器件結(jié)構(gòu) 文章進(jìn)入器件結(jié)構(gòu)技術(shù)社區(qū)

固態(tài)繼電器結(jié)構(gòu)可靠性研究與應(yīng)用

　　李?帥，張秀鳳　?。ǜ窳﹄娖鳎ê戏剩┯邢薰?，安徽合肥 230088）　　摘?要：針對空調(diào)用固態(tài)繼電器因結(jié)構(gòu)不良導(dǎo)致金線彎曲現(xiàn)象，本文從固態(tài)繼電器失效機(jī)理、器件結(jié)構(gòu)工藝設(shè)計(jì)可靠性等方面進(jìn)行分析。通過器件失效機(jī)理、結(jié)構(gòu)對比、X-RAY等對器件進(jìn)行全方位分析論斷，分析結(jié)果表明：固態(tài)繼電器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)存在質(zhì)量缺陷，在生產(chǎn)過程中因樹脂注入黏度，造成金線彎曲現(xiàn)象。本次從器件本身可靠性設(shè)計(jì)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)布局設(shè)計(jì)整改，提升器件產(chǎn)品質(zhì)量?！　￡P(guān)鍵詞：固態(tài)繼電器；金線；彎曲；器件結(jié)構(gòu)　　0 引言　　固態(tài)繼電器(Solidst
關(guān)鍵字： 201908 固態(tài)繼電器金線彎曲器件結(jié)構(gòu)

　　黎長源，李帥，項(xiàng)永金（格力電器（合肥）有限公司，安徽合肥 230088）　　摘要：針對空調(diào)用IPM模塊生產(chǎn)過程及運(yùn)輸周轉(zhuǎn)過程中出現(xiàn)IPM本體開裂問題，本文從IPM失效機(jī)理、器件結(jié)構(gòu)工藝設(shè)計(jì)、器件應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)質(zhì)量可靠性等方面進(jìn)行分析。通過器件失效機(jī)理、結(jié)構(gòu)對比、X光、機(jī)械應(yīng)力測試等對IPM器件本體全方位分析論斷，分析結(jié)果表明：IPM整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)存在質(zhì)量缺陷，IPM抗機(jī)械應(yīng)力強(qiáng)度水平低，在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中以較高的可靠性工作，本次IPM物理機(jī)械失效與器件本身設(shè)計(jì)質(zhì)量缺陷存在較大關(guān)聯(lián)；從器件本身可靠性設(shè)計(jì)、本
關(guān)鍵字：變頻空調(diào) IPM 開裂器件結(jié)構(gòu) 機(jī)械應(yīng)力 201907

鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)1 鐵電存儲(chǔ)器簡介隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對于非易失性存儲(chǔ)器的需求越來越大 ...
關(guān)鍵字：鐵電存儲(chǔ)器工作原理器件結(jié)構(gòu)

摘要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點(diǎn)，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專題電源技術(shù) 功率模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝

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