司先進的0.15微米CMOS EEPROM制造工藝的新模塊。新產(chǎn)品ST19NP18是在取得巨大成功的上一代ST19WP18 TPM的基礎(chǔ)上改進而成的，制造技術(shù)采用了能夠給PC制造商帶來更多成本效益的0.15微米制造工藝。 安全芯片T
  • 關(guān)鍵字： 0.15微米  1.2可信平臺模塊  ST  TCG  單片機  嵌入式系統(tǒng)  意法半導(dǎo)體  制造工藝  模塊  
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制造工藝介紹

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