單晶硅 文章 進(jìn)入單晶硅技術(shù)社區(qū)
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心 50mm 厚 6 英寸碳化硅單晶生長成功，且晶體質(zhì)量達(dá)到業(yè)界水平
- IT之家 7 月 28 日消息，據(jù)浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心發(fā)布，近日浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在浙江省“尖兵計劃”等研發(fā)項目的資助下，成功生長出厚度達(dá)到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進(jìn)展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或?qū)⒂瓉戆l(fā)展新契機(jī)。據(jù)介紹，碳化硅（SiC）單晶作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，對高壓、高頻、高溫及高功率等半導(dǎo)體器件的發(fā)展至關(guān)重要。目前，國內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達(dá)到 6 英寸，但
- 關(guān)鍵字： 浙江大學(xué) 單晶硅
單晶硅強(qiáng)勢回歸 單多之爭風(fēng)云再起
- 雖然單晶硅顯示出了強(qiáng)勢回歸的態(tài)勢，但在太陽能發(fā)電路線上，多晶硅與單晶硅之爭還將在很長一段時間內(nèi)持續(xù)下去。
- 關(guān)鍵字： 單晶硅
美二次光伏雙反余波：單晶硅有望借機(jī)上位
- 日前，美國商務(wù)部公布對華第二次光伏產(chǎn)品雙反調(diào)查終裁結(jié)果：認(rèn)定從中國大陸進(jìn)口的晶體硅光伏產(chǎn)品存在傾銷和補(bǔ)貼行為，裁定中國大陸廠商傾銷幅度26.71%~165.04%;補(bǔ)貼幅度27.64%~49.79%。根據(jù)相關(guān)程序，2015年1月29日美國國際貿(mào)易委員會將做出損害終裁。 業(yè)內(nèi)人士分析，此次光伏雙反的裁決對國內(nèi)光伏企業(yè)最大的負(fù)面影響莫過于稅率將大幅提高，主要為反傾銷稅和反補(bǔ)貼稅，從而導(dǎo)致成本提高，銷售價格增加。不過，此次雙反未將硅片納入到雙反調(diào)查范圍內(nèi)，硅片制造商也免于懲罰性扣稅。由于單晶硅產(chǎn)品在海
- 關(guān)鍵字： 光伏 單晶硅
天合光能單晶硅組件輸出功率創(chuàng)世界紀(jì)錄
- 2014年4月8日，天合光能宣布，其單晶硅太陽能光伏組件(60片156mmX156mm單晶硅電池)創(chuàng)造了P型單晶硅組件輸出功率新的世界紀(jì)錄。該項成果經(jīng)第三方TUVRheiland(萊茵)權(quán)威認(rèn)證機(jī)構(gòu)測試，峰值輸出功率(Pmax)高達(dá)326.3瓦，表明其量產(chǎn)PERC(PassivatedEmitterRearCell)單晶硅高效組件達(dá)到世界領(lǐng)先水平。創(chuàng)造這一紀(jì)錄的組件是基于設(shè)在天合光能的中國光伏科學(xué)與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研發(fā)平臺研制，采用的是公司自主研發(fā)的中試量產(chǎn)HoneyUltra高效單晶太陽能電池片。
- 關(guān)鍵字： 天合光能 單晶硅
關(guān)注光伏政策進(jìn)一步落實(shí)的明確目標(biāo)
- 《意見》內(nèi)容核心仍圍繞此前國務(wù)院常務(wù)會議提出的政策方向，即：積極開拓光伏應(yīng)用市場;加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和技術(shù)進(jìn)步;規(guī)范產(chǎn)業(yè)發(fā)展秩序;完善并網(wǎng)管理和服務(wù);完善具體支持政策等。文件本身并無顯著超過市場預(yù)期的內(nèi)容，但對幾個數(shù)字的首次明確提出仍值得關(guān)注，同時建議密切關(guān)注相關(guān)政策后續(xù)的具體落實(shí)情況。 1.《意見》在總體要求中提出：“2013—2015年，年均新增光伏發(fā)電裝機(jī)容量1000萬千瓦(10GW)左右，到2015年總裝機(jī)容量達(dá)到3500萬千瓦(35GW)以上。”這是我
- 關(guān)鍵字： 單晶硅 光伏
光伏企業(yè)持續(xù)虧損抑制N型單晶硅產(chǎn)品發(fā)展
- 太陽能市場的不景氣已嚴(yán)重遏制光伏企業(yè)的科技發(fā)展。盡管N型單晶硅高效產(chǎn)品很可能實(shí)現(xiàn)P型多單晶硅太陽能產(chǎn)品所“望塵莫及”的突破，但絕大多數(shù)太陽能企業(yè)依然對投資新科技持保守態(tài)度。 太陽能制造商指出，高轉(zhuǎn)換效率是太陽能產(chǎn)業(yè)的主要目標(biāo)之一。鑒于物理性質(zhì)方面限制，目前主流型別的太陽能產(chǎn)品(即P型單多晶硅)的轉(zhuǎn)換效率仍未超越20%。然而，N型單晶硅并無此類物理限制。 臺灣太陽能制造商表示，目前多家光伏企業(yè)遭受虧損之累，即使一些有興趣投資研發(fā)N型多晶硅太陽能產(chǎn)品的企業(yè)也沒有雄厚的財
- 關(guān)鍵字： Kaneka 太陽能 單晶硅
光伏產(chǎn)業(yè)：盛宴散去之后
- 來自浙江省能源局的最新信息顯示，受歐美“雙反”調(diào)查影響，今年前三季度，浙江省光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值僅200多億元，比去年同期下降51%。與此同時,今年前三季度全省光伏企業(yè)總虧損約30億元，全年全省光伏企業(yè)行業(yè)虧損面將達(dá)到80%。 浙江光伏產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，只是中國光伏產(chǎn)業(yè)困境的縮影。 “雙反”引發(fā)行業(yè)虧損 先是美國“雙反”，再是歐盟跟進(jìn)，現(xiàn)在連與我國光伏產(chǎn)品貿(mào)易額只有16億元的印度也跟著加入了對華光伏產(chǎn)品“雙反&rd
- 關(guān)鍵字： 昱輝 光伏 單晶硅
王占國院士：半導(dǎo)體材料將走向“納米化”
- 半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發(fā)明后，在家電、通信、網(wǎng)絡(luò)、航空、航天、國防等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，給電子工業(yè)帶來革命性的影響。2010年，全球半導(dǎo)體市場達(dá)到2983億美元，拉動上萬億美元的電子產(chǎn)品市場。 伴隨著半導(dǎo)體市場的壯大，半導(dǎo)體材料也不斷獲得突破。王占國介紹，一般將鍺和硅稱為第一代半導(dǎo)體材料。將砷化鎵、磷化銦等稱為第二代半導(dǎo)體材料，而將寬禁帶的碳化硅、氮化鎵和金剛石等稱為第三代半導(dǎo)體材料。 第一代材料中，12英寸單晶硅已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)，18英寸單晶硅已在實(shí)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 單晶硅
單晶硅介紹
硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從19世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀(jì)60年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用最多的一種半導(dǎo)體材料，目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。
硅的單晶體。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的 [ 查看詳細(xì) ]
單晶硅專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473