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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率晶體管

恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

  • 　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應用其業(yè)界領先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術可以實現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長了兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。 　　恩智浦R
  • 關鍵字： 恩智浦  LDMOS  基站  功率晶體管  
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功率晶體管介紹

耗散功率在 1瓦以上的晶體管。在電力電子器件中為一大類，包括雙極型功率晶體管、功率場效應晶體管、功率靜電感應晶體管、隔離柵晶體管、復合晶體管等。通常，功率晶體管是雙極型功率晶體管的簡稱。 　　制造功率晶體管用的半導體材料多為單晶硅（也有用鍺或砷化鎵的）。器件的心片通常裝在散熱良好的金屬塊上。功率晶體管往往做成功率集成器件，其一個器件的心片上就含有數(shù)十個乃至上萬個并聯(lián)的晶體管單元。 　　功率晶體 [ 查看詳細 ]

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