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TSMC為何黏住客戶？先進(jìn)工藝和成熟工藝互補(bǔ)

  •       TSMC做為全世界晶圓代工廠的領(lǐng)頭羊，在規(guī)劃投資的時(shí)候（例如2012年資本投入83億美元，營收171億美元），事實(shí)上是先進(jìn)工藝跟成熟主流工藝并進(jìn)的。TSMC有一個(gè)既深且廣的工藝平臺(tái)，就縱向深度來講，TSMC是從65、40、28、20、16……這樣一路走下去。在橫向的寬度來看, 每個(gè)節(jié)點(diǎn)還有衍生性工藝, 例如嵌入式Flash, 高電壓, 射頻.. 等工藝。”事實(shí)上做一個(gè)手機(jī)，里面不僅需要基帶和應(yīng)用處理器，旁
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IC制造業(yè)：大聯(lián)盟領(lǐng)軍，小聯(lián)盟跟進(jìn)

  • 根據(jù)工藝先進(jìn)性、營收能力、產(chǎn)能規(guī)模等各方面的整體性實(shí)力來看，TSMC與英特爾、三星位于前三名，被業(yè)界稱為晶圓制造業(yè)的大聯(lián)盟，并且成為IC制造業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。 而其他的半導(dǎo)體公司則像是在小聯(lián)盟。小聯(lián)盟的公司通?？创舐?lián)盟的動(dòng)向，大聯(lián)盟推出什么，小聯(lián)盟就跟進(jìn)。 ? 大聯(lián)盟的三家各有長項(xiàng)。三星在存儲(chǔ)器上領(lǐng)先；英特爾在晶體管的速度上領(lǐng)先；而TSMC在芯片的集成度與整體性上有優(yōu)勢(shì)，這包括布線寬度, 工藝全面性等指標(biāo)。 ? 同業(yè)也許聲稱其FinFET 3D的工藝尺寸比TSMC小，事實(shí)上大
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TSMC如何看18英寸和摩爾定律

  • “TSMC現(xiàn)在已有三座12英寸晶圓廠，下一步會(huì)是18英寸廠。從時(shí)間上來看，18英寸晶圓真正投入生產(chǎn)應(yīng)該在2016年之后。”TSMC中國業(yè)務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球稱。   現(xiàn)在有三家公司（英特爾、TSMC、三星）投資ASML光刻設(shè)備的計(jì)劃，因?yàn)樵谶M(jìn)入18英寸時(shí)會(huì)有很多的坎要過，包含設(shè)備、光學(xué)等。   目前看來10納米的光刻工藝基本上只有兩種選擇，一個(gè)是EUV深紫外光，一個(gè)是Immersion浸潤式光刻技術(shù)。Immersion技術(shù)是TSMC的研發(fā)人員開始研發(fā)的。
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TSMC披露工藝計(jì)劃和資本支出

  • 2012年第四季度，TSMC的營收已經(jīng)有22% 來自28納米業(yè)務(wù), 40 納米的業(yè)務(wù)也約占22%。 ? TSMC計(jì)劃在2013年1月實(shí)現(xiàn)20nm SoC工藝的小批量試產(chǎn)。預(yù)計(jì)2013年11月，16nm的FinFET 3D晶體管的工藝將開始試產(chǎn)。 ? 資本支出方面，2012年TSMC是83億美元，（注：TSMC 2012年?duì)I收171億美元）；另外，研發(fā)投入超過13億美元。據(jù)TSMC中國業(yè)務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球介紹，TSMC對(duì)研發(fā)的支出約占營收的8%，如果再加上TSMC因研發(fā)需要而購
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TSMC 2012年?duì)I收171億美元, 中國約占5%

  • 據(jù)TSMC（臺(tái)積電）中國業(yè)務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球介紹，TSMC在中國的業(yè)務(wù)每年都在增加，2012年已達(dá)到TSMC營收的5%, 而且中國市場(chǎng)的增長在TSMC五個(gè)業(yè)務(wù)區(qū)塊里是相對(duì)快的。 ? 2012年已有十幾家國內(nèi)公司在TSMC 40納米制程上批量生產(chǎn)，而且已經(jīng)有了28納米的產(chǎn)品。預(yù)計(jì)2013年TSMC在中國能贏得5個(gè)以上的28納米客戶產(chǎn)品。“2012年能夠做出28納米的產(chǎn)品，其實(shí)相當(dāng)不容易，回想一下十年前，中國大概落后世界最先進(jìn)的設(shè)計(jì)公司約兩個(gè)世代，現(xiàn)在已經(jīng)跟得非常近了。&rdquo
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提升競(jìng)爭(zhēng)力臺(tái)灣仍須加把勁

  • 今年臺(tái)灣出口不佳，為了救出口，部分政府官員出面喊話，呼吁國人支持國貨，并且多愛臺(tái)灣廠商制造的手機(jī)。政府提振出口，協(xié)助產(chǎn)業(yè)的用心可以體會(huì)，但是這些呼吁也引發(fā)許多不同的觀點(diǎn)：有人認(rèn)為愛用國貨以支持民族產(chǎn)業(yè)的年代已過去
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疊層片式微波電感器的設(shè)計(jì)制造與應(yīng)用

  • 摘要： 文章闡述疊層片式微波電感器的工作原理，介紹其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選用和制造工藝以及它們對(duì)電感器性能的影響。還簡要敘述了疊層片式微波電感器的應(yīng)用領(lǐng)域。 1 引言
    以蜂窩通信系統(tǒng)中的手機(jī)和便攜式電腦為典型代
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傳感器制造工藝分類

  • 集成傳感器薄膜傳感器厚膜傳感器陶瓷傳感器集成傳感器是用標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)硅基半導(dǎo)體集成電路的工藝技術(shù)制造的。通常還將用于初步處理被測(cè)信號(hào)的部分電路也集成在同一芯片上。薄膜傳感器則是通過沉積在介質(zhì)襯底(基板)上的
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富士康騷亂為制造企業(yè)敲響警鐘：轉(zhuǎn)型才有出路

  • 太原富士康群毆騷亂引起廣泛關(guān)注，同時(shí)對(duì)中國制造企業(yè)也敲響了警鐘。表面上看，富士康騷亂是企業(yè)管理缺陷的又一次爆發(fā)，但深層思考，卻是反映了我國制造企業(yè)所面臨的窘境。
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傳感器制造工藝的分類和介紹

  • 傳感器的發(fā)展和傳感器制造的工藝有著密切的聯(lián)系，在近現(xiàn)代的科技發(fā)展中，制造工藝的進(jìn)步也促進(jìn)了傳感器制造業(yè)的進(jìn)步。傳感器在近現(xiàn)代主要的制造工藝有四種，分別是集成傳感器、薄膜傳感器、厚膜傳感器和陶瓷傳感器。
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基于LCD玻璃基板的制造方法分類

  • 前在商業(yè)上應(yīng)用的玻璃基板，其主要厚度為0.7 mm及0.6m m，且即將邁入更薄(如0.4mm)厚度之制程?；旧希黄琓FT- LCD面板需使用到二片玻璃基板，分別供作底層玻璃基板及彩色濾光片(COLOR FILteR)之底板使用。一般玻璃
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硅襯底LED芯片制造工藝分析

  • 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國
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采用適合工藝技術(shù)制造硅MEMS振蕩器

  • 對(duì)MEMS振蕩器的已超過四十個(gè)年頭，然而最近才走向商用化，其中最大的一個(gè)障礙是開發(fā)一種經(jīng)濟(jì)并足夠純凈的密閉封裝系統(tǒng)。MEMS振蕩器必須密封于非常潔凈的環(huán)境，因?yàn)榧词箻O小的表面污染物也會(huì)明顯改變振蕩頻率。另外，
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高品質(zhì)的LED制造技術(shù)介紹

  • LED制造商中只有一少部分能夠制造出高品質(zhì)的LED。對(duì)于只用作簡單指示作用的應(yīng)用，低品質(zhì)的LED就足以滿足要求了。但是在許多要求一致性、可靠性、固態(tài)指示或照明等領(lǐng)域里必須采用高品質(zhì)的LED，特別是在惡劣環(huán)境下，例
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硅襯底LED芯片簡介及主要制造工藝分析

  • 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國
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制造介紹

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