功率??放大器 文章 進(jìn)入功率??放大器技術(shù)社區(qū)
出色的音頻性能如何實(shí)現(xiàn)?即插即用的數(shù)字D類放大器少不了
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- 新一代即插即用的數(shù)字D類音頻放大器的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的模擬D類放大器。更重要的是,數(shù)字D類放大器還具有低功耗、低復(fù)雜性、低噪聲和低成本的優(yōu)勢(shì)。電子產(chǎn)品生產(chǎn)商通常使用不帶濾波器的高效率模擬D類放大器來滿足手機(jī)、平板電腦、家用監(jiān)控和智能音箱中便攜揚(yáng)聲器的功率需求。這些D類放大器可直接連接到電池,以盡可能地降低損耗并減少組件數(shù)量。這些放大器還可實(shí)現(xiàn)大于80dB的電源抑制比,這對(duì)于避免GSM通訊的217Hz干擾來說非常重要。模擬D類放大器一般需要在處理器側(cè)使用DAC和線路驅(qū)動(dòng)放大器(圖1),這會(huì)增加芯片成本和功耗
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基于應(yīng)變計(jì)的傳感器和放大器的選擇和校準(zhǔn)
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- 在選擇基于應(yīng)變計(jì)的傳感器/放大器組合來采集力、負(fù)載、壓力或扭矩等數(shù)據(jù)時(shí),需要牢記幾個(gè)重要的考慮因素。除了測(cè)量范圍外,還必須考慮傳感器和放大器的靈敏度以及所需的激勵(lì)(電源)電壓。在選擇基于應(yīng)變計(jì)的傳感器/放大器組合來采集力、負(fù)載、壓力或扭矩等數(shù)據(jù)時(shí),需要牢記幾個(gè)重要的考慮因素。除了測(cè)量范圍外,還必須考慮傳感器和放大器的靈敏度以及所需的激勵(lì)(電源)電壓。一旦您選擇了合適的傳感器/放大器組合并啟動(dòng)并運(yùn)行了DATAQ Instruments數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),您將需要顯示和獲取有意義的單位(lbs,psi等)。這是使用
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自適應(yīng)RF前饋放大器的設(shè)計(jì)
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- 現(xiàn)代無線通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量,提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發(fā)展。一方面,人們廣泛采用工作于甲乙類狀態(tài)的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率;另一方面,無源器件及有源器件的引入,多載波配置技術(shù)的采用等,都將導(dǎo)致輸出信號(hào)的互調(diào)失真。現(xiàn)代無線通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量,提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發(fā)展。一方面,人們廣泛采用工作于甲乙類狀態(tài)的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率;另一方面,無源器件及有源器件的引入,多載波配置技術(shù)的采用等,都將導(dǎo)致輸出信號(hào)的互調(diào)
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隔離電流檢測(cè)放大器在PFC升壓系統(tǒng)中的應(yīng)用
- PFC( Power Factor Correction)被稱為“功率因數(shù)校正”,被定義為有效功率和總耗電量(視在功率)的比值。當(dāng)使用于大中功率開關(guān)電源時(shí),提高功率因數(shù)可以降低電網(wǎng)傳輸中的損耗從而提高電能的輸送效率。因此提高功率因數(shù)有著重要的意義。本文將為大家介紹川土微電子CA-IS120X/130X系列產(chǎn)品在PFC中的應(yīng)用,并針對(duì)實(shí)際應(yīng)用提出使用方法和控制建議。01 功率因數(shù)的定義功率因數(shù)定義為交流電路有功功率P(W)對(duì)視在功率S(V*A)的比值。當(dāng)交流電壓和電流相位不同時(shí),則功率因數(shù)小于1。用戶電器設(shè)
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放大器設(shè)計(jì):晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別
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- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識(shí),這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見的晶體管:BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關(guān),它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān),晶體管類似于繼電器,因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開,這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有
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如何為寬帶的精密信號(hào)鏈設(shè)計(jì)可編程增益儀表放大器
- 本文旨在幫助硬件設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)寬帶可編程增益儀表放大器(PGIA),從選擇現(xiàn)成的分立式組件到性能評(píng)估,以及如何節(jié)省時(shí)間和減少設(shè)計(jì)迭代次數(shù)。展示的PGIA架構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化,可以全速驅(qū)動(dòng)基于高精度逐次逼近寄存器(SAR)架構(gòu)的ADC。本文還展示了PGIA在各種增益選項(xiàng)下驅(qū)動(dòng)寬帶寬信號(hào)鏈的精密性能。簡(jiǎn)介精密數(shù)據(jù)采集子系統(tǒng)通常由高性能的分立式線性信號(hào)鏈模塊組成,用于測(cè)量和保護(hù)、調(diào)節(jié)和獲取,或者合成和驅(qū)動(dòng)。硬件設(shè)計(jì)人員在開發(fā)這些數(shù)據(jù)采集信號(hào)鏈時(shí),通常需要高輸入阻抗,以直接連接多種傳感器。在這種情況下,通常需要利用可編程增
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如何在更寬帶寬應(yīng)用中使用零漂移放大器
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- 本文簡(jiǎn)短介紹了斬波、自穩(wěn)零和零漂移偽像來源,并概述了放大器設(shè)計(jì)人員可以用來降低其影響的一些技術(shù)。本文還闡釋了如何最大程度地減少精密信號(hào)鏈中這些殘余交流偽像的影響,包括匹配輸入源阻抗、濾波和頻率規(guī)劃。簡(jiǎn)介零漂移運(yùn)算放大器使用斬波、自穩(wěn)零或這兩種技術(shù)的結(jié)合來消除不需要的低頻誤差源,例如失調(diào)和1/f噪聲。傳統(tǒng)上,此類放大器僅用于低帶寬應(yīng)用中,因?yàn)檫@些技術(shù)在較高頻率時(shí)會(huì)產(chǎn)生偽像。只要系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)考慮了高頻誤差,例如紋波、毛刺和交調(diào)失真(IMD)等,較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運(yùn)算放大器的出色直流性能。零漂移
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如何利用間接電流模式儀表放大器放大具有大直流偏移的交流信號(hào)?
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- 在電磁流量計(jì)和生物電測(cè)量等應(yīng)用中,小差分信號(hào)與大得多的差分偏移串聯(lián)。這些偏移通常會(huì)限制電路在前端設(shè)計(jì)中可以獲得的增益,進(jìn)而影響整體動(dòng)態(tài)范圍。當(dāng)使用較低電源電壓時(shí),例如在電池供電的信號(hào)鏈中,增益限制更具挑戰(zhàn)性。解決這個(gè)大差分偏移問題的一種方案是使用交流耦合測(cè)量信號(hào)鏈。典型的交流耦合信號(hào)鏈包括一個(gè)低增益儀表放大器,其后是一個(gè)高通濾波器和額外的增益級(jí)(請(qǐng)參閱 "放大具有大直流偏移的交流信號(hào)以支持低功耗設(shè)計(jì)")。問題:如何支持存在大差分偏移電壓的應(yīng)用而不需要增加增益級(jí)?答案:這可以通過在一級(jí)中
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基于英飛凌SIC MOSFET 和驅(qū)動(dòng)器的11kW DC-DC變換器方案
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- REF-DAB11KIZSICSYS是一個(gè)CLLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器板,能夠提供高達(dá)11kW的800 V輸出電壓,IMZ120R030M1H(30mΩ/1200V SiC MOSFET)加上1EDC20I12AH,使其性價(jià)比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關(guān)特性,是電動(dòng)汽車和能量存儲(chǔ)系統(tǒng)(ESS)等DCDC項(xiàng)目的理想選擇。 終端應(yīng)用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機(jī),50 kW 至 350 kW 的充電機(jī),儲(chǔ)能系統(tǒng),電動(dòng)汽車快速充電,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) (PCS)?場(chǎng)景應(yīng)用
- 關(guān)鍵字: mosfet dc-dc 英飛凌 ipcdcdc infineon 終端 功率 dc 充電器
功率GaN RF放大器的熱考慮因素
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- 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作(高 Fmax)、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比,GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙,達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿,達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率,這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比,GaN RF 高電子遷移率晶體管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達(dá)范疇,在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長的使用壽
- 關(guān)鍵字: Wolfspeed 放大器 GaN
功率可擴(kuò)展的V2G充放電系統(tǒng)設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
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- 摘要:針對(duì)目前電動(dòng)汽車V2G充電樁單接口的充放電功率恒定、無法擴(kuò)展的問題,設(shè)計(jì)一種雙回路雙接口的 V2G充放電系統(tǒng),采用在功率模塊直流側(cè)進(jìn)行功率投切控制的方式,使得充放電系統(tǒng)突破單接口額定功率的限 制,有效進(jìn)行充放電功率擴(kuò)展。樣機(jī)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,充放電系統(tǒng)能夠根據(jù)后臺(tái)指令,控制相應(yīng)的接觸器投切 動(dòng)作,完成回路間功率模塊調(diào)用,準(zhǔn)確響應(yīng)后臺(tái)功率需求,輸出擴(kuò)展后的充放電功率。關(guān)鍵詞:V2G;充電樁;功率;擴(kuò)展;設(shè)計(jì)0 引言我國新能源電動(dòng)汽車保有量日益增多,作為“新基 建”之一的充電樁是連接電動(dòng)汽車和電網(wǎng)
- 關(guān)鍵字: 202208 V2G 充電樁 功率 擴(kuò)展 設(shè)計(jì)
耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET
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- 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中,功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器,電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢(shì)所在。?在線性模式工作時(shí),MOSFET必須在惡劣工作條件下工作,承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS),然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性,還必須符合熱管理限制,才能避免熱失控。?意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用先進(jìn)的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 功率 MOSFET 耐用性
終端綜測(cè)儀自動(dòng)校準(zhǔn)研究與實(shí)現(xiàn)
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- 終端測(cè)試儀是通信測(cè)試領(lǐng)域的重要環(huán)節(jié),本文對(duì)此類儀器的校準(zhǔn)方法進(jìn)行了分析和研究,闡述了一種利用數(shù)字穩(wěn)幅電路校準(zhǔn)終端測(cè)試儀內(nèi)部信號(hào)源的功率,利用內(nèi)置信號(hào)源校準(zhǔn)內(nèi)部接收機(jī)功率的自動(dòng)校準(zhǔn)的方法,同時(shí)給出終端綜測(cè)儀硬件平臺(tái)總體方案及自動(dòng)校準(zhǔn)軟件流程圖,提供了一套針對(duì)該類型儀表功率的自動(dòng)校準(zhǔn)的可行方案做為參考。
- 關(guān)鍵字: 數(shù)字穩(wěn)幅 功率 自動(dòng)校準(zhǔn) 202108
模擬電子電路基礎(chǔ):耦合、放大、振蕩、調(diào)幅和檢波
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- 在電子電路中,電源、放大、振蕩和調(diào)制電路被稱為模擬電子電路,因?yàn)樗鼈兗庸ず吞幚淼氖沁B續(xù)變化的模擬信號(hào)。1. 反饋反饋是指把輸出的變化通過某種方式送到輸入端,作為輸入的一部分。如果送回部分和原來的輸入部分是相減的,就是負(fù)反饋。2. 耦合一個(gè)放大器通常有好幾級(jí),級(jí)與級(jí)之間的聯(lián)系就稱為耦合。放大器的級(jí)間耦合方式有三種:①RC 耦合(見圖a): 優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單、成本低。但性能不是最佳。② 變壓器耦合(見圖b):優(yōu)點(diǎn)是阻抗匹配好、輸出功率和效率高,但變壓器制作比較麻煩。③ 直接耦合(見圖c): 優(yōu)點(diǎn)是頻帶寬,可作直流放
- 關(guān)鍵字: 放大器 振蕩器 模擬電路
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