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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 半導(dǎo)體光刻設(shè)備

提升半導(dǎo)體光刻設(shè)備生產(chǎn)效率 佳能推出晶圓測(cè)量機(jī)新品

  • 佳能將于2023年2月21日推出半導(dǎo)體制造用晶圓測(cè)量機(jī)“MS-001”,該產(chǎn)品可以對(duì)晶片進(jìn)行高精度的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量※1。在邏輯和存儲(chǔ)器等尖端半導(dǎo)體領(lǐng)域,制造工序日趨復(fù)雜,晶片更容易發(fā)生翹曲等形變。為了制造出高精度的半導(dǎo)體元器件,需要準(zhǔn)確測(cè)量晶片的變形情況,并使用數(shù)臺(tái)半導(dǎo)體光刻設(shè)備將多達(dá)數(shù)層的電路圖進(jìn)行高精度套刻,然后再進(jìn)行曝光。為了實(shí)現(xiàn)高精度套刻,晶片表面用于定位的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記由數(shù)個(gè)增加至數(shù)百個(gè)。為此,分別在每臺(tái)半導(dǎo)體光刻設(shè)備中對(duì)數(shù)百個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量就非常耗時(shí),從而降低了半導(dǎo)體光刻設(shè)備的生產(chǎn)效率。隨著新產(chǎn)品的
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半導(dǎo)體光刻設(shè)備介紹

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