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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率器件熱設計基礎

功率器件熱設計基礎 文章 進入功率器件熱設計基礎技術社區(qū)

功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻

  •  前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現為半導體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的
  • 關鍵字： 英飛凌，功率器件熱設計基礎  

功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和并聯

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》 ，已經把熱阻和電阻聯系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯和并聯概念來做數值計算。熱阻的串聯首先，我們來看熱阻的串聯。當兩個或多個導熱層依次排列，熱量依次通過
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件熱設計基礎  

功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際，比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯構成的。各層都有相應的熱阻，這些熱阻是串聯的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件熱設計基礎  
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功率器件熱設計基礎介紹

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