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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 雙極

雙極步進(jìn)馬達(dá)加速和減速過程應(yīng)用

  • 引言就 DC 馬達(dá)而言,通過升高電壓(如果使用脈寬調(diào)制,則增加占空比),可以控制馬達(dá)傳動軸達(dá)到某個指定速度的快慢。但是,如果是步進(jìn)馬達(dá),則改變電壓不會對馬達(dá)速度產(chǎn)生任何影響。沒錯,改變電壓大小可以改變繞組電
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H型雙極模式PWM控制的功率轉(zhuǎn)換電路設(shè)計與分析

  • H型雙極模式PWM控制提高轉(zhuǎn)臺伺服系統(tǒng)低速特性的作用十分顯著,而且簡單易行。H型雙極模式PWM控制能夠提高伺服系統(tǒng)的低速特性,是因為H型雙極模式PWM控制的電動機電樞回路中始終流過一個交變的電流,這個電流可以使電
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如何處理高 di/dt 負(fù)載瞬態(tài)(上)

如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)(下)

  • 關(guān)鍵詞:電源、雙極、驅(qū)動器、電源設(shè)計小貼士、電源管理、模擬、半導(dǎo)體、電源設(shè)計小貼士、Robert Kollman、德州儀器、TI在《如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)(上)》中,我們討論了電流快速變化時一些負(fù)載的電容旁路要求。我
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GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

  • Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時fT 和 fmax分別達(dá)到了 185 GHz and 220 GHz,JC =
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電子輻照對開關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響

  • 中心議題: 開關(guān)電源中開關(guān)晶體管的損耗 開關(guān)電源中開關(guān)晶體管的電子輻照實驗 電子輻照雙極晶體管和鉗位型雙極晶體管的比較
    功率雙極晶體管的損耗是開關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一, 采用10M eV電子輻照
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LME49810雙極輸入放大器應(yīng)用電路圖

  • LME49810雙極輸入放大器應(yīng)用電路圖LME49810是一款雙極輸入放大器,其輸入阻抗的匹配性相當(dāng)重要。受來自正 ...
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雙極發(fā)射極跟隨器:具有雙通道反饋的RISO

  • 我們選擇用于分析具有雙通道反饋的RISO的雙極發(fā)射極跟隨器為OPA177,具體情況請參閱圖1。OPA177為一款低漂移、低輸入失調(diào)電壓運算放大器,其能在plusmn;3~plusmn;15V的電壓范圍內(nèi)工作。
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H型雙極模式PWM控制的功率轉(zhuǎn)換電路設(shè)計

  •  H型雙極模式PWM控制提高轉(zhuǎn)臺伺服系統(tǒng)低速特性的作用十分顯著,而且簡單易行。H型雙極模式PWM控制能夠提高伺服系統(tǒng)的低速特性,是因為H型雙極模式PWM控制的電動機電樞回路中始終流過一個交變的電流,這個電流可以使
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基準(zhǔn)電壓正負(fù)對稱的雙極比較器

  • 電路的功能正負(fù)對稱的雙極比較器可用于報警電路。本電路不是設(shè)定正負(fù)VREF,而是配置正、負(fù)跟蹤的基準(zhǔn)電壓電路,所以設(shè)定的是正基準(zhǔn)電壓值。電路工作原理比較器A1的輸入高于+VREF時,輸出“H”電平,A2的輸入大于-VRE
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一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

高電流雙極步進(jìn)電機控制器電路

  • 高電流雙極步進(jìn)電機控制器電路,High current bipolar stepper motor controllerSpecifications
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    High Current Bipolar S
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雙極變張角時域天線設(shè)計

  • 1 引言
    光電子技術(shù)、微波技術(shù)和激光技術(shù)的進(jìn)步和相互結(jié)合,產(chǎn)生能夠工作在時域的高速、高頻電子開關(guān)器件-光導(dǎo)開關(guān)。該開關(guān)具有良好的電磁學(xué)響應(yīng)特性。在線性工作模式下的輸出波形近似為高斯脈沖??疾鞄追N常見
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運算放大器電路的固有噪聲分析與測量(7)

  • 本文將討論決定運算放大器 (op amp) 固有噪聲的基本物理關(guān)系。
  • 關(guān)鍵字:   內(nèi)部  寬帶  溫度  雙極  

CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計

  • 本文提出了一種基于0.35μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的高性能帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計方法。...
  • 關(guān)鍵字: 抑制  偏置  電流  雙極  
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