半導(dǎo)體工藝文章進(jìn)入半導(dǎo)體工藝技術(shù)社區(qū)

晶諾微亮相慕尼黑光博會(huì)，為半導(dǎo)體工藝提供國(guó)產(chǎn)先進(jìn)量檢測(cè)設(shè)備

在與Semicon China同期舉辦的2024慕尼黑上海光博會(huì)上，晶諾微（上海）科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱晶諾微）首度現(xiàn)身行業(yè)展會(huì)，將公司自主研發(fā)的光學(xué)量測(cè)設(shè)備和半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備展示給專業(yè)參會(huì)者，且在現(xiàn)場(chǎng)展開深入地互動(dòng)交流。伴隨半導(dǎo)體市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)增以及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程的不斷加快，半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備行業(yè)展現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的良好態(tài)勢(shì)。于技術(shù)層面而言，半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破與創(chuàng)新，高精度、高速度、高穩(wěn)定性成為當(dāng)下乃至未來量檢測(cè)設(shè)備的關(guān)鍵特點(diǎn)，在線、自動(dòng)化、非接觸式、納米級(jí)測(cè)量乃是主要方向，其不僅提高了半導(dǎo)體制造的精
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從2D到3D：半導(dǎo)體封裝工藝與DTCO

前言在馬上要過去的2023年，全球的通貨膨脹伴隨消費(fèi)需求的下滑，2023年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)預(yù)估將整體營(yíng)收同比下滑12.5%。但是在2024年，隨著多家機(jī)構(gòu)給出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將觸底反彈的預(yù)測(cè)，整個(gè)半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)將迎來成長(zhǎng)，預(yù)估明年晶圓代工產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將有6.4%的增幅。而長(zhǎng)期來看，半導(dǎo)體晶圓代工領(lǐng)域也是會(huì)總體保持增長(zhǎng)。未來，芯片將越來越變得無處不在，價(jià)值越來越高，重要性也越來越高，在社會(huì)中逐漸變成引導(dǎo)社會(huì)變革的核心力量之一。就此臺(tái)積電中國(guó)區(qū)總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球在ICCAD2023就表示：“整個(gè)半導(dǎo)體在200
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半導(dǎo)體工藝的極限：1nm之戰(zhàn)

從 7nm 到 5nm，從 5nm 到 3nm，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于先進(jìn)工藝制程的追求永不停歇。2022 年，當(dāng)臺(tái)積電宣布已經(jīng)掌握成功大量量產(chǎn) 3nm 鰭式場(chǎng)效電晶體制程技術(shù)后，1nm 開始一步步逼近。對(duì)于先進(jìn)工藝的掌握，意味著更高的性能、更頂尖的技術(shù)。從 3nm 跨越到 1nm，這其中面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)猶如天塹。因此，1nm 對(duì)于業(yè)界來說也充滿著誘惑。1nm，念念不忘工藝制成的研發(fā)和生產(chǎn)需要大量的資源，一方面是技術(shù)積累，如晶體管架構(gòu)、材料選擇、制造過程等方面都需要解決難題；另一方面還需要強(qiáng)大的資金、人才和設(shè)備，眾
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三星電子 4nm 工藝良率已提高至 75% 以上

IT之家 7 月 12 日消息，三星電子 4 納米工藝的良率目前已經(jīng)超過 75%，這引發(fā)了人們對(duì)于三星擴(kuò)大半導(dǎo)體代工客戶的猜測(cè)。7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報(bào)告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”，并提高了“高通和英偉達(dá)再次合作的可能性”。此前，三星電子代工廠曾經(jīng)歷過產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況，導(dǎo)致主要客戶紛紛轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。結(jié)果，去年臺(tái)積電的資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的
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使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)加速半導(dǎo)體工藝發(fā)展

摘要：虛擬DOE能夠降低硅晶圓測(cè)試成本，并成功降低DED鎢填充工藝中的空隙體積實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)是半導(dǎo)體工程研發(fā)中一個(gè)強(qiáng)大的概念，它是研究實(shí)驗(yàn)變量敏感性及其對(duì)器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，工程師就可以使用有限的實(shí)驗(yàn)晶圓及試驗(yàn)成本實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的目標(biāo)性能。然而，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域，DOE（或?qū)嶒?yàn)）空間通常并未得到充分探索。相反，人們經(jīng)常使用非常傳統(tǒng)的試錯(cuò)方案來挖掘有限的實(shí)驗(yàn)空間。這是因?yàn)樵诎雽?dǎo)體制造工藝中存在著太多變量，如果要充分探索所有變量的可能情況，需要極大的晶圓數(shù)量和試驗(yàn)成本。在這種
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臺(tái)積電6月9日召開股東會(huì) 聚焦華為禁令、赴美設(shè)廠

6月8日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電股東會(huì)將于明日登場(chǎng)，除進(jìn)行2019年度營(yíng)運(yùn)報(bào)告之外，本次股東會(huì)將聚焦華為禁令影響，以及赴美設(shè)廠等兩大主題。臺(tái)積電臺(tái)積電年度股東常會(huì)將由董事長(zhǎng)劉德音及總裁魏哲家為首的經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)主持，會(huì)中將針對(duì)2019年?duì)I運(yùn)報(bào)告進(jìn)行承認(rèn)事項(xiàng)，也將對(duì)2020年?duì)I運(yùn)展望作出說明。臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音及總裁魏哲家的講話，受市場(chǎng)高度關(guān)注。若對(duì)華為禁令沒有持續(xù)延長(zhǎng)緩沖期，臺(tái)積電9月中后無法再對(duì)華為出貨，屆時(shí)臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)營(yíng)將受到影響。另外，臺(tái)積電先前宣布將赴美國(guó)亞利桑那州建設(shè)5納米新廠，約120億美元，此一
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因華為卸任采訪被重提張忠謀難追趕論再審視

張忠謀卸任時(shí)說，“5年、10年后大陸會(huì)進(jìn)步，但臺(tái)積電也會(huì)，就算大陸進(jìn)步飛快，跟臺(tái)積電的差距還是像現(xiàn)在一樣大”，這句話現(xiàn)在看依然是正確的，但美國(guó)政府為中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展送來了神助攻……
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詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET

詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
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中國(guó)芯片業(yè)呼喚頂層設(shè)計(jì)

　　中國(guó)芯片有一項(xiàng)世界第一：對(duì)，是進(jìn)口。2013年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總規(guī)模3043億美金，中國(guó)進(jìn)口就有2322億美金，高居全球第一，這都是壞事?當(dāng)然不，說明中國(guó)是代工大國(guó)，大多數(shù)電腦、手機(jī)都是中國(guó)生產(chǎn)的。那么，這是好事?當(dāng)然也不是，中國(guó)八成芯片依賴進(jìn)口，剩下的兩成里，還有Intel在華的工廠部分產(chǎn)能。　　是的，發(fā)動(dòng)機(jī)是工業(yè)革命的心臟，芯片是信息革命的心臟。中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)正在迎來最好的年代，同時(shí)，也是最壞的年代。　　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)機(jī)會(huì) 　　服務(wù)器芯片市場(chǎng)。不久前，已經(jīng)遠(yuǎn)離媒體多時(shí)的龍芯推出了龍芯28nm的
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？

　　尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會(huì)盲目跟進(jìn)。依目前的態(tài)勢(shì)，業(yè)界已然有所爭(zhēng)議，有人認(rèn)為由28nm向22nm過渡時(shí)成本可能反而上升，這或是產(chǎn)業(yè)過渡過程中的正?，F(xiàn)象。　　全球半導(dǎo)體業(yè)中還能繼續(xù)跟蹤14nm工藝節(jié)點(diǎn)者可能尚余不到10家，包括英特爾、三星、臺(tái)積電、格羅方得、聯(lián)電、東芝、海力士、美光等。顯然在半
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EDWARDS發(fā)布IXL120 面向真空半導(dǎo)體工藝應(yīng)用

　　全球領(lǐng)先的真空設(shè)備供應(yīng)商Edwards近日發(fā)布iXL120設(shè)備，拓展了其面向半導(dǎo)體制造工藝的干泵設(shè)備產(chǎn)品。iXL120具有專為負(fù)載時(shí)鐘和其他清洗應(yīng)用的設(shè)計(jì)，在同等產(chǎn)品中可達(dá)到最快速的抽取速度，同時(shí)還具有低能耗、高吞吐量的特點(diǎn)，降低擁有者成本。
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