參數(shù) 文章 進入?yún)?shù)技術(shù)社區(qū)
MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應(yīng)全解
- 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應(yīng)管(FET)是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導體器件,由于緊靠半導體中的多數(shù)載流子導電,又稱單極型晶體管。場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵兩種,因為絕緣柵型晶體管(MOSFET,下面簡稱MOS管)的柵源間電阻比結(jié)型大得多且比結(jié)型場效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時工藝簡單,因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類,每一類又分為增強型和耗盡型兩種,只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管,只要柵極-源極
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詳解開關(guān)電源PCB設(shè)計要點和電氣要求
- 在任何開關(guān)電源設(shè)計中,PCB板的物理設(shè)計都是最后一個環(huán)節(jié),如果設(shè)計方法不當,PCB可能會輻射過多的電磁干擾,造成電源工作不穩(wěn)定,以下針對各個步驟中所需注意的事項進行分析:一、從原理圖到PCB的設(shè)計流程;二、參數(shù)設(shè)置……
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淺談電子可靠性工作誤區(qū)
- 司空見慣的經(jīng)驗性的東西,其實我們都很多都是錯的,而這一旦用于設(shè)計,產(chǎn)品可靠性可想而知。所以說“電路設(shè)計器件選型,先論證其不可行性,慎談可行性;電子設(shè)計比拼的不是誰的設(shè)計更好,而是誰的設(shè)計更少犯錯誤”。 誤區(qū)1、產(chǎn)品故障=產(chǎn)品不可靠 產(chǎn)品出現(xiàn)問題,有時候并不是研發(fā)的問題,曾經(jīng)有案例,面向國內(nèi)中等以上發(fā)達地區(qū)的設(shè)備,因為在國內(nèi)用的不錯,所以出口到了哥倫比亞,但在那里頻頻故障,故障的原因在于中國中國大陸中等以上發(fā)達地區(qū)的海拔都比較低,所以高海拔地區(qū),設(shè)備的氣密性受到了挑戰(zhàn)
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參數(shù)介紹
參數(shù)(parameter):表征元器件特性或描述元器件安全工作范圍的一些數(shù)據(jù)稱為參數(shù)。參數(shù)一般可從手冊中查到。
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