功率器件文章進(jìn)入功率器件技術(shù)社區(qū)

聚焦半導(dǎo)體主業(yè)，TCL科技出售廣州金服、加碼功率器件業(yè)務(wù)

日前，TCL科技連發(fā)數(shù)則公告，釋放出聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的信號(hào)。除了50億元增資TCL華星之外，TCL科技擬出售TCL 金服控股（廣州）集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“廣州金服”），而其控股子公司天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中環(huán)半導(dǎo)體”）的全資子公司天津環(huán)鑫科技發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天津環(huán)鑫”）擬引入TCL 微芯科技（廣東）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“TCL 微芯”）對(duì)天津環(huán)鑫增資5.67億元。向TCL實(shí)業(yè)出售廣州金服100%股權(quán)公告顯示，TCL科技近日簽署了《股份轉(zhuǎn)讓協(xié)議》，擬向TCL實(shí)業(yè)出售廣州金服10
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功率器件巨頭怎樣去“玩轉(zhuǎn)”SiC市場(chǎng)

按照業(yè)界通常的看法,未來(lái)5到10年內(nèi),SiC功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)主要在汽車領(lǐng)域,特別是EV、混合動(dòng)力車、燃料電池車等電動(dòng)車應(yīng)用市場(chǎng)。實(shí)際上,在光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、充電樁、UPS領(lǐng)域,SiC都將有高速成長(zhǎng)的機(jī)會(huì)。而且,電源領(lǐng)域?qū)⑹荢iC最大的市場(chǎng)。綜合起來(lái),這幾個(gè)市場(chǎng)將會(huì)有16%的年復(fù)合增長(zhǎng)率。脫穎而出更高的工作電壓、更高的效率、更好的散熱性能,都是SiC在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。與傳統(tǒng)的Si材料作對(duì)比,SiC的帶隙(BandGap)是其三倍;擊穿場(chǎng)強(qiáng)(MV/cm)上,SiC是2.2,Si為0.3,高出7倍左右;
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低壓無(wú)刷一體化電機(jī)的解決方案

王? 力? （MPS?現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師?副經(jīng)理）摘? 要：介紹了無(wú)刷直流電機(jī)、低壓驅(qū)動(dòng)控制及電機(jī)一體化的解決方案。關(guān)鍵詞：無(wú)刷直流電機(jī)；低壓；電機(jī)一體化；功率器件；編碼器無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)本體和驅(qū)動(dòng)電路組成，是典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。相比于有刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)，無(wú) 刷電機(jī)在壽命、小型化、效率、動(dòng)態(tài)性能方面有著明顯的優(yōu)勢(shì)。隨著無(wú)刷電機(jī)制造工藝的日趨成熟，無(wú)刷電機(jī)性價(jià)比將進(jìn)一步得到提升，勢(shì)必將得到更廣泛的應(yīng)用。特別是在紡織、醫(yī)療等行業(yè)，對(duì)小型化、集成化、驅(qū)動(dòng)控制及電機(jī) 一體化的低壓直流無(wú)刷電機(jī)
關(guān)鍵字： 202003 無(wú)刷直流電機(jī) 低壓電機(jī)一體化功率器件編碼器

碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)

電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢(shì)非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因?yàn)槿绱?，已?jīng)有越來(lái)越多的半導(dǎo)體企業(yè)開(kāi)始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
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支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級(jí)別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來(lái)經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，您必須至少對(duì)其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，但德州儀器正通過(guò)所有這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過(guò)在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來(lái)節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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詳解：功率器件的保護(hù)方法

目前用于電子產(chǎn)品和自動(dòng)化電子控制設(shè)備及功率半導(dǎo)體器件的保護(hù)方法有如下幾種：一、保險(xiǎn)絲法這是一種傳統(tǒng)的保護(hù)方法。保險(xiǎn)絲常串接在電路的電源輸入端
關(guān)鍵字：功率器件保護(hù)方法檢測(cè) 并聯(lián)

中璟航天半導(dǎo)體要做半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，晶圓制造帶動(dòng)，人才教育、供應(yīng)鏈和設(shè)計(jì)孵化先行——投行基金進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新視角

　　在國(guó)家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策下，在全球特別是中國(guó)強(qiáng)大的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求下，一家投資江蘇盱眙8英寸功率器件為主的柔性生產(chǎn)線的黑馬進(jìn)入了業(yè)內(nèi)的視線，這就是江蘇中璟航天半導(dǎo)體實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司。　　不久前的 “2018中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨第七屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會(huì)(南京)”上，中璟榮獲了賽迪顧問(wèn)的 “最具成長(zhǎng)力企業(yè)獎(jiǎng)”和“投資新銳獎(jiǎng)”2個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。會(huì)議期間，電子產(chǎn)品世界記者訪問(wèn)了江蘇中璟航天半導(dǎo)體實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司副總經(jīng)理麥桓彰先生。江蘇中璟航天半導(dǎo)體實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司副總經(jīng)理麥桓彰先生　　中璟航天半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生
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整套設(shè)備的智能化將是大勢(shì)所趨

面向工業(yè)設(shè)備的電源產(chǎn)品的使用條件比較苛刻，有的應(yīng)用需要24小時(shí)365天無(wú)間斷運(yùn)轉(zhuǎn),所以設(shè)計(jì)與研發(fā)電源產(chǎn)品時(shí)，對(duì)功率器件要求很高，必須要兩個(gè)方面的技術(shù)性的考慮：一是損耗特性，由于無(wú)間斷運(yùn)轉(zhuǎn)的需求，如何減少器件所產(chǎn)生的損耗對(duì)工廠電費(fèi)有直接影響。
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重磅消息！深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)

　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有里程碑意義，將對(duì)中國(guó)乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響?！　】萍疾吭辈块L(zhǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長(zhǎng)曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長(zhǎng)陳如桂，科技部高新司原司長(zhǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)副主任、深圳第三代半
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嵌入式設(shè)計(jì)入門：三極管基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)

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MSP430程序升級(jí)方案

MSP430程序升級(jí)方案-　　對(duì)MSP430系列單片機(jī)進(jìn)行編程的方式有以下3種：利用JTAG接口，利用BSL固件和利用用戶自定義的升級(jí)固件。由于利用自定義升級(jí)固件進(jìn)行程序升級(jí)的方式比較靈活，且用途廣泛，因此本文將對(duì)其作重點(diǎn)介紹。
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變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法

變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法-　　變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動(dòng)電路損壞致使1個(gè)橋臂上的2個(gè)開(kāi)關(guān)器件同一時(shí)間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其他變頻設(shè)備上常見(jiàn)到的故障，解決這種問(wèn)題只有查到損壞的根本原因，并首先消除再次損壞的可能，才能更換逆變模塊，否則換上去的新模塊會(huì)再損壞。
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常用的功率半導(dǎo)體器件盤點(diǎn)匯總

常用的功率半導(dǎo)體器件盤點(diǎn)匯總-電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件。
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開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)-　上世紀(jì)60年代，開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
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