EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
功率放大器
功率放大器 文章 進(jìn)入功率放大器技術(shù)社區(qū)
推挽式B類功率放大器的基本原理
- 了解推挽式B類放大器的工作原理,如何計(jì)算其效率,以及其性能與電感性負(fù)載A類設(shè)計(jì)的比較。正如我們?cè)谏弦黄恼轮兴懻摰?,單晶體管B類放大器(圖1)使用高Q諧振電路作為負(fù)載來抑制較高的諧波分量。通過使用高Q諧振電路,輸出電壓僅包含基波分量,使放大器能夠忠實(shí)地再現(xiàn)輸入信號(hào)。通過短接諧波分量,高Q諧振使輸出電壓成為基頻的正弦波,盡管集電極電流是半波整流的正弦波。 單晶體管B類RF放大器的電路圖。圖1:?jiǎn)尉w管B類RF放大器。除了使用高Q電容器,我們還可以通過迫使兩個(gè)半正弦波脈沖以相反方向通過負(fù)載來消除B
- 關(guān)鍵字: 推挽式 功率放大器
B類功率放大器介紹
- B類功率放大器是如何工作的?是什么讓它比A類功率放大器更高效?在這篇文章中了解答案。高效射頻功率放大器(PA)在許多應(yīng)用中都至關(guān)重要,從手持通信設(shè)備到大型有源元件相控陣天線。例如,在上述手持設(shè)備中,更高的效率意味著更低的功耗,從而可以延長(zhǎng)通話時(shí)間。我們?cè)谥暗奈恼轮辛私獾?,電感性?fù)載的A類放大器提供的最大可獲得效率僅為50%。本文介紹了B類功率放大器,其理論最大效率為78.5%。在討論了B類放大器的基本特性后,我們將探討效率差異的原因。請(qǐng)注意,本文中使用的分析表達(dá)式是近似的,因?yàn)樗鼈兩婕按笮盘?hào)和強(qiáng)非線性,
- 關(guān)鍵字: 功率放大器
電感負(fù)載A類功率放大器簡(jiǎn)介
- 了解電感負(fù)載共射極級(jí)如何用作功率放大器。本系列的前一篇文章討論了使用電阻性負(fù)載共發(fā)射極電路作為功率放大器(PA)的挑戰(zhàn)和局限性。在最后一節(jié)中,我們了解到,通過使用大型電感器作為共發(fā)射極配置的負(fù)載,可以解決許多挑戰(zhàn)。在本文中,我們將更全面地研究電感性負(fù)載的A類放大器。讓我們從圖1中的基本電感性負(fù)載共射極配置開始我們的研究。電感負(fù)載共射極放大器的電路圖。 圖1:電感負(fù)載共射極放大器的簡(jiǎn)單版本您可能已經(jīng)注意到,圖1看起來與我們上次介紹的電感負(fù)載PA有些不同。與本文稍后將討論的放大器版本不同,該電路缺少
- 關(guān)鍵字: 電感負(fù)載共射極放大器 功率放大器
A類功率放大器簡(jiǎn)介:共發(fā)射極PA
- 射頻放大器設(shè)計(jì)是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的任務(wù),涉及線性度、效率、增益和輸出功率之間的權(quán)衡。在這里,我們研究共發(fā)射極電路如何能夠或不能用作功率放大器。本系列之前的文章討論了小信號(hào)放大器,它通常設(shè)計(jì)用于增益和線性,而不是功率傳輸。如果接下來的電路具有純電容輸入阻抗,則小信號(hào)放大器可能會(huì)提供特定的電壓或電流增益,而不會(huì)向?qū)嶋H負(fù)載傳輸任何明顯的功率。由于小信號(hào)放大器不處理高功率電平,因此功率處理能力和功率效率也不是其主要設(shè)計(jì)要求。在接下來的幾篇文章中,我們將討論一些截然不同的內(nèi)容:射頻功率放大器。功率放大器(PA)出現(xiàn)在
- 關(guān)鍵字: 射頻放大器 功率放大器
面向GaN功率放大器的電源解決方案
- RF前端的高功率末級(jí)功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計(jì)上有別于其它技術(shù),有時(shí)設(shè)計(jì)具有一定挑戰(zhàn)性;但它的性能在許多應(yīng)用中是獨(dú)特的。閱讀本文,了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今,電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負(fù)電壓工作。這曾經(jīng)被視為負(fù)面的——此處“負(fù)面”和“負(fù)極”并非雙關(guān)語(yǔ)——但今天,有一些技術(shù)使這種柵極負(fù)壓操作變得微不足道。今天,我們擁有電源管理集成電路(PMIC)器件,可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電,以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢(shì)。我們將在下
- 關(guān)鍵字: Qorvo GaN 功率放大器
pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案
- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件,其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而,如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確,漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓,并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。
- 關(guān)鍵字: pHEMT 功率放大器 有源偏置
pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案
- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件,其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而,如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確,漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓,并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。引言圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡(jiǎn)
- 關(guān)鍵字: ADI pHEMT 功率放大器
100W MOSFET功率放大器電路
- 我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路,可產(chǎn)生 100W 的輸出功率,驅(qū)動(dòng)約 8 歐姆的負(fù)載。 所設(shè)計(jì)的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理:該電路采用多級(jí)功率放大原理,包括前置放大器、驅(qū)動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器,驅(qū)動(dòng)級(jí)是帶有電流鏡負(fù)載的差分放大器,功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比,MOSFET 具有驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級(jí)差分放大器電路組成,用于產(chǎn)生無噪聲放大信號(hào)
- 關(guān)鍵字: 功率放大器 MOSFET
150W功率放大器電路
- 功率放大電路是輸出阻抗最小的電路,用于驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器等負(fù)載,這些負(fù)載需要低阻抗大功率。在這里,我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)使用推挽式 AB 類配置的功率放大器電路,以獲得 150W 的功率來驅(qū)動(dòng) 8 歐姆的負(fù)載(揚(yáng)聲器)。功率放大器電路的原理:該電路的基本原理是雙極結(jié)型晶體管的不同偏置方式。 麥克風(fēng)輸出的電信號(hào)非常低。使用 CE 配置的雙極結(jié)型晶體管在 A 類模式下偏壓,可將該低壓信號(hào)放大至可持續(xù)電平。在這種模式下,輸出為反相放大信號(hào)。該信號(hào)為低功耗信號(hào)。 以 AB 類配置排列的兩個(gè)達(dá)林頓功率晶體管可放大該信號(hào)的功率電平。
- 關(guān)鍵字: 功率放大器
功率放大器電路中的三極管和MOS管,究竟有什么區(qū)別?
- 學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ),和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友,在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢?在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢?學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ),和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友,在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢?在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢?首先我們明確一下二者的概念三極管:全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控
- 關(guān)鍵字: 功率放大器 MOS
是德科技推出全新解決方案加速功率放大器數(shù)字預(yù)失真測(cè)試
- ●? ?全新的迭代學(xué)習(xí)控制算法將功率放大器的數(shù)字預(yù)失真測(cè)試時(shí)間從幾小時(shí)縮短到幾分鐘●? ?測(cè)試方法助力功率放大器制造商縮短研發(fā)周期并加快上市時(shí)間●? ?漢威光電(Hexawave) 是 富采控股(Ennostar Group )的子公司,率先采用全新的測(cè)試方法來表征高效寬帶砷化鎵功率放大器是德科技公司近日宣布,推出全新的迭代學(xué)習(xí)控制(ILC)測(cè)試方法極大縮短功率放大器的數(shù)字預(yù)失真 (DPD) 測(cè)試時(shí)間。是德科技提供先進(jìn)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證解決方案,旨在加
- 關(guān)鍵字: 是德科技 功率放大器 數(shù)字預(yù)失真測(cè)試
功率放大器模塊及其在5G設(shè)計(jì)中的作用
- 多射頻設(shè)計(jì)人員都對(duì) Franklin Douglass 的名言深有同感:“沒有斗爭(zhēng)就沒有進(jìn)步?!痹跒?5G 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),尤其如此??萍加型淖儫o線通信,但也會(huì)帶來設(shè)計(jì)難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來化解。以下是你需要知道的一切。這篇博文首次發(fā)布在 Mouser Electronics 網(wǎng)站https://www.mouser.com/blog/power-amplifier-modules-role-5g-design 上。5G 是無線通信市場(chǎng)領(lǐng)域有史以來十分重要的強(qiáng)大技術(shù)之一。與 4G 相比,5
- 關(guān)鍵字: Qorvo 功率放大器 5G
一款應(yīng)用于Wi-Fi?6E設(shè)備的GaAs?HBT功率 放大器
- 摘要:針對(duì)WIFI 6E頻段的設(shè)備需求,設(shè)計(jì)了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體 管(GaAs HBT)功率放大器。功率放大器為三級(jí)放大拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),采用自適應(yīng)偏置電路結(jié)構(gòu)解決HBT晶體管在 大功率輸入下偏置點(diǎn)變化及自熱效應(yīng)引起增益及線性度惡化的問題。測(cè)試結(jié)果表明,在5.9?GHz~7.2?GHz頻段 內(nèi),功率放大器增益>27?dB,輸出飽和功率>1?W,附加效率>24 %,芯片面積:1.24?mm×1.27?mm。關(guān)鍵詞:功率放大器;WIFI 6E;GaAs HBT近
- 關(guān)鍵字: 202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
功率放大器原理與常用功放芯片
- 功率放大器原理利用三極管的電流控制作用或場(chǎng)效應(yīng)管的電壓控制作用將電源的功率轉(zhuǎn)換為按照輸入信號(hào)變化的電流。因?yàn)槁曇羰遣煌穹筒煌l率的波,即交流信號(hào)電流,三極管的集電極電流永遠(yuǎn)是基極電流的β倍,β是三極管的交流放大倍數(shù),應(yīng)用這一點(diǎn),若將小信號(hào)注入基極,則集電極流過的電流會(huì)等于基極電流的β倍,然后將這個(gè)信號(hào)用隔直電容隔離出來,就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號(hào),這現(xiàn)象成為三極管的放大作用。經(jīng)過不斷的電流放大,就完成了功率放大。功率放大器基本組成功率放大器通常由3部分組成:前置放大器、驅(qū)動(dòng)放大器、末級(jí)
- 關(guān)鍵字: 功率放大器 PA
功率放大器介紹
功率放大器簡(jiǎn)介 利用三極管的電流控制作用或場(chǎng)效應(yīng)管的電壓控制作用將電源的功率轉(zhuǎn)換為按照輸入信號(hào)變化的電流。因?yàn)槁曇羰遣煌穹筒煌l率的波,即交流信號(hào)電流,三極管的集電極電流永遠(yuǎn)是基極電流的β倍,β是三極管的交流放大倍數(shù),應(yīng)用這一點(diǎn),若將小信號(hào)注入基極,則集電極流過的電流會(huì)等于基極電流的β倍,然后將這個(gè)信號(hào)用隔直電容隔離出來,就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號(hào),這現(xiàn)象成為三極管的放大作用 [ 查看詳細(xì) ]
相關(guān)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473