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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率器件

開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個關(guān)注點(diǎn)

  • 開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個關(guān)注點(diǎn)-　上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。
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功率器件交貨期持續(xù)拉長，供應(yīng)短缺局面何時結(jié)束？

  • 全球性需求增加也帶動市場增長，但是功率分立器件交貨期開始延長暫時還沒有什么解決辦法。
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三菱電機(jī)強(qiáng)勢出擊PCIM亞洲2017展

  • 　　三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會中隆重登場(三菱電機(jī)展位號:E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來參觀了解三菱電機(jī)最新的技術(shù)、產(chǎn)品和優(yōu)勢?！　∪怆姍C(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品，其中第7代IGBT模塊更首次作
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東芝推出額定值為5A／600V的高壓智能功率器件

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產(chǎn)品“TPD4207F”，擴(kuò)大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產(chǎn)品陣容，該產(chǎn)品適用于空調(diào)、空氣凈化器的風(fēng)扇電機(jī)和泵等各類產(chǎn)品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實(shí)現(xiàn)更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產(chǎn)出貨即日啟動?！　≡撔翴PD利用東芝最新MOSFET技術(shù)——600V超結(jié)MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實(shí)現(xiàn)5A額定電流。這一電流足以驅(qū)動冰箱的壓縮機(jī)電機(jī)，這是現(xiàn)有IPD無法做到的，因此新IPD的應(yīng)用范
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IGBT驅(qū)動電路的作用、工作特性與使用要求

  • 　　IGBT驅(qū)動電路的作用：　　IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用?！　GBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時,管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時,管子關(guān)斷?！　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平
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中國的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段，前景廣闊

  • 　　功率集成電路器件的產(chǎn)地正發(fā)生著重大改變。過去10年來，中國、歐洲和東南亞地區(qū)的功率器件制造業(yè)取得迅猛發(fā)展，而北美地區(qū)則逐漸走下坡路。 　　在市場機(jī)遇方面，隨著電池供電與互聯(lián)消費(fèi)產(chǎn)品及電動車的涌現(xiàn)，功率器件需求預(yù)計(jì)將更加強(qiáng)勁。如下方圖片所示，中國的智能手機(jī)需求增長與功率集成電路消費(fèi)趨勢相符。未來，中國有望成為半導(dǎo)體器件包括功率器件主要的設(shè)計(jì)與制造來源。 　　目前，中國的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段。在初始階段，中國制造的主要是簡單的二極管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加復(fù)雜精細(xì)的功率器
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中國功率集成電路制造產(chǎn)業(yè)前景廣闊　

  • 本文介紹了中國功率器件制造業(yè)未來發(fā)展所擁有的環(huán)境優(yōu)勢以及政策優(yōu)勢，分析了中國功率器件未來發(fā)展的廣闊前景。
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光伏逆變器的新方向

  • 新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導(dǎo)體非常注重新技術(shù)的開發(fā)與新材料器件的應(yīng)用，能同時提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經(jīng)量產(chǎn)并且廣泛應(yīng)用于工業(yè)、太陽能逆變器等領(lǐng)域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開發(fā)中，不久就會發(fā)布。
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華虹半導(dǎo)體功率器件平臺累計(jì)出貨量突破500萬片晶圓

  • 　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，連同其附屬公司，統(tǒng)稱“集團(tuán)”，股份代號：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平臺累計(jì)出貨量已突破500萬片晶圓。其中，得益于市場對超級結(jié)MOSFET(“金氧半場效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強(qiáng)勁需求，華虹半導(dǎo)體獨(dú)特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場截止型IGBT累計(jì)出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓，并保持
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解讀電源三大熱門領(lǐng)域的技術(shù)方案　

  • 在智能化 、網(wǎng)絡(luò)化的當(dāng)下時代，各種新型電子產(chǎn)品層出不窮，而在各電子產(chǎn)品中，電源模塊一直都是不可避免的課題，隨著新材料和新工藝不斷涌現(xiàn)、不斷發(fā)展，電源模塊的的各方面性能也不斷得到完善。本次專題就功率器件、光伏和隔離器三個方面，邀請業(yè)內(nèi)專業(yè)人士共同探討電源的發(fā)展和革新。
  • 關(guān)鍵字： 電源  功率器件  光伏  隔離器  201704  

收購美國半導(dǎo)體新企 村田轉(zhuǎn)攻功率器件

  • 　　日本電子零組件廠村田制作所(Murata)，于2017年3月17日宣布簽約購并美國半導(dǎo)體新創(chuàng)企業(yè)Arctic Sand Technologies，收購程序估計(jì)將在4月上旬完成，據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導(dǎo)，購并金額約70億日圓(約6,200萬美元)。 　　這次購并的目的，在于村田打算轉(zhuǎn)換事業(yè)重點(diǎn)，村田目前總營收約60%源自智慧型手機(jī)相關(guān)零組件，但智慧型手機(jī)的市場成長率逐漸趨緩，連帶影響村田的事業(yè)成長，在短期內(nèi)難以看到手機(jī)市場重回先前的高速成長狀態(tài)，村田必須培養(yǎng)其他重點(diǎn)事業(yè)。 　　在Son
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2017誰將成為功率器件市場亮點(diǎn)？

  • 　　通信、汽車驅(qū)動市場增長，國有品牌競爭力提升 　　市場規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大，增速較2015年有所回升 　　2016年，中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn)，增速有所加快，受此影響，中國功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，市場規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到1496.1億元，同比增長7.2%，增速較2015年有所回升。 　　通信、汽車成為2016年市場增長亮點(diǎn) 　　從下游應(yīng)用產(chǎn)品的需求來看，通信和汽車領(lǐng)域是推動功率器件市場增長的主要驅(qū)動力。 　　從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來看，1-10月，我國生產(chǎn)手機(jī)17億部，同比增長19.9%，其中智能手機(jī)12
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【功率器件心得分享】功率器件在Boost電路中的應(yīng)用

  • 　　風(fēng)能、太陽能等新能源均需經(jīng)過電力電子變換才能接入電網(wǎng)，隨著新能源發(fā)電量的逐年攀升，市場對電力電子變換器的要求朝著大功率、高頻率、低損耗的方向快步前進(jìn)。作為傳統(tǒng)電力電子變換的開關(guān)器件，Si IGBT已難以滿足需求，而新型半導(dǎo)體器件SiC MOSFET具有更好的性能，被普遍認(rèn)為是新一代的功率器件。　　對于電力電子變換器而言，SiC MOSFET可作為開關(guān)器件使用。而在電力電子變換器中，升降壓斬波電路是最基本的電路結(jié)構(gòu)，以此為基礎(chǔ)可擴(kuò)展出各類電力電子變換器。因此，這里以升壓變換
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日本設(shè)立共同研究室 加快氮化鎵功率器件研發(fā)進(jìn)程

  • 　　據(jù)報道，共同研究室預(yù)計(jì)將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計(jì)10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質(zhì)運(yùn)用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率器件等中。 　　據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎的藍(lán)色發(fā)光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學(xué)研制氮化鎵結(jié)晶的技術(shù)與該機(jī)構(gòu)調(diào)查物質(zhì)性質(zhì)的技術(shù)相結(jié)合，加快研發(fā)進(jìn)程。 　　天野是小出在名古屋大學(xué)念書時低一屆的學(xué)弟。兩人在名城大學(xué)終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學(xué)獎)門下一同進(jìn)行
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新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

  • 摘要：分析新型SiC功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對SiC MOSFET柵極電阻對開關(guān)特性的影響，以及開關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  升壓斬波電路  柵極電阻  
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功率器件介紹

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