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半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體器件技術(shù)社區(qū)
超快速I(mǎi)V測(cè)試技術(shù)簡(jiǎn)介-半導(dǎo)體器件特性測(cè)試的變革
- 超快速I(mǎi)V測(cè)量技術(shù)是過(guò)去十年里吉時(shí)利推出的最具變革性的方法和儀器,吉時(shí)利一直以其高精度高品質(zhì)的SMU即原測(cè)試單元而著稱,吉時(shí)利的原測(cè)試單元在過(guò)去的三十年里一直被當(dāng)做直流伏安測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn),一些著名的產(chǎn)品例如236
- 關(guān)鍵字: IV測(cè)試 技術(shù)簡(jiǎn)介 半導(dǎo)體器件 特性測(cè)試
安捷倫完成對(duì)Accelicon Technologies的方案技術(shù)收購(gòu)
- 安捷倫科技公司(NYSE:A)日前宣布為電子行業(yè)提供器件建模及驗(yàn)證的Accelicon Technologies 軟件解決方案和技術(shù)現(xiàn)已成為安捷倫的一部分。兩家公司已于 2011 年 12 月 1 日宣布收購(gòu)協(xié)議,此次交易的具體財(cái)務(wù)細(xì)節(jié)尚未透露。
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電子技術(shù)三大新方向
- 電子產(chǎn)品的基本價(jià)值是方便性。這一方便性由于LSI(大規(guī)模集成電路)而得到大幅提升。但是,引導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
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超快速I(mǎi)V測(cè)試技術(shù)-半導(dǎo)體器件特性測(cè)試的變革
- 超快速I(mǎi)V測(cè)量技術(shù)是過(guò)去十年里吉時(shí)利推出的最具變革性的方法和儀器,吉時(shí)利一直以其高精度高品質(zhì)的SMU即原測(cè)試單元而著稱,吉時(shí)利的原測(cè)試單元在過(guò)去的三十年里一直被當(dāng)做直流伏安測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn),一些著名的產(chǎn)品例如236
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OHM大學(xué)理工系列 半導(dǎo)體器件 濱川 139頁(yè)
- OHM大學(xué)理工系列 半導(dǎo)體器件 濱川 139頁(yè)
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SEMI:明年全球硅晶圓出貨面積將增長(zhǎng)23%
- SEMI近期最全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)硅晶圓出貨量做出預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)2010年硅晶圓出貨面積將叫2009年增長(zhǎng)23%。該預(yù)測(cè)包括對(duì)2009年-2011年全球硅晶圓市場(chǎng)的展望,其中2009年硅晶圓出貨面積將減少20%至63.31億平方英寸,2010年和2011年將分別增長(zhǎng)23%和10%。 “用于制造半導(dǎo)體器件的硅晶圓銷售量將由今年的低點(diǎn)反彈,”SEMI總裁兼CEO Stanley T. Myers說(shuō)道?!霸谖磥?lái)兩年,硅晶圓出貨量將超過(guò)全球金融危機(jī)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)低迷之前的水平,2
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中國(guó)南車建成大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地
- 9月8日,隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片,國(guó)內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國(guó)南車正式投產(chǎn)。 為滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的急切需求,打破國(guó)外公司的市場(chǎng)壟斷,推動(dòng)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模,中國(guó)南車旗下的株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司(南車時(shí)代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ),總投資近3.5億元,于2006年年底啟動(dòng)大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè),歷經(jīng)22個(gè)月后實(shí)現(xiàn)正式投產(chǎn)。 位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬(wàn)平方米,部分凈化級(jí)別達(dá)到了100級(jí),由于產(chǎn)品對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
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突破功耗和成本限制設(shè)計(jì)中國(guó)需要的FPGA
- 歐美主流市場(chǎng)需要大尺寸、復(fù)雜而且昂貴的FPGA,而中國(guó)市場(chǎng)需要低功耗、高保密性、小尺寸以及低成本的FPGA產(chǎn)品。為此,Actel設(shè)計(jì)了滿足中國(guó)市場(chǎng)需求的FPGA。 國(guó)際金融危機(jī)使各國(guó)政府最終認(rèn)識(shí)到,創(chuàng)建一個(gè)高能效的全新世界是構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展體制的最佳路徑之一。實(shí)際上,早在多年前,愛(ài)特就已經(jīng) 將關(guān)注焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向高能效的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA),目標(biāo)是推出創(chuàng)新的可編程邏輯解決方案,能在芯片和系統(tǒng)兩個(gè)層面上降低功耗,而這正是客戶非常重視的特性。我們的發(fā)展成果證實(shí)這項(xiàng)戰(zhàn)略是成功的。如今,愛(ài)特公司已經(jīng)
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電子垃圾難處理 這個(gè)難是難在何處?
- 電子垃圾難處理,這個(gè)難是難在何處? 我覺(jué)得最難的地方就是電子垃圾的分類。堆積場(chǎng)中有各式各樣的廢棄物電子類,電器類,大的,小的,讓人覺(jué)得演化繚亂無(wú)處下手來(lái)處理。如果先將他們分好類別,比如說(shuō)廢棄的電視機(jī),顯示器是一類,冰箱是一類,然后小的手機(jī),電話機(jī)……等等先分好類。接下來(lái)就簡(jiǎn)單了,產(chǎn)品是怎樣生產(chǎn)出來(lái)的倒過(guò)來(lái)執(zhí)行就會(huì)分解成零部件。到了這個(gè)時(shí)候電子垃圾就不再難處理了。各種拆解下來(lái)的零件再分好類,電阻、電容、半導(dǎo)體器件、電池……到了這一步回收應(yīng)該不
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FPGA躋身汽車系統(tǒng)關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域
- 消費(fèi)者迫切需求的輔助駕駛系統(tǒng)技術(shù)需要具有先進(jìn)精密功能且外形尺寸又非常小的高可靠性元件。由于這些系統(tǒng)尺寸很小,而且彼此非常靠近,因此還要求器件具有超低功耗和良好的耐久性??臻g受限的系統(tǒng)在設(shè)計(jì)方面存在的熱可靠性問(wèn)題可通過(guò)采用較少的元件及超低的功耗來(lái)解決。Actel公司以Flash為基礎(chǔ)的ProASIC3 FPGA具有固件錯(cuò)誤免疫力、低功耗和小外形尺寸等優(yōu)勢(shì),因而消除了FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)用于安全關(guān)鍵汽車應(yīng)用領(lǐng)域的障礙。 汽車工程師過(guò)去通常依賴于MCU(微控制器)和定制ASIC(專用集成電
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研諾推出新型WLED驅(qū)動(dòng)器
- 美國(guó)加州圣克拉拉——2008年6月——專為移動(dòng)消費(fèi)電子設(shè)備提供電源管理半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)商研諾邏輯科技有限公司(納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼:AATI),日前宣布推出代號(hào)為AAT2848的芯片,這是一款用于白色發(fā)光二極管(WLED)背光顯示和閃光燈應(yīng)用的新型三重模式電荷泵驅(qū)動(dòng)器芯片。在1個(gè)小型3mm? x 3mmTQFN33-20封裝內(nèi),AAT2848可驅(qū)動(dòng)4個(gè)背光通道,每通道電流可高達(dá)30mA;以及兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電流各高達(dá)300mA的閃光通道,其并行總電流高
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半導(dǎo)體器件滲入電路保護(hù)市場(chǎng) 現(xiàn)融合趨勢(shì)
- 雖然變阻器、保險(xiǎn)絲和PPTC熱敏電阻等被動(dòng)元器件一直是電路保護(hù)中的主角,但電子產(chǎn)品便攜化和可靠化等發(fā)展需求,使得半導(dǎo)體分立器件和芯片開(kāi)始在電路保護(hù)中鋒芒漸甚,例如在ESD靜電保護(hù)中,TVS/齊納二極管已經(jīng)取代了變阻器成為主角。面對(duì)這種趨勢(shì),傳統(tǒng)被動(dòng)元件制造商在積級(jí)開(kāi)發(fā)新材料的同時(shí),也嘗試與半導(dǎo)體材料進(jìn)行融合,例如泰科電子的PolyZen聚合物增強(qiáng)型齊納二極管微型集成模塊,就成功地融合了PPTC與半導(dǎo)體材料,可以提供過(guò)流過(guò)壓綜合保護(hù)。 “過(guò)去幾年來(lái)業(yè)界開(kāi)始對(duì)整個(gè)保護(hù)重視起來(lái),即保護(hù)不再
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半導(dǎo)體器件:技術(shù)不斷進(jìn)步 應(yīng)用指日可待
- 2006年半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)取得一系列新進(jìn)展。引人注目的是美國(guó)開(kāi)發(fā)出速度高達(dá)845GHz的晶體管。由于技術(shù)的不斷進(jìn)步,傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件外形獲重大改進(jìn)。器件的形狀并非只有芯片一種。美國(guó)科學(xué)家已開(kāi)發(fā)出僅1納米的單分子晶體管;日本廠商在世界上領(lǐng)先研制出厚度與普通紙相當(dāng)?shù)摹半娮蛹垺保蝗樟⒐拘∶琢4笮〉碾娮訕?biāo)簽已可月產(chǎn)上百萬(wàn)個(gè)。此外,韓國(guó)三星公司在大容量存儲(chǔ)器上取得領(lǐng)先世界的重大進(jìn)展;英特爾公司劃時(shí)代的硅光電激光器問(wèn)世;IBM開(kāi)發(fā)成功超高速的硅鍺半導(dǎo)體器件?,F(xiàn)分別介紹如下。 晶體管:速度高達(dá)845GHz
- 關(guān)鍵字: 07展望 半導(dǎo)體器件 醫(yī)療保健類
半導(dǎo)體器件介紹
用半導(dǎo)體材料制成的具有一定功能的器件,統(tǒng)稱半導(dǎo)體器件。為了與集成電路相區(qū)另,有時(shí)也稱為分立器件。半導(dǎo)體器件主要有二端器件和三端器件兩大類。絕大部分二端器件(即晶體二極管)的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu),已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波 [ 查看詳細(xì) ]
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