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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 功率開關(guān)

飛兆推出采用8-DIP封裝的高集成度FPS功率開關(guān)產(chǎn)品

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 推出一款采用8-DIP封裝的高集成度FPS功率開關(guān)產(chǎn)品FSFM300，讓LCD顯示器和電視機(jī)、機(jī)頂盒及DVD播放器設(shè)計(jì)人員無(wú)需采用散熱片，即能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)30W的輸出功率，使到LCD顯示器的外形更小巧，并降低設(shè)計(jì)的總體成本。FSFM300是高集成度的綠色FPS開關(guān)，在成本和散熱性能都較好的8-DIP封裝內(nèi)集成了脈寬調(diào)制 (PWM) IC和耐雪崩SenseFET MOSFET。新產(chǎn)品通過在芯片中集成SenseFET，實(shí)現(xiàn)較其它解決方案更少的
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ST推出STC03DE220HV ESBT功率開關(guān)

  • 　　意法半導(dǎo)體推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管）功率開關(guān)，新產(chǎn)品使設(shè)計(jì)工程師能夠提高單相和三相應(yīng)用輔助開關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。 　　STC03DE220HV是額定擊穿電壓2200V的ST ESBT新系列的首款產(chǎn)品。在電源電壓90V AC到690V AC的通用輸入轉(zhuǎn)換器中，新產(chǎn)品讓設(shè)計(jì)工程師采用單功率開關(guān)的反激式拓?fù)?。使用一個(gè)通用的硬件平臺(tái)，再配合適合的控制器如L6565，ST完整的ESBT產(chǎn)品讓設(shè)計(jì)工程師能夠開發(fā)最大功率達(dá)到250W的準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器。
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功率開關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(cè)(04-100)

  • 　　引言 　　在工作于自激振蕩模式的SMPS中，需要檢測(cè)磁芯的完全去磁狀態(tài)。去磁檢測(cè)的最新技術(shù)基于對(duì)與變壓器主繞組耦合的輔助繞組的使用。此繞組可對(duì)磁芯實(shí)際去磁后出現(xiàn)的零電壓進(jìn)行檢測(cè)(ZCD)。在準(zhǔn)諧振工作中，重新啟動(dòng)新一輪導(dǎo)通周期的最佳時(shí)機(jī)位于功率MOSFET漏極電壓的“谷點(diǎn)”處。電壓ZCD和漏極電壓谷點(diǎn)之間的時(shí)間間隔取決于漏極振鈴周期。 　　本文描述了一種被稱為SOXYLESS的新技術(shù)，它無(wú)需采用輔助繞組和時(shí)間補(bǔ)償元件就能進(jìn)行“谷點(diǎn)”檢測(cè)。 　　So
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Fairchild推出采用SC-75封裝的MicroFET功率開關(guān)

  • 　　飛兆半導(dǎo)體推出MicroFET功率開關(guān)產(chǎn)品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z，適用于充電、異步DC/DC和負(fù)載開關(guān)等低功耗 (<30V) 應(yīng)用。這些功率開關(guān)可在低至1.5V的柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓下工作，同時(shí)提供較之于其它解決方案降低75% 的RDS(ON)和降低66% 的熱阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench® 技術(shù)，封裝為2.0mm x 1.6mm SC-75，較3 x 3mm SSOT-6封裝及SC-70封裝體積分別減小65%
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飛兆推出綠色FPSTM e-SeriesTM系列功率開關(guān)

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出綠色FPS e-Series 的全新飛兆功率開關(guān)(FPS) 產(chǎn)品系列，可為DVD播放器、機(jī)頂盒、LCD顯示器和其它25W及更低的電源設(shè)計(jì)提供高能效和高系統(tǒng)可靠性。這些綠色FPS產(chǎn)品以飛兆半導(dǎo)體專有的谷底導(dǎo)通(valley switching) 技術(shù)為基礎(chǔ)，與傳統(tǒng)的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)湎啾?，能夠提高功率轉(zhuǎn)換效率1%，并降低EMI的量可達(dá)5dB。這些高度集成的FPS器件結(jié)合了完全達(dá)到額定雪崩值SenseFET、電流模式脈沖寬度調(diào)制 (PW
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功率開關(guān)介紹

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